頭條 “網(wǎng)絡安全”再次成為眾多兩會代表提案的關鍵詞 今年的兩會已落下帷幕，“沒有網(wǎng)絡安全就沒有國家安全”，“網(wǎng)絡安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關鍵詞。隨著網(wǎng)絡的飛速發(fā)展，網(wǎng)絡信息安全問題已對國家、社會及個人造成巨大威脅。 下面就一起看看對于解決所面臨的網(wǎng)絡安全問題，代表委員們都有哪些好的建議。 最新資訊 Littelfuse推出采用SMPD-X封裝的200 V、480 A超級結MOSFET 伊利諾伊州羅斯蒙特，2025年12月9日 -- Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。 發(fā)表于：12/9/2025 藍牙核心規(guī)范6.2正式發(fā)布 北京，2025年12月9日——藍牙技術聯(lián)盟（Bluetooth SIG）近日宣布正式發(fā)布藍牙?核心規(guī)范 6.2（Bluetooth® Core 6.2）。作為一年兩次的規(guī)范更新之一，本次更新新增多項關鍵功能，旨在提升設備響應速度、增強安全性，并加強通信與測試能力。 發(fā)表于：12/9/2025 聯(lián)電獲imec 300mm硅光子學平臺授權 12 月 9 日消息，聯(lián)華電子（UMC、聯(lián)電）昨日宣布其獲得了 imec 的 300mm（12 英寸）硅光子學平臺 ISiPP300 的技術授權。這一工藝支持 CPO（共封裝光學）應用，將加速聯(lián)電硅光子技術的發(fā)展。 發(fā)表于：12/9/2025 日本DNP開發(fā)出1.4nm級NIL納米壓印圖案化模板 12 月 9 日消息，日本 DNP（大日本印刷）當?shù)貢r間今日宣布成功開發(fā)出線寬僅 10nm 的 NIL 納米壓印圖案化模板，支持 1.4nm 級邏輯半導體以及 NAND 閃存的制造。 發(fā)表于：12/9/2025 美國新建數(shù)據(jù)中心進程遭環(huán)保組織阻攔 12 月 9 日消息，隨著數(shù)據(jù)中心能源需求激增，美國一些環(huán)保組織呼吁暫停審批和新建數(shù)據(jù)中心。 發(fā)表于：12/9/2025 荷蘭經(jīng)濟大臣就安世半導體接受質詢承認明搶 據(jù)新華社此前報道，11月19日，荷蘭經(jīng)濟大臣卡雷曼斯發(fā)表聲明，宣布暫停針對安世半導體的行政令。而這一暫停舉措并未平息外界對其前期處置行為的爭議，時隔半月，卡雷曼斯便因該事件在議會接受質詢。 發(fā)表于：12/9/2025 每年發(fā)射100萬噸AI衛(wèi)星 SpaceX最新計劃曝光 12月8日消息，馬斯克近日在社交平臺X上闡述了其大規(guī)模部署太空AI衛(wèi)星的構想，計劃每年向太空發(fā)射總量達100萬噸的衛(wèi)星，以實現(xiàn)每年在太空部署100吉瓦人工智能運算能力的目標。 發(fā)表于：12/9/2025 imec在HBM與GPU進行3D堆疊散熱方面獲得突破 12月9日消息，在近日舉行的2025 年IEEE 國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發(fā)布了首篇針對3D 高帶寬內(nèi)存（HBM）與圖形處理器（GPU）堆疊元件（HBM-on-GPU）的系統(tǒng)技術協(xié)同優(yōu)化（STCO）熱學研究。通過完整熱模擬研究，識別了散熱瓶頸，并提出策略來提升該架構散熱可行性。 發(fā)表于：12/9/2025 英特爾布局印度半導體制造與封裝市場 12月9日消息，據(jù)《印度經(jīng)濟時報》報導，印度塔塔電子（Tata Electronics）與英特爾（Intel）近日簽署了一項合作備忘錄，雙方同意深化在印度半導體和系統(tǒng)制造領域的合作。這項合作鞏固了英特爾做為塔塔電子新成立的半導體制造（fab）和組裝測試（OSAT）設施的首批潛在客戶的地位，塔塔電子的半導體制造和組裝測試設施預計設置在印度的古吉拉特邦和阿薩姆邦等地。 發(fā)表于：12/9/2025 傳北方華創(chuàng)90:1深孔刻蝕設備取得突破 12月8日消息，據(jù)最新曝光的一份瑞銀報告稱，中國半導體設備大廠北方華創(chuàng)（NAURA）90:1高縱橫比蝕刻方面可能取得了重大進展，這類刻蝕設備將可助力300層以上的NAND Flash閃存的生產(chǎn)。 發(fā)表于：12/9/2025 ?12345678910…?
