消費(fèi)電子最新文章 消息稱三星電子將為移動(dòng)處理器引入HPB冷卻技術(shù) 消息稱三星電子將為移動(dòng)處理器引入 HPB 冷卻技術(shù)，有望率先用于 Exynos 2500 7 月 3 日消息，韓媒 The Elec 報(bào)道稱，三星電子 AVP 先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)目標(biāo)在今年四季度完成一項(xiàng)名為 FOWLP-HPB 的移動(dòng)處理器用封裝技術(shù)的開發(fā)和量產(chǎn)準(zhǔn)備。 發(fā)表于：7/4/2024 （更新：三星否認(rèn)）消息稱三星HBM內(nèi)存芯片通過英偉達(dá)測(cè)試 消息稱三星 HBM 內(nèi)存芯片通過英偉達(dá)測(cè)試，將開始大規(guī)模生產(chǎn) 發(fā)表于：7/4/2024 消息稱英特爾將為L(zhǎng)GA1851平臺(tái)提供可選RL-ILM 消息稱英特爾將為 LGA1851 平臺(tái)提供可選 RL-ILM，解決 CPU 頂蓋彎曲問題 發(fā)表于：7/4/2024 消息稱中國(guó)公司開始大量訂購(gòu)英偉達(dá)H20芯片 中國(guó)公司開始大量訂購(gòu)英偉達(dá)H20芯片？ 發(fā)表于：7/4/2024 AMD 創(chuàng) STAC 基準(zhǔn)測(cè)試最快電子交易執(zhí)行速度世界紀(jì)錄 AMD 與全球領(lǐng)先的高級(jí)交易和執(zhí)行系統(tǒng)提供商 Exegy 合作，取得了創(chuàng)世界紀(jì)錄的 STAC-T0 基準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果，實(shí)現(xiàn)了最低 13.9 納秒 ( ns ) 的交易執(zhí)行操作時(shí)延。相比此前的記錄，這一結(jié)果可令 tick-to-trade 時(shí)延至多降低 49%，是迄今為止發(fā)布的最快 STAC-T0 基準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果①。此前的最高速度記錄為 24.2 納秒，同樣來自采用 AMD 加速卡的參考設(shè)計(jì)①。 發(fā)表于：7/3/2024 三星與大唐移動(dòng)專利糾紛達(dá)成和解 三星與大唐移動(dòng)專利糾紛達(dá)成和解 發(fā)表于：7/3/2024 天津諾思與安華高纏斗9年后達(dá)成和解 纏斗9年，天津諾思與安華高達(dá)成和解！ 發(fā)表于：7/3/2024 Intel下代接口LGA1851完整布局曝光 Intel下代接口LGA1851完整布局曝光：PCIe、USB一覽無余 發(fā)表于：7/3/2024 消息稱三星電子正研發(fā)3.3D先進(jìn)封裝技術(shù) 消息稱三星電子正研發(fā)“3.3D先進(jìn)封裝技術(shù)，目標(biāo) 2026 年二季度量產(chǎn) 發(fā)表于：7/3/2024 三星第9代V-NAND金屬布線量產(chǎn)工藝被曝首次使用鉬技術(shù) 三星第9代V-NAND金屬布線量產(chǎn)工藝被曝首次使用鉬技術(shù) 發(fā)表于：7/3/2024 Intel官宣放棄傲騰持久內(nèi)存200系列 傲騰神話終結(jié)！Intel官宣放棄傲騰持久內(nèi)存200系列 發(fā)表于：7/3/2024 傳下半年旗艦手機(jī)SoC全面采用N3E制程 傳下半年旗艦手機(jī)SoC全面采用N3E制程 發(fā)表于：7/3/2024 Kimi首發(fā)“上下文緩存”技術(shù) 月之暗面宣布 Kimi 開放平臺(tái)正式公測(cè)新技術(shù)——上下文緩存（Context Caching），該技術(shù)在 API 價(jià)格不變的前提下，可為開發(fā)者降低最高 90% 的長(zhǎng)文本大模型使用成本，并且顯著提升模型的響應(yīng)速度。 發(fā)表于：7/2/2024 Intel Z890主板規(guī)格不再支持DDR4內(nèi)存 7月1日消息，Intel將在今年晚些時(shí)候發(fā)布下一代高性能桌面處理器Arrow Lake-S，改用新的LGA1851封裝，搭配新的800系列芯片組主板，旗艦型號(hào)為Z890。 發(fā)表于：7/2/2024 Intel Arrow Lake P/E大小核布局變了 Intel Arrow Lake P/E大小核布局變了！有兩大好處 發(fā)表于：7/2/2024 ?…949596979899100101102103…?
