消費(fèi)電子最新文章 消息稱蘋果繼AMD后成為臺(tái)積電SoIC半導(dǎo)體封裝大客戶 簡(jiǎn)要介紹下 CoWoS 和 SoIC 的區(qū)別如下： CoWoS CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）是一種 2.5D 的整合生產(chǎn)技術(shù)，由 CoW 和 oS 組合而來：先將芯片通過 Chip on Wafer（CoW）的封裝制程連接至硅晶圓，再把 CoW 芯片與基板（Substrate）連接，整合成 CoWoS。 SoIC SoIC 于 2018 年 4 月公開，是臺(tái)積電基于 CoWoS 與多晶圓堆疊 (WoW) 封裝技術(shù)，開發(fā)的新一代創(chuàng)新封裝技術(shù)，這標(biāo)志著臺(tái)積電已具備直接為客戶生產(chǎn) 3D IC 的能力。 發(fā)表于：7/4/2024 AMD與英偉達(dá)AI GPU需求推動(dòng)FOPLP發(fā)展 AMD與英偉達(dá)需求推動(dòng)FOPLP發(fā)展，預(yù)估量產(chǎn)時(shí)間落在2027-2028年 發(fā)表于：7/4/2024 消息稱英偉達(dá)H200芯片2024Q3大量交付 7 月 3 日消息，臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》消息，英偉達(dá) H200 上游芯片端于二季度下旬起進(jìn)入量產(chǎn)期，預(yù)計(jì)在三季度以后開始大規(guī)模交付。 據(jù)此前報(bào)道，OpenAI 近日在舊金山舉辦了一場(chǎng)研討會(huì)，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛親自出席，共同宣布交付第一臺(tái) Nvidia DGX H200。 H200 作為 H100 的迭代升級(jí)產(chǎn)品，基于 Hopper 架構(gòu)，首次采用了 HBM3e 高帶寬內(nèi)存技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更大的內(nèi)存容量，對(duì)大型語言模型應(yīng)用表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。 發(fā)表于：7/4/2024 消息稱三星電子將為移動(dòng)處理器引入HPB冷卻技術(shù) 消息稱三星電子將為移動(dòng)處理器引入 HPB 冷卻技術(shù)，有望率先用于 Exynos 2500 7 月 3 日消息，韓媒 The Elec 報(bào)道稱，三星電子 AVP 先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)目標(biāo)在今年四季度完成一項(xiàng)名為 FOWLP-HPB 的移動(dòng)處理器用封裝技術(shù)的開發(fā)和量產(chǎn)準(zhǔn)備。 發(fā)表于：7/4/2024 （更新：三星否認(rèn)）消息稱三星HBM內(nèi)存芯片通過英偉達(dá)測(cè)試 消息稱三星 HBM 內(nèi)存芯片通過英偉達(dá)測(cè)試，將開始大規(guī)模生產(chǎn) 發(fā)表于：7/4/2024 消息稱英特爾將為L(zhǎng)GA1851平臺(tái)提供可選RL-ILM 消息稱英特爾將為 LGA1851 平臺(tái)提供可選 RL-ILM，解決 CPU 頂蓋彎曲問題 發(fā)表于：7/4/2024 消息稱中國公司開始大量訂購英偉達(dá)H20芯片 中國公司開始大量訂購英偉達(dá)H20芯片？ 發(fā)表于：7/4/2024 AMD 創(chuàng) STAC 基準(zhǔn)測(cè)試最快電子交易執(zhí)行速度世界紀(jì)錄 AMD 與全球領(lǐng)先的高級(jí)交易和執(zhí)行系統(tǒng)提供商 Exegy 合作，取得了創(chuàng)世界紀(jì)錄的 STAC-T0 基準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果，實(shí)現(xiàn)了最低 13.9 納秒 ( ns ) 的交易執(zhí)行操作時(shí)延。相比此前的記錄，這一結(jié)果可令 tick-to-trade 時(shí)延至多降低 49%，是迄今為止發(fā)布的最快 STAC-T0 基準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果①。此前的最高速度記錄為 24.2 納秒，同樣來自采用 AMD 加速卡的參考設(shè)計(jì)①。 發(fā)表于：7/3/2024 三星與大唐移動(dòng)專利糾紛達(dá)成和解 三星與大唐移動(dòng)專利糾紛達(dá)成和解 發(fā)表于：7/3/2024 天津諾思與安華高纏斗9年后達(dá)成和解 纏斗9年，天津諾思與安華高達(dá)成和解！ 發(fā)表于：7/3/2024 Intel下代接口LGA1851完整布局曝光 Intel下代接口LGA1851完整布局曝光：PCIe、USB一覽無余 發(fā)表于：7/3/2024 消息稱三星電子正研發(fā)3.3D先進(jìn)封裝技術(shù) 消息稱三星電子正研發(fā)“3.3D先進(jìn)封裝技術(shù)，目標(biāo) 2026 年二季度量產(chǎn) 發(fā)表于：7/3/2024 三星第9代V-NAND金屬布線量產(chǎn)工藝被曝首次使用鉬技術(shù) 三星第9代V-NAND金屬布線量產(chǎn)工藝被曝首次使用鉬技術(shù) 發(fā)表于：7/3/2024 Intel官宣放棄傲騰持久內(nèi)存200系列 傲騰神話終結(jié)！Intel官宣放棄傲騰持久內(nèi)存200系列 發(fā)表于：7/3/2024 傳下半年旗艦手機(jī)SoC全面采用N3E制程 傳下半年旗艦手機(jī)SoC全面采用N3E制程 發(fā)表于：7/3/2024 ?…51525354555657585960…?
