當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月26日，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（USITC）宣布，已投票決定對(duì)某些NAND和DRAM存儲(chǔ)芯片展開(kāi)調(diào)查。調(diào)查涉及的產(chǎn)品已在委員會(huì)的調(diào)查通知中進(jìn)行了描述。

本次調(diào)查基于位于美國(guó)德克薩斯州艾倫市MonolithIC 3D Inc.于2026年2月17日提交的投訴。該投訴分別于2026年2月25日和2026年3月16日進(jìn)行了補(bǔ)充。經(jīng)補(bǔ)充的投訴指控被告違反了1930年《關(guān)稅法》第337條，在進(jìn)口和銷售某些NAND和DRAM存儲(chǔ)芯片的過(guò)程中侵犯了原告主張的某些專利權(quán)。原告請(qǐng)求美國(guó)ITC發(fā)布有限排除令以及停止侵權(quán)令。

美國(guó)ITC已確定以下人員為本次調(diào)查的受訪對(duì)象：

鎧俠控股株式會(huì)社（KIOXIA Holdings Corporation），日本東京

鎧俠株式會(huì)社（KIOXIA Corporation），日本東京

鎧俠美國(guó)公司（KIOXIA America, Inc.），美國(guó)加利福尼亞州圣何塞

鎧俠工程株式會(huì)社（KIOXIA Engineering Corporation），日本名古屋

鎧俠巖手株式會(huì)社（KIOXIA Iwate Corporation），日本巖手縣

鎧俠系統(tǒng)株式會(huì)社（KIOXIA Systems Co., Ltd.），日本神奈川縣

中國(guó)臺(tái)灣鎧俠半導(dǎo)體股份有限公司（KIOXIA Semiconductor Taiwan Corporation），中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)北市

SK海力士公司（SK hynix Inc.），韓國(guó)京畿道

SK海力士美國(guó)公司（SK hynix America Inc.），美國(guó)加利福尼亞州圣何塞

SK海力士?jī)?nèi)存解決方案美國(guó)公司（SK hynix Memory Solutions America Inc.），美國(guó)加利福尼亞州圣何塞市

通過(guò)啟動(dòng)這項(xiàng)調(diào)查（337-TA-1492），美國(guó)ITC尚未就案件的實(shí)質(zhì)內(nèi)容作出任何決定。

美國(guó)ITC首席行政法官將把此案分配給ITC的一名行政法官（ALJ），由該行政法官安排并舉行證據(jù)聽(tīng)證會(huì)。該行政法官將初步裁定是否存在違反第337條的行為；該初步裁定須經(jīng)委員會(huì)審查。

美國(guó)ITC將在切實(shí)可行的最早時(shí)間內(nèi)對(duì)調(diào)查作出最終裁決。美國(guó)ITC將在啟動(dòng)調(diào)查后45天內(nèi)設(shè)定完成調(diào)查的目標(biāo)日期。根據(jù)《貿(mào)易法》第337條，美國(guó)ITC的補(bǔ)救令自發(fā)布之日起生效，并在發(fā)布后60天成為最終裁決，除非美國(guó)貿(mào)易代表在該60天期限內(nèi)因政策原因予以否決。