11月3日，在韓國(guó)首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會(huì)上，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠SK 海力士（SK hynix）CEO Kwak Noh-Jung 正式公布了公司“全線AI存儲(chǔ)創(chuàng)造者”（Full Stack AI Memory Creator）的新愿景，以期在迎接下一個(gè)AI時(shí)代之前，SK 海力士能深化其存儲(chǔ)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。

Kwak Noh-Jung 指出，盡管AI 的采用正在加速，導(dǎo)致信息流量爆炸性增長(zhǎng)，但支持這些增長(zhǎng)的硬件技術(shù)，尤其是存儲(chǔ)性能，未能與處理器的進(jìn)步保持同步，形成了所謂的“存儲(chǔ)墻高墻”（Memory Wall）的障礙。為了解決這一難題，存儲(chǔ)芯片不再只是一個(gè)普通元件，而是正在演變成AI 產(chǎn)業(yè)中的核心價(jià)值產(chǎn)品。

對(duì)此，SK 海力士迄今為止一直扮演著“全棧存儲(chǔ)供應(yīng)商”（Full Stack Memory Provider）的角色，專注于及時(shí)提供符合客戶需求的產(chǎn)品。然而，隨著存儲(chǔ)重要性的增加，SK海力士公司認(rèn)為單純的“供應(yīng)商”角色已不足以滿足市場(chǎng)需求。因此，新的目標(biāo)是成為“全線AI存儲(chǔ)創(chuàng)造者”，代表著SK 海力士將做為共同架構(gòu)師、合作伙伴和生態(tài)貢獻(xiàn)者（co-architect，partner，and eco-contributor），在AI 計(jì)算領(lǐng)域超越客戶的期望，通過(guò)在生態(tài)系統(tǒng)中積極合作，共同解決客戶面臨的挑戰(zhàn)。

為了實(shí)現(xiàn)新的愿景，Kwak Noh-Jung 也揭示了SK 海力士最新的產(chǎn)品陣容，包括定制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）。這樣的布局將取代傳統(tǒng)存儲(chǔ)解決方案多半以計(jì)算為中心的情況，改為朝向多元化和擴(kuò)展存儲(chǔ)功能的方向發(fā)展，目標(biāo)是達(dá)成更高效的計(jì)算資源使用，并從結(jié)構(gòu)上解決AI 推理瓶頸。

在客制化HBM (Custom HBM)，SK 海力士強(qiáng)調(diào)，AI 市場(chǎng)正在從商品化擴(kuò)展到推論效率和優(yōu)化。因此，HBM 也從傳統(tǒng)產(chǎn)品演變?yōu)榭椭苹a(chǎn)品?？椭苹疕BM 是將GPU 和ASIC 的特定功能整合到HBM 基座上的產(chǎn)品，以反映客戶需求。這項(xiàng)技術(shù)能夠最大化GPU 和ASIC 的性能，同時(shí)透過(guò)HBM 減少數(shù)據(jù)傳輸功耗，進(jìn)而顯著提高系統(tǒng)效率。

因應(yīng)市場(chǎng)需求，SK 海力士也針對(duì)AI DRAM (AI-D)進(jìn)一步的細(xì)分，準(zhǔn)備提供最適合每個(gè)領(lǐng)域需求的內(nèi)存解決方案。

1. AI-D O（Optimization）的優(yōu)化：這是一種低功耗、高性能的DRAM，目的在降低總體擁有成本（TCO）并提高營(yíng)運(yùn)效率。該解決方案包括MRDIMM（Multiplexed Rank DIMM，多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊）、SOCAMM（小型外形壓縮附著內(nèi)存模塊，用于AI 服務(wù)器的低功耗DRAM 內(nèi)存模塊）以及LPDDR5R（用于移動(dòng)產(chǎn)品，具備可靠性、可用性、可服務(wù)性（RAS）特性的低電壓DRAM）。

2. AI-D B（Breakthrough）的突破，這封面克服「內(nèi)存墻」的解決方案產(chǎn)品。其特點(diǎn)是超高容量?jī)?nèi)存和靈活的內(nèi)存分配。該類別包含CMM（Compute eXpress Link Memory Module，一種高效連接CPU、GPU、內(nèi)存和其他元件的下一代界面）和PIM（Processing-In-Memory，一種將計(jì)算能力整合到內(nèi)存中的下一代技術(shù)，用于解決AI 和大數(shù)據(jù)處理中的數(shù)據(jù)移動(dòng)瓶頸）。

3. AI-D E（Expansion）的擴(kuò)展：目的為擴(kuò)展DRAM 的使用案例，不僅限于數(shù)據(jù)中心，還擴(kuò)展至機(jī)器人、移動(dòng)性（mobility）和工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。該解決方案包含HBM。

除了DRAM 之外，在AI NAND (AI-N) 方面SK 海力士也正在準(zhǔn)備三種下一代儲(chǔ)存解決方案：

1. AI-N P（Performance）提高性能，強(qiáng)調(diào)超高性能。該解決方案目的在有效處理大規(guī)模AI 推理工作執(zhí)行產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)。通過(guò)將儲(chǔ)存與AI 操作之間的瓶頸降至最低，顯著提高了處理速度和能源效率。SK 海力士計(jì)劃設(shè)計(jì)具有新結(jié)構(gòu)的NAND 和控制器，并目標(biāo)在2026年底前發(fā)布樣品。

2. AI-N B（Bandwidth）加大帶寬。通過(guò)垂直堆疊半導(dǎo)體芯粒來(lái)擴(kuò)大帶寬，做為彌補(bǔ)HBM 容量增長(zhǎng)限制的解決方案。其關(guān)鍵在于將HBM 的堆疊結(jié)構(gòu)與高密度且具成本效益的NAND Flash閃存結(jié)合。

3. AI-N D（Density）發(fā)展密度：借由達(dá)成超高容量來(lái)增強(qiáng)成本競(jìng)爭(zhēng)力。這是一種高密度解決方案，適用于以低功耗和低成本儲(chǔ)存大量AI數(shù)據(jù)。SK 海力士的目標(biāo)是將存儲(chǔ)密度從目前基于QLC 的固態(tài)硬盤（SSD）的太字節(jié)（TB）級(jí)別提高到拍字節(jié)（PB）級(jí)別，并實(shí)現(xiàn)一種結(jié)合SSD 速度和HDD 成本效益的中階儲(chǔ)存解決方案。

Kwak Noh-Jung 強(qiáng)調(diào)，在AI 時(shí)代，預(yù)計(jì)那些通過(guò)與客戶和合作伙伴合作，創(chuàng)造更強(qiáng)大協(xié)同效應(yīng)和卓越產(chǎn)品的公司將會(huì)取得成功。而做為與全球領(lǐng)導(dǎo)者合作的一部分，SK 海力士不僅與英偉達(dá)（NVIDIA）在HBM 方面進(jìn)行合作，還利用NVIDIA Omniverse 通過(guò)“晶圓廠數(shù)字孿生”（fab digital twins）技術(shù)來(lái)提升晶圓廠生產(chǎn)力。SK海力士還與OpenAI 進(jìn)行長(zhǎng)期合作，供應(yīng)高性能內(nèi)存。此外，SK 海力士正與臺(tái)積電（TSMC）就下一代HBM所需的邏輯制程基底芯粒（base dies）進(jìn)行密切合作。

此外，在儲(chǔ)存技術(shù)方面，SK海力士還與Sandisk 合作，共同制定HBF（高帶寬閃存）的全球標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)，SK 海力士也與NAVER Cloud 合作，優(yōu)化下一代AI內(nèi)存和儲(chǔ)存產(chǎn)品，使其適用于真實(shí)的數(shù)據(jù)中心環(huán)境。展望未來(lái)，SK 海力士將繼續(xù)優(yōu)先考慮客戶滿意度，與合作伙伴共同克服限制，開(kāi)創(chuàng)未來(lái)。