10 月 14 日消息，掩膜是半導(dǎo)體光刻 / 圖案化中的關(guān)鍵材料，是芯片上實際電路圖案的母版，因此半導(dǎo)體工藝制程的提升離不開掩膜精度的升級。多重電子束掩膜光刻設(shè)備可實現(xiàn)高吞吐量、高精度的光掩模制造，是芯片生產(chǎn)中的重要工具之一。
日本東芝旗下半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè) NuFlare 當(dāng)?shù)貢r間 9 月 30 日宣布推出支持 A14 (1.4nm) 工藝的新一代多重電子束掩膜光刻設(shè)備 MBM-4000。
MBM-4000 精確控制超過 50 萬束電子束，擁有較適用于 2nm 節(jié)點的上一代設(shè)備 MBM-3000 更小的束流尺寸和更高的電流密度，可實現(xiàn) 1.1nm 的位置精度和 0.3nm 的尺寸精度，滿足目前最先進(jìn)制程的生產(chǎn)要求。
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