業(yè)界動態(tài) 英飛凌推出PSOC? Control MCU系列 【2024年8月13日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）近日推出全新PSOC? Control微控制器（MCU）系列。該系列適用于新一代工業(yè)和消費電機控制以及功率轉換系統(tǒng)應用，包括家用電器、電動工具、可再生能源產品、工業(yè)驅動器，以及照明和計算/通信電源等。 發(fā)表于：8/13/2024 2:35:00 PM 艾邁斯歐司朗成立中國發(fā)展中心，推動區(qū)域業(yè)務拓展 中國 上海，2024年8月12日——全球領先的光學解決方案供應商艾邁斯歐司朗（瑞士證券交易所股票代碼：AMS）今日宣布，已正式啟動中國研發(fā)中心（China Development Center，以下簡稱CDC），旨在推動大中華區(qū)的業(yè)務增長和技術創(chuàng)新。 發(fā)表于：8/13/2024 2:25:00 PM 上半年國內乘用車座艙芯片交付榜公布 8月13日消息，根據高工智能汽車研究院最新發(fā)布的《2024上半年中國市場乘用車座艙芯片交付量TOP10》榜單。 華為海思作為本土品牌，在激烈的市場競爭中表現出色，成功躋身前十，交付量達到225898輛，市場份額為1.42%。 發(fā)表于：8/13/2024 1:25:45 PM 復旦團隊國際首次驗證超快閃存集成工藝 8 月 13 日消息，據復旦大學官方今日消息，人工智能的飛速發(fā)展迫切需要高速非易失存儲技術。當前主流非易失閃存的編程速度在百微秒級，無法支撐應用需求。復旦大學周鵬-劉春森團隊前期研究表明二維半導體結構能夠將速度提升一千倍以上，實現顛覆性的納秒級超快存儲閃存。然而，如何實現規(guī)模集成、走向實際應用極具挑戰(zhàn)。 從界面工程出發(fā)，復旦大學團隊在國際上首次驗證了 1Kb 超快閃存陣列集成驗證，并證明了超快特性可延伸至亞 10 納米尺度。北京時間 8 月 12 日下午 5 點，相關成果以《二維超快閃存的規(guī)模集成工藝》（“A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory”）為題發(fā)表于國際頂尖期刊《自然-電子學》（Nature Electronics），DOI: 10.1038 / s41928-024-01229-6。 發(fā)表于：8/13/2024 1:03:07 PM 把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導體制造的最大創(chuàng)新 把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導體制造的最大創(chuàng)新 發(fā)表于：8/13/2024 11:49:00 AM 網信辦：我國備案上線可提供服務生成式AI大模型達190多個 網信辦：我國備案上線可提供服務生成式AI大模型達190多個8月12日，新華社對中央網信辦主任莊榮文的訪談文章引起了業(yè)界的廣泛關注，特別是莊榮文對積極推動生成式人工智能發(fā)展和管理方面的問答。 莊榮文有提到，近年來，生成式人工智能快速發(fā)展，新技術不斷突破，新業(yè)態(tài)持續(xù)涌現，為經濟社會發(fā)展注入了強勁動能。 發(fā)表于：8/13/2024 11:31:51 AM 傳臺積電將在高雄建設1.4nm晶圓廠 因應全球芯片訂單及AI快速發(fā)展，臺積電持續(xù)尋覓可用廠區(qū)土地，將最先進制程技術留在臺灣發(fā)展。高雄楠梓園區(qū)除3座2納米技術晶圓廠外，還有基地可容納2納米以下技術設廠需求。據悉，高雄市府已超前部署，鎖定A14（14埃米）制程，盤點次世代先進技術生產土地及水電供給，作為臺積電堅強后盾。 針對臺積電將于高雄擴大埃米制程布局，公司低調表示不回應市場傳言。 發(fā)表于：8/13/2024 10:59:32 AM 禾賽科技被移除出美國防部黑名單 中國激光雷達企業(yè)被移除出美國防部黑名單 發(fā)表于：8/13/2024 10:50:33 AM 消息稱三星電子確認平澤P4工廠1c nm DRAM內存產線投資 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃，該產線目標明年 6 月投入運營。 平澤 P4 是一座綜合性半導體生產中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備，但擱置了二期建設。 而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產品目前均尚未正式發(fā)布。韓媒在報道中稱，三星電子計劃在今年底啟動 1c nm 內存生產。 發(fā)表于：8/13/2024 10:39:10 AM 美光加碼投資臺灣建立第二研發(fā)中心 美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進一步合作，例如在人工智能（AI）應用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進制程外，不排除有機會在中國臺灣創(chuàng)建第二個研發(fā)中心。 發(fā)表于：8/13/2024 10:30:52 AM ?…444445446447448449450451452453…?
