9月15日消息，據(jù)外媒Wccftech報(bào)道，有市場(chǎng)傳聞稱，英偉達(dá)（NVIDIA）將成為臺(tái)積電A16（1.6nm）制程的首位客戶，如果修消息屬實(shí)，這將是英偉達(dá)重大的策略改變，因?yàn)檫^(guò)去英偉達(dá)大都依賴臺(tái)積電的落乎最先進(jìn)制程兩三代的制程。

過(guò)去蘋果、聯(lián)發(fā)科和高通是最早采用臺(tái)積電最新尖端制程的公司，而英偉達(dá)更專注于架構(gòu)創(chuàng)新來(lái)提升性能。 不過(guò)，這可能將是英偉達(dá)繼之前0.11微米以來(lái)，再度使用臺(tái)積電最先進(jìn)制程A16技術(shù)，預(yù)期將帶來(lái)巨大的性能提升，并延續(xù)摩爾定律。

臺(tái)積電A16 制導(dǎo)入 GAAFET 架構(gòu)及 SPR 背面供電技術(shù)。 在眾多技術(shù)之中，背面供電被視為最重要的突破。 市場(chǎng)預(yù)期，英偉達(dá)邁向A16制程的時(shí)間點(diǎn)，可能將在2027年底或2028年初，因?yàn)榕_(tái)積電規(guī)劃在2026年底開始量產(chǎn)。

依照臺(tái)積電的路線圖，A16制程可能會(huì)率先應(yīng)用在Rubin Ultra或Feynman GPU上，而后者的可能性更高，因?yàn)镕eynman系列還將整合其他多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)展。

對(duì)臺(tái)積電來(lái)說(shuō)也是個(gè)好消息，因?yàn)樽钕冗M(jìn)的制程工藝能夠被更多的大客戶第一時(shí)間采用，將有助于其制程工藝良率的進(jìn)一步優(yōu)化和產(chǎn)能的快速爬坡，并能夠獲得更多的營(yíng)收，提高運(yùn)營(yíng)效率。