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消息稱Rapidus 2nm工藝2HP邏輯密度可與臺積電N2相當

2025-09-01
來源:網(wǎng)易科技
關鍵詞: Rapidus 2nm 臺積電

9 月 1 日消息,消息人士 Kurnal 表示,根據(jù)日本芯片制造商 Rapidus 分享的其 2nm 尖端節(jié)點 2HP 的數(shù)據(jù),進行擬合計算后得出 Rapidus 2HP 工藝邏輯密度可達 237.31 MTr/mm2,與臺積電同代制程 N2 的 236.17 MTr/mm2 幾無差異。

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▲ 圖源:Kurnal

注: 由于英特爾在 Intel 18A 節(jié)點引入的 BSPDN 背面供電技術對芯片設計的改變,其邏輯密度無法與非 BSPDN 的 2nm 系列制程直接比較。

這一數(shù)據(jù)顯示了 Rapidus 的 2nm 制程在 PPA 三個角度之一 Area(面積)端的良好表現(xiàn),不過其綜合水平尚需 Power(功耗)和 Performance(性能)數(shù)據(jù)出爐方能判定,此外良率和生產(chǎn)效率也在一個先進制程節(jié)點是否能在商業(yè)上取得成功中起到關鍵作用。

Rapidus 已于今年 7 月完成了首塊 2nm GAA 晶圓的試制,目標到 2027 年實現(xiàn) 25000 WPM(每月晶圓數(shù)量)規(guī)模的量產(chǎn)。

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