1月16日消息，知名投行摩根士丹利（Morgan Stanley）在最新的研究報告中指出，盡管市場對傳統(tǒng)存儲（Old Memory）仍存疑慮，但隨著供需缺口進一步擴大，2025 年第二季至2026 年將迎接新一波超級周期。報告強調，DDR4、DDR3、NOR Flash 以及SLC/MLC NAND 等產品的供給吃緊狀況正持續(xù)加劇，目前完全沒有理由轉向悲觀。

報告指出，由于先進制程的存儲產品（如DDR5或HBM）產能需求強勁，持續(xù)排擠成熟制程的產能分配。第一梯隊的企業(yè)買家在2026年1月份對DDR4的采購態(tài)度轉趨積極，試圖搶占額外的出貨額度。但是在供應受限的情況下，預計第一季DDR4的價格漲幅可能高達50%，且這股漲勢將延續(xù)至第二季。此外，由于產能從DDR3轉向DDR4，導致高密度DDR3產品出現嚴重短缺，進而帶動DDR3供應商的業(yè)績追趕。

至于在閃存芯片領域，供應鏈的調整同樣引發(fā)了顯著的價格波動。報告指出，預計第一季NOR Flash的報價將調升20-30%，且漲價趨勢有機會延續(xù)至2026年下半年。而常規(guī)NAND Flash由于供應量的大幅縮減，第一季MLC與SLC NAND的價格漲幅預期將超過50%。摩根士丹利指出，某家美國主流供應商可能會減少產能，這為中國臺灣供應商提供了切入AI服務器供應鏈的良機。此外，高密度SLC NAND的價格漲勢預計將在2026年第一季跟上。

除了傳統(tǒng)存儲業(yè)務，部分成熟制程存儲供應商正積極轉型，共享高帶寬內存（HBM）與先進封裝技術的成長紅利。報告提到，力積電的P5晶圓廠具備WoW（晶圓堆疊）與混合鍵合（Hybrid Bonding）的充足產能，這在HBM4e標準下將變得至關重要。同時，愛普（AP Memory）有望受惠于主要美國客戶對CoWoS-S技術的需求，其硅電容（IPD）業(yè)務預計在2026年展現強勁成長。

最后，報告基于對2025至2026年獲利成長及股東權益報酬率發(fā)展的預期，大摩全面調升了相關臺系存儲業(yè)者的目標股價。其中，華邦電子被列為該領域的首選標的，其目標價由新臺幣88元大幅上調至130元。其他如力積電目標價由新臺幣41元調升至56元。旺宏由新臺幣48元調升至72.5元。南亞科技由新臺幣198元調升至298元。愛普則由新臺幣475元調升至555元。

總結來說，摩根士丹利認為成熟制程存儲芯片的供應短缺將比市場預期更為持久且劇烈。因此，隨著供給端持續(xù)緊縮與需求端積極拉貨，相關臺系半導體廠在未來兩年的營運展望極具想像空間。