10月23日消息，三星電子在SEDEX 2025上宣布，計劃將鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術應用于NAND Flash閃存生產上。這一舉動被解讀為三星為應對人工智能（AI）芯片對更大容量NAND Flash閃存的需求所做的準備。不過，這是一項技術屬于未來技術，實際應用仍需時間。

三星電子DS部門技術長Song Jae-hyuk在SEDEX 2025主題演講時表示，三星目前正致力于技術創(chuàng)新，目標是在晶體管必須堆疊的單位面積內，實現客戶所期望的性能和功率。當中，FinFET技術正是這項創(chuàng)新戰(zhàn)略的核心之一。FinFET是一種3D結構的制程技術，由于其結構類似魚鰭（Fin），因此得名FinFET。其三星導入該技術的主要目的，就是為了克服傳統(tǒng)平面（2D）結構的限制。

目前，FinFET主要應用于邏輯晶圓制造領域。這次三星宣布將FinFET應用于NAND Flash閃存的計劃，是產業(yè)界的首次。而半導體界普遍認為，一旦FinFET應用于NAND Flash閃存，與現有的閃存相較，密集度（Integration density）將大幅提升。而且，在密集度越高的情況下，就能夠在越小的空間內能容納越多的元件，進一步顯著提高性能。

三星指出，高密集度帶來的優(yōu)勢涵蓋多個方面，包括：信號傳輸速度更快、容量更高、功耗降低、芯片尺寸縮小，這也意味著NAND Flash在性能、能效、容量提升的同時，可以更有效地利用空間。