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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

【2025年9月25日，德國(guó)慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。

DC/DC應(yīng)用中常見(jiàn)的問(wèn)題與分析

目前隨著我國(guó)電子工業(yè)的不斷發(fā)展，開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用也越來(lái)越受到該產(chǎn)產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域中技術(shù)人員的重視，產(chǎn)品包括AC/DC，DC/DC及DC/AC等，其中多以PWM模式為主。在實(shí)際使用中常會(huì)碰到一些技術(shù)性問(wèn)題，如干擾、電壓不穩(wěn)、可靠性較差等。以下以應(yīng)用在一般通訊接口、儀器儀表上的小功率DC/DC為例探討一下在實(shí)際應(yīng)用中DC/DC常遇到的問(wèn)題與解決方法。

發(fā)表于：4/13/2012

低成本DC/DC轉(zhuǎn)換器34063的應(yīng)用

34063由于價(jià)格便宜，開(kāi)關(guān)峰值電流達(dá)1.5A，電路簡(jiǎn)單且效率滿足一般要求，所以得到廣泛使用。在ADSL應(yīng)用中，34063的開(kāi)關(guān)頻率對(duì)傳輸速率有很大影響，在器件選擇及PCB設(shè)計(jì)時(shí)需要仔細(xì)考慮。

發(fā)表于：4/13/2012

空間受限的高密度DC/DC電源設(shè)計(jì)

總體說(shuō)來(lái)，大功率密度的設(shè)計(jì)難點(diǎn)可以通過(guò)創(chuàng)新的集成電路和封裝技術(shù)得到有效的解決。LTM4600 微型模塊集合了這些創(chuàng)新技術(shù)，可以解決大功率密度設(shè)計(jì)中的問(wèn)題。模塊化的趨勢(shì)將繼續(xù)流行，因?yàn)樗诮鉀Q先進(jìn)電源設(shè)計(jì)中經(jīng)常出現(xiàn)的空間和熱量問(wèn)題方面非常有效。

發(fā)表于：4/13/2012

大功率變頻可調(diào)電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

正弦脈寬調(diào)制和變頻調(diào)速技術(shù)在工業(yè)控制領(lǐng)域的應(yīng)用日見(jiàn)廣泛。許多電力測(cè)試儀器都要求大功率、高性能以滿足電力設(shè)備的測(cè)試要求。目前，市場(chǎng)上的大功率開(kāi)關(guān)電源，其核心功率器件大都采用MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極型功率晶體管，它們都不能滿足小型、高頻、高效率的要求。

發(fā)表于：4/13/2012

用智能MOSFET提升醫(yī)療設(shè)計(jì)可靠性及性能

下文將介紹負(fù)載開(kāi)關(guān)的技術(shù)和其存在于當(dāng)前電源架構(gòu)中的塬因。它的應(yīng)用案例將在實(shí)驗(yàn)室範(fàn)圍呈現(xiàn)。我們將討論小于6V的應(yīng)用，可充電的可攜式醫(yī)療應(yīng)用應(yīng)該可以從中受益。

發(fā)表于：4/13/2012

隔離式3.3V轉(zhuǎn)5V轉(zhuǎn)換器的分立設(shè)計(jì)

隔離式3.3V到5V轉(zhuǎn)換器通常用于遠(yuǎn)距離數(shù)據(jù)傳輸網(wǎng)絡(luò)，這種網(wǎng)絡(luò)中總線節(jié)點(diǎn)控制器由一個(gè)3.3V電源工作以節(jié)省電量，而總線電壓為5V,以保證在遠(yuǎn)距離傳輸過(guò)程中的信號(hào)完整性并提供高驅(qū)動(dòng)能力。盡管市場(chǎng)上已經(jīng)有了3.3V到5V轉(zhuǎn)換的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器組件，但集成的3.3V到5V轉(zhuǎn)換器仍然很難找到。即使找到，這些特定的轉(zhuǎn)換器(特別是那些具有穩(wěn)定輸出的轉(zhuǎn)換器)通常都有較長(zhǎng)的產(chǎn)品交付時(shí)間、價(jià)格相對(duì)昂貴并且一般都有一定的隔離電壓限制。

發(fā)表于：4/13/2012

飛兆半導(dǎo)體與英飛凌科技就創(chuàng)新型汽車MOSFET H-PSOF TO無(wú)鉛封裝技術(shù)達(dá)成許可協(xié)議

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進(jìn)汽車MOSFET封裝技術(shù)達(dá)成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO無(wú)鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。

發(fā)表于：4/12/2012

凌力爾特推出2.5V至36V、兩個(gè)輸入的電壓監(jiān)視器LTC2960

加利福尼亞州米爾皮塔斯(MILPITAS,CA)–2012年4月10日–凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出2.5V至36V、兩個(gè)輸入的電壓監(jiān)視器LTC2960.

發(fā)表于：4/12/2012

4～20mA電流輸出型接口處理方法

電流輸出型變送器的輸出范圍常用的有0～20mA及4～20mA兩種，電流變送器輸出最小電流及最大電流時(shí)，分別代表電流變送器所標(biāo)定的最小及最大額定輸出值。

發(fā)表于：4/12/2012

日企談EV非接觸充電標(biāo)準(zhǔn)化：頻率是關(guān)鍵

采用無(wú)線供電技術(shù)為電動(dòng)汽車（EV）充電的非接觸充電技術(shù)開(kāi)發(fā)正在推進(jìn)之中。在開(kāi)發(fā)技術(shù)的同時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)化事宜也被提上了日程。日本汽車技術(shù)協(xié)會(huì)（JSAE）無(wú)線供電系統(tǒng)技術(shù)部門(mén)委員會(huì)就在日本推進(jìn)對(duì)EV充電無(wú)線供電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化的探討。日前，記者采訪了該委員會(huì)的干事橫井行雄。

發(fā)表于：4/12/2012