5月28日消息，據(jù)媒體報道，長鑫存儲計劃針對服務器及PC應用的DDR4發(fā)布產(chǎn)品結束（EOL）通知，預計最晚在2026年上半年正式停止供貨，轉而全力投入DDR5及高帶寬存儲器（HBM）領域。

EOL通知預計在第三季度發(fā)布，但下游企業(yè)反映，目前市場上長鑫DDR4產(chǎn)品已近乎斷供。

此前，三星電子和SK海力士已公布舊制程淘汰時間，但選擇保留1z納米制程的DDR4產(chǎn)能，該制程無需占用EUV產(chǎn)線，未來將維持有限供應。

長鑫存儲最初的市占率僅為2%，預計到2025年底，其單月產(chǎn)能將達到28萬片，未來有望突破30萬片，相當于全球DRAM產(chǎn)量的15%。

隨著產(chǎn)能擴大，長鑫也在快速轉向DDR5，到2025年底，長鑫DDR5產(chǎn)能預計將和LPDDR4、LPDDR5一起，占產(chǎn)能的60%以上。

未來長鑫存儲將不再開發(fā)標準型DDR4產(chǎn)品，僅保留部分產(chǎn)線為兆易創(chuàng)新代工生產(chǎn)，以保障消費市場的DDR4產(chǎn)品供應。

除了DDR5之外，長鑫存儲據(jù)傳還在開發(fā)一種“高端”的HBM解決方案，這很可能指的是 HBM3。