Tempus-PI仿真和实测关键时序路径的一致性研究
2021年电子技术应用第8期
余金金1，闫志超1，张倩忆2，陈泽发2
1.上海燧原科技有限公司，上海200000；2.上海铿腾电子科技有限公司，上海200000
摘要： 传统的静态时序分析会将电压的不一致性作为减弱参数形式，以一定的余量帮助使用者覆盖大部分真实芯片中的情况。但是随着芯片越来越大，软硬件的功能越来越多，由于电压降引起的时序违例越来越多。很多情况下IR的分析是符合标准的。现在主流的大规模芯片如AI芯片都是基于12 nm、7 nm或者更小的技术节点。封装还会引入3DIC。电压降分析越来越复杂也越来越重要。与此同时，时序分析也将会引入电压降的影响。Tempus-PI提供一个真正的时序和电压降协同仿真的签核流程，以此来帮助找到真正的电压敏感的关键路径。该仿真工作的结果得到了芯片测试的一致性验证。
中圖分類號(hào)： TN402
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.219804
中文引用格式： 余金金，閆志超，張倩憶，等. Tempus-PI仿真和實(shí)測(cè)關(guān)鍵時(shí)序路徑的一致性研究[J].電子技術(shù)應(yīng)用，2021，47(8)：56-58.
英文引用格式： Yu Jinjin，Yan Zhichao，Zhang Qianyi，et al. Silicon correlation for critical path of 3DIC AI chip with Tempus-PI[J]. Application of Electronic Technique，2021，47(8)：56-58.
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.219804
中文引用格式： 余金金，閆志超，張倩憶，等. Tempus-PI仿真和實(shí)測(cè)關(guān)鍵時(shí)序路徑的一致性研究[J].電子技術(shù)應(yīng)用，2021，47(8)：56-58.
英文引用格式： Yu Jinjin，Yan Zhichao，Zhang Qianyi，et al. Silicon correlation for critical path of 3DIC AI chip with Tempus-PI[J]. Application of Electronic Technique，2021，47(8)：56-58.
Silicon correlation for critical path of 3DIC AI chip with Tempus-PI
Yu Jinjin1，Yan Zhichao1，Zhang Qianyi2，Chen Zefa2
1.Shanghai Enflame Technology，Shanghai 200000，China；2.Cadence Shanghai，Shanghai 200000，China
Abstract： When we use traditional timing signoff(STA) with a proper margin or derate for voltage variations, it will help us to cover most scenarios of real silicon. But as chips are designed larger and larger, features of hardware and software increase more and more, we see some critical cases will lead timing to fail caused by IR drop, even if IR analysis is under criteria. Now, most of our designs such as AI chips are designed on 12 nm, 7 nm or less, with a 3DIC interposer. IR drop analysis is more and more complex and important. Meanwhile, timing analysis with IR drop is request. Tempus Power Integrity provides a true signoff solution for concurrent IR drop and timing, which helps us find the real critical timing path with voltage sensitive. And this simulation results are well correlated and verified by silicon testing.
Key words : STA；IR；critical path；correlation
0 引言
芯片設(shè)計(jì)向著更高的集成化、更高的頻率以及更加復(fù)雜的簽核(signoff)流程發(fā)展。其中靜態(tài)時(shí)序分析(STA)是數(shù)字芯片設(shè)計(jì)signoff中最關(guān)鍵的環(huán)節(jié)之一。對(duì)于關(guān)鍵路徑的定位，仿真優(yōu)化都是影響芯片性能的重要步驟。同時(shí)，隨著芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜化，技術(shù)節(jié)點(diǎn)向納米量級(jí)發(fā)展，電源傳輸網(wǎng)絡(luò)造成邏輯單元的電壓降分析也變得越來越系統(tǒng)化、精細(xì)化。因此由于電壓降引入的時(shí)序變化也越來越多的需要考量，尤其是關(guān)鍵路徑上的電壓降。
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作者信息：
余金金1，閆志超1，張倩憶2，陳澤發(fā)2
(1.上海燧原科技有限公司，上海200000；2.上海鏗騰電子科技有限公司，上海200000)
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