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物聯(lián)網(wǎng)最新文章

我國碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進展

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點。SiC器件具有極高的耐壓水平和能量密度，可有效降低能量轉(zhuǎn)化損耗和裝置的體積重量，滿足電力傳輸、機車索引、新能源汽車、現(xiàn)代國防武器裝備等重大戰(zhàn)略領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?、大功率電力電子器件的迫切需求，被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。但長期以來，我國SiC器件的研制生產(chǎn)主要依賴進口。SiC器件關(guān)鍵裝備的成功研發(fā)對加快解決全產(chǎn)業(yè)鏈的自主保障、降低生產(chǎn)線建設與運營成本、促進產(chǎn)業(yè)技術(shù)進步和快速發(fā)展壯大等方面具有重大的推動作用。

發(fā)表于：2018/9/27

Molex推出新型高性能節(jié)能串燈

Molex發(fā)布全新Woodhead LED串燈，這是一款為工業(yè)和電氣應用設計的高性能節(jié)能產(chǎn)品。Woodhead LED串燈不僅降低了運營成本，還降低了對基礎設施和后期維護的要求。集成的燈具引擎使得這一體化解決方案可以搭建整個系統(tǒng)而無需采購額外的產(chǎn)品，比如單獨采購的保護罩或更換的燈珠。

發(fā)表于：2018/9/27

如何用碳化硅(SiC)MOSFET設計一個高性能門極驅(qū)動電路

對于高壓開關(guān)電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。

發(fā)表于：2018/9/27

集邦咨詢：供過于求加上旺季不旺，DRAM第四季合約價跌幅恐擴大至5%

根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，時序進入9月下旬，正值各家廠商議定第四季合約價的關(guān)鍵時機，但受到位元產(chǎn)出持續(xù)增加，以及旺季需求并未明顯增溫的影響，價格走弱的態(tài)勢更為明顯，DRAM第四季合約價跌幅將由原先預估的季跌1~3%，擴大至約5%

發(fā)表于：2018/9/27

國內(nèi)首條全碳化硅智能功率模塊生產(chǎn)線在廈投產(chǎn)

　廈門中小平臺消息，國內(nèi)首條全碳化硅智能功率模塊生產(chǎn)線將在廈門正式投產(chǎn)，標志著我國在碳化硅芯片這個新興行業(yè)又實現(xiàn)了一次重要突破。值得一提的是，這一中國半導體行業(yè)健康發(fā)展的新亮點是“廈門制造”，由廈門市火炬高新區(qū)企業(yè)廈門芯光潤澤科技有限公司研發(fā)。

發(fā)表于：2018/9/27

半導體代際迅速發(fā)展，羅姆：爭取2022年普及碳化硅

科技是人類一大進步的基石，自從第一次工業(yè)革命開始后，人類發(fā)展的速度突飛猛進。越來越多科技產(chǎn)品的出現(xiàn)便利了人們的生活，現(xiàn)如今人們離不開電子產(chǎn)品等時代的產(chǎn)物了。

發(fā)表于：2018/9/27

SiC器件的優(yōu)點被熟知近60年為什么還未普及？

如果硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代半導體材料奠定了微電子產(chǎn)業(yè)的基礎，砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)為代表的第二代半導體材料奠定了信息產(chǎn)業(yè)的基礎，那么以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料將是提升新一代信息技術(shù)核心競爭力的重要支撐。憑借禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大等特性，SiC器件備受期待，但工藝和成本成為其普及的障礙。不過，在可以預見的未來，我們將看到SiC對電動汽車行業(yè)產(chǎn)生的革命性影響，電動汽車也將引領(lǐng)SiC器件的普及。

發(fā)表于：2018/9/27

對SiC-MOSFET和IGBT的區(qū)別

眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實，它被認為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點之一，因為在出現(xiàn)基于Si材料的IGBT和MOSFET器件的同時，沒有出現(xiàn)基于SiC的類似器件。

發(fā)表于：2018/9/27

Akamai《互聯(lián)網(wǎng)安全狀況報告：撞庫攻擊》顯示金融服務行業(yè)持續(xù)受到自動賬戶盜用工具的攻擊

負責提供安全數(shù)字化體驗的智能邊緣平臺阿卡邁技術(shù)公司（Akamai Technologies, Inc.，以下簡稱：Akamai）（NASDAQ：AKAM）今日發(fā)布的《2018年互聯(lián)網(wǎng)安全狀況報告：撞庫攻擊》顯示，全球惡意登錄嘗試次數(shù)不斷增加。該報告研究發(fā)現(xiàn)，在2018年1月到4月間，Akamai每月大約檢測到32億次惡意登錄，此外，2018年5月和6月的爬蟲程序惡意登錄次數(shù)超過83億次，月平均增長率達到30%?？傮w而言，從2017年11月初到2018年6月末，Akamai的研究分析結(jié)果顯示，惡意登錄嘗試在8個月內(nèi)超過300億次。

發(fā)表于：2018/9/27

5分鐘帶你了解什么是SiC！

在TechWeb的“基礎知識”里新添加了關(guān)于“功率元器件”的記述。近年來，使用“功率元器件”或“功率半導體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。這是因為，為了應對全球共通的“節(jié)能化”和“小型化”課題，需要高效率高性能的功率元器件。

發(fā)表于：2018/9/27

一文看懂SiC材料特性、功率器件、產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)及國內(nèi)外市場規(guī)模

21世紀，是信息技術(shù)大爆發(fā)的時代，在信息技術(shù)快速發(fā)展過程中，必然離不開半導體材料的迅猛發(fā)展。半導體材料、器件的發(fā)展必將引發(fā)一場全新的產(chǎn)業(yè)技術(shù)革命。

發(fā)表于：2018/9/27

益萊儲最新任命Tom Reslewic為全球CEO

全球測試測量服務領(lǐng)導者益萊儲（Electro Rent）最新宣布任命Tom Reslewic為公司新的全球CEO，該任命將于10月1日生效，他將在位于加州西山的益萊儲公司總部工作。

發(fā)表于：2018/9/27

SiC MOSFET晶體管會是下一個器件領(lǐng)跑者？

在經(jīng)過多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來了春天。

發(fā)表于：2018/9/27

德州儀器(TI)推出業(yè)界首款200W和100W USB Type-C?和USB電力輸送控制器，具有完全集成的電源路徑

德州儀器（TI）近日推出了兩款新型USB Type-C?和USB電力輸送（PD）控制器，具有完全集成的電源路徑，可簡化設計，最大限度減小解決方案尺寸并加快產(chǎn)品上市速度。TPS65987D和TPS65988為系統(tǒng)設計人員提供了業(yè)界最高集成度，可降低設計復雜性和總成本。如需了解更多信息，敬請訪問http://www.ti.com.cn/TPS65987D-pr-cn和 http://www.ti.com.cn/TPS65988-pr-cn。

發(fā)表于：2018/9/27

TI HDC2080數(shù)字溫濕傳感器在貿(mào)澤開售，讓智能設備精度更高、功耗更低

　　專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷Texas Instruments (TI) 的HDC2080溫濕度數(shù)字傳感器。此款傳感器尺寸小巧，精度高且功耗低，是各種物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 和環(huán)境監(jiān)視應用的理想之選。

發(fā)表于：2018/9/27