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電子元件相關(guān)文章

瑞薩推出RA4L1 MCU，超低功耗、集成電容式觸控、段碼LCD和強大安全功能

　　2025 年 2 月 19 日，中國北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出RA4L1微控制器（MCU）產(chǎn)品群，包含14款集成超低功耗、先進安全功能和段碼LCD支持的全新產(chǎn)品?；谥С諸rustZone的80MHz Arm Cortex-M33處理器，新款MCU在性能、功能和節(jié)能方面達到了行業(yè)先進水平，為水表、智能鎖、物聯(lián)網(wǎng)傳感器應(yīng)用等領(lǐng)域的設(shè)計人員提供更加卓越的解決方案選擇。

發(fā)表于：2/19/2025

村田制作所正在評估將部分生產(chǎn)線轉(zhuǎn)移至印度的可能性

2 月 19 日消息，彭博社今天（2 月 19 日）發(fā)布博文，報道稱全球電子元件巨頭村田制作所（Murata Manufacturing Co.）正在評估將部分生產(chǎn)線轉(zhuǎn)移至印度的可能性，這標志著全球供應(yīng)鏈正在經(jīng)歷一場深刻的變革。

發(fā)表于：2/19/2025

【回顧與展望】Molex：看好汽車對高速連接器需求持續(xù)增長

2024年，半導(dǎo)體市場在汽車電子、AI、消費電子和工業(yè)自動化等領(lǐng)域的推動下，實現(xiàn)了顯著復(fù)蘇和快速增長，市場競爭激烈……在2025年，半導(dǎo)體市場能否繼續(xù)保持增長態(tài)勢，汽車半導(dǎo)體、工業(yè)自動化等哪些細分領(lǐng)域更值得期待？日前，Molex莫仕中國銷售副總裁Roc Yang對本站記者介紹了Molex對于2025年的展望和公司的未來發(fā)展戰(zhàn)略。

發(fā)表于：2/13/2025

貿(mào)澤電子2024年新增逾60家供應(yīng)商持續(xù)為客戶擴大產(chǎn)品代理陣容

專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 于2024年新增超過60家供應(yīng)商，產(chǎn)品代理陣容持續(xù)擴大，為廣大電子設(shè)計工程師與采購人員提供了更加多元化的選擇。貿(mào)澤為客戶提供各類先進產(chǎn)品，讓設(shè)計人員輕松獲得各項新技術(shù)，協(xié)助其加快產(chǎn)品上市速度。

發(fā)表于：2/10/2025

憶阻器測試專題

憶阻器（Memristor，Memory Resistor）是繼電阻、電感和電容之后發(fā)現(xiàn)的第四種基本電路元件，由美國科學(xué)家Leon Chua（蔡少棠教授）在1971年首次提出概念，并于2008年由惠普實驗室實現(xiàn)了物理器件。憶阻器具有非易失性存儲特性，其電阻值會根據(jù)其流過的電流大小和方向發(fā)生變化，并能記住其斷電前的狀態(tài)。這種特性使憶阻器在存儲器、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模擬、邏輯電路等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

發(fā)表于：2/8/2025

思特威推出5MP車規(guī)級CMOS圖像傳感器SC530AT

　　2025年2月6日，中國上海 — 思特威（上海）電子科技股份有限公司（股票簡稱：思特威，股票代碼：688213）近日宣布，推出5MP車規(guī)級圖像傳感器——SC530AT。作為思特威Automotive Sensor(AT)Series系列新品，SC530AT基于CarSens®-RS工藝技術(shù)打造，集高感度、高動態(tài)范圍、低噪聲等性能優(yōu)勢于一身，為乘客檢測、兒童遺忘提醒(CPD)、寵物和遺留物體檢測等乘員監(jiān)控系統(tǒng)(OMS)應(yīng)用和車內(nèi)拍照/視頻會議等車載信息娛樂系統(tǒng)應(yīng)用帶來清晰、精準、可靠的影像。此外，SC530AT符合AEC-Q100 Grade 2認證標準，以高性能和高可靠性，進一步助力艙內(nèi)監(jiān)控和信息娛樂應(yīng)用的升級和發(fā)展。

發(fā)表于：2/7/2025

Vishay最新推出可滿足嚴苛要求的高精度60mm感應(yīng)式位置傳感器

　　美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2025年2月6日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款適用于工業(yè)等應(yīng)用于嚴苛要求的基于感應(yīng)技術(shù)的新型高精度位置傳感器---RAIK060。與基于磁技術(shù)的解決方案相比，Vishay MCB RAIK060絕對值編碼器套件的厚度更薄，為5 mm，重量更輕，為15.5 g，轉(zhuǎn)速更高，達10000 rpm，而且延遲時間更短至≤ 5 μs。此外，器件對磁環(huán)境不敏感，因此可以在靠近電機的地方使用。

發(fā)表于：2/7/2025

三星電機發(fā)布全球首款用于激光雷達的超小型高容量MLCC

2 月 7 日消息，三星電機（Samsung Electro-Mechanics）于 2 月 5 日發(fā)布公告，宣布推出全球首款應(yīng)用于自動駕駛激光雷達的 1005 尺寸超小型高容量多層陶瓷電容器（MLCC），型號為 CL05Y225KP66PN。

發(fā)表于：2/7/2025

憶阻器測試方案設(shè)計及選擇

憶阻器測試方案設(shè)計及選擇介紹如下：測試方案設(shè)計直流特性測試：通過施加不同極性和大小的電壓（電流）激勵，觀察憶阻器電阻的變化，其直流I-V特性曲線能直接反映設(shè)備在不同電壓（電流）激勵下的電阻值變化，是研究憶阻器電學(xué)特性的重要手段。通過該測試曲線，可初步研究憶阻器的電阻切換特性及閾值電壓/電流特性，并觀察其I-V、R-V等特征曲線。

發(fā)表于：2/6/2025

憶阻器完整測試所需儀器介紹

進行憶阻器完整測試通常需要以下儀器：

發(fā)表于：2/6/2025

憶阻器的重要參數(shù)介紹

憶阻器（Memristor）的重要參數(shù)主要包括以下幾個方面：

發(fā)表于：2/6/2025

憶阻器的概念

憶阻器最早由阻變存儲器，即RRAM實驗驗證，因此經(jīng)常以RRAM作為憶阻器的代表。

發(fā)表于：2/6/2025

2025年MLCC供應(yīng)過剩格局難以扭轉(zhuǎn)

2025年MLCC供應(yīng)過剩格局難以扭轉(zhuǎn)，AI基建成需求主力

發(fā)表于：1/17/2025

英諾賽科起訴英飛凌專利侵權(quán)

1月16日晚間，國產(chǎn)氮化鎵大廠英諾賽科發(fā)布公告稱，本公司及本公司之全資附屬公司英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司（后者簡稱“英諾蘇州”，二者統(tǒng)稱“原告”）已向中國江蘇省蘇州市中級人民法院起訴英飛凌科技（中國）有限公司（以下稱“被告一”）、英飛凌科技（無錫）有限公司（以下稱“被告二”）及蘇州芯沃科電子科技有限公司（以下稱“被告三”），就202311774650.7號專利提交起訴狀《（2024）蘇05民初1430號》，及就202211387983.X號專利提交起訴狀《（2024）蘇05民初1431號》（統(tǒng)稱“起訴狀”）。

發(fā)表于：1/17/2025

大聯(lián)大品佳集團推出基于Infineon產(chǎn)品的Aurix StartKit方案

　　2025年1月7日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）TC4D9微控制器和TLF4D985 PMIC產(chǎn)品的Aurix StartKit方案。

發(fā)表于：1/9/2025

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