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業(yè)界動態(tài)

英飛凌攜手Enphase通過600 V CoolMOS? 8提升能效并降低 MOSFET相關成本

【2025年3月27日, 德國慕尼黑訊】Enphase Energy采用全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的 600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，簡化了系統(tǒng)設計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術(shù)公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統(tǒng)的領先供應商。

發(fā)表于：3/27/2025 3:14:46 PM

華為吳輝：跨越數(shù)智鴻溝，共創(chuàng)AI新時代

3月20日，華為中國合作伙伴大會2025在深圳隆重舉行。大會以“因聚而生，眾智有為”為主題，旨在凝聚華為和伙伴們的智慧，強健“伙伴+華為”合作伙伴體系，一起抓住智能化的巨大機遇，加速客戶智能化進程，與伙伴攜手共贏智能未來。

發(fā)表于：3/27/2025 2:39:12 PM

2024年度中國科學十大進展發(fā)布

3月27日消息，今日，國家自然科學基金委員會發(fā)布了2024年度“中國科學十大進展”。

發(fā)表于：3/27/2025 1:01:08 PM

消息稱英偉達H20芯片遭中國限購

一夜蒸發(fā)1.2萬億：消息稱英偉達H20芯片遭中國限購華為等國產(chǎn)替代崛起

發(fā)表于：3/27/2025 11:15:29 AM

SEMI：2025年全球晶圓廠設備投資將增至1100億美元

3月26日消息，國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）發(fā)布報告稱，預計2025年全球晶圓廠設備支出將同比增長2%，達到1,100億美元。預計2026年全球晶圓廠設備支出有望同比大幅增長18%，達到1,300億美元。 SEMI認為，隨著人工智能（AI）需求不斷增長，推動了數(shù)據(jù)中心的持續(xù)擴張，以及邊緣設備對于AI的部署，提升了對于云端及邊緣AI芯片和存儲芯片的需求，帶動了晶圓廠設備支出增長。

發(fā)表于：3/27/2025 11:03:00 AM

2025年1-2月日本半導體設備銷售額同比大漲31%

3月27日，日本半導體制造裝置協(xié)會（SEAJ）公布統(tǒng)計數(shù)據(jù)指出，2025年2月份日本制半導體制造設備銷售額（3個月移動平均值、包含出口）為4,120.65億日元，同比大漲29.8%，連續(xù)第14個月呈現(xiàn)增長，增幅連續(xù)11個月達2位數(shù)百分比（10%以上）水準，月銷售額連續(xù)第16個月突破3,000億日元，連續(xù)4個月高于4,000億日元，僅低于2024年12月的4,433.64億日元和2025年1月的4,167.90億日元，創(chuàng)1986年開始進行統(tǒng)計以來歷史第3高紀錄。

發(fā)表于：3/27/2025 10:56:39 AM

消息稱英偉達考慮找英特爾代工游戲GPU

3 月 26 日消息，據(jù) GuruFocus 報道，英偉達正在考慮使用英特爾代工服務來制造面向游戲玩家的 GPU。瑞銀分析師蒂莫西?阿庫里（Timothy Arcuri）表示，如果英特爾贏得英偉達的訂單，這將是英特爾代工服務的重大勝利，甚至可能成為其業(yè)務的轉(zhuǎn)折點。

發(fā)表于：3/27/2025 10:50:05 AM

臺積電SoIC產(chǎn)能將倍增

3月26日消息，據(jù)最新的業(yè)內(nèi)傳聞顯示，英偉達（NVIDIA）下一代Rubin GPU將采用臺積電的SoIC（System-on-Integrated Chip）封裝技術(shù)，這也也將是該公司首款采用Chiplet設計的GPU。市場期待，臺積電SoIC有望取代CoWoS成為市場新焦點，預期需求將大幅成長。

發(fā)表于：3/27/2025 10:41:51 AM

薄晶圓工藝興起

從平面SoC向3D-IC和先進封裝的轉(zhuǎn)變，需要更薄的晶圓，以提高性能、降低功耗，縮短信號傳輸所需的距離以及驅(qū)動信號所需的能量。對超薄晶圓有需求的市場正在不斷擴大。一個由12個DRAM芯片和一個基礎邏輯芯片組成的HBM模塊的總厚度，仍小于一片原生硅晶圓的厚度。在為人工智能應用組裝扇出型晶圓級封裝以及先進的2.5D和3D封裝方面，薄晶圓也起著關鍵作用，而這些人工智能應用的增長速度比主流IC要快得多。再加上行業(yè)對輕薄手機、可穿戴設備和醫(yī)療電子產(chǎn)品的需求，似乎如果沒有可靠地加工薄硅晶圓的能力，現(xiàn)代微電子將難以實現(xiàn)。

發(fā)表于：3/27/2025 10:34:33 AM

中微公司在等離子體刻蝕技術(shù)領域?qū)崿F(xiàn)重大突破

3 月 26 日消息，近日，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）宣布通過不斷提升反應臺之間氣體控制的精度，ICP 雙反應臺刻蝕機 Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反應臺之間的刻蝕精度已達到 0.2A（亞埃級）。

發(fā)表于：3/27/2025 10:27:39 AM