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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

【2025年9月25日，德國(guó)慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。

一種低溫漂的欠壓保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

針對(duì)DC-DC電源管理系統(tǒng)中所必須的欠壓保護(hù)功能，提出一種隨溫度變化很小的欠壓保護(hù)電路。該電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，不需要額外的帶隙基準(zhǔn)電路，同時(shí)也省去了電壓比較器電路。電路特別考慮了溫度特性，減小了溫度對(duì)閾值電壓和遲滯量的影響。采用0.5 μm OKI工藝，運(yùn)用Cadence和Hspice進(jìn)行仿真。結(jié)果表明，當(dāng)電源電壓降低到3.6 V時(shí)，輸出高電平；當(dāng)電壓重新上升到3.79 V時(shí)，輸出低電平，遲滯量為0.19 V。溫度在-40 ℃~125 ℃變化時(shí)，翻轉(zhuǎn)閾值電壓和遲滯變化范圍僅為30 mV和70 mV。在不同模型下，翻轉(zhuǎn)閾值電壓和遲滯變化范圍均為30 mV，滿足電路的設(shè)計(jì)要求。

發(fā)表于：7/25/2014

安森美半導(dǎo)體推出用于智能手機(jī)和平板電腦的鋰離子電池保護(hù)控制器

安森美半導(dǎo)體推出新的鋰離子電池保護(hù)控制器，用于智能手機(jī)和平板電腦。高度集成的LC05111CMT利用模擬電路技術(shù)、MOSFET技術(shù)、先進(jìn)封裝專知和技術(shù)，在單個(gè)電路中集成控制器及驅(qū)動(dòng)器功能。

發(fā)表于：7/24/2014

Intersil推出ISL2802x系列數(shù)字電源監(jiān)測(cè)器，支持業(yè)內(nèi)最寬輸入共模電壓范圍

Intersil公司日前宣布，推出支持0V - 60V寬輸入共模電壓范圍的ISL2802x系列數(shù)字電源監(jiān)測(cè)器。ISL2802x系列有三款產(chǎn)品，這些高集成度的器件提供包括全功能雙向檢測(cè)、電源側(cè)和接地側(cè)的數(shù)字電流檢測(cè)和電壓監(jiān)控在內(nèi)的一系列功能，通過(guò)一個(gè)I2C接口與主控聯(lián)接，集成的16位模/數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）可實(shí)現(xiàn)高精度的測(cè)量。ISL2802x數(shù)字電源監(jiān)測(cè)器具有極小管腳數(shù)量和封裝，以及超寬的工作溫度范圍，是通訊、工業(yè)及消費(fèi)電子應(yīng)用設(shè)計(jì)中的理想選擇。

發(fā)表于：7/22/2014

安森美半導(dǎo)體榮獲華碩“2013最佳合作伙伴獎(jiǎng)”

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)已榮獲全球前三大筆記本電腦品牌及全球最大主板制造商華碩電腦(ASUS)頒發(fā)“2013最佳合作伙伴獎(jiǎng)”。這獎(jiǎng)項(xiàng)表彰安森美半導(dǎo)體的創(chuàng)新方案及在技術(shù)、質(zhì)量、服務(wù)和供貨方面的杰出表現(xiàn)。

發(fā)表于：7/22/2014

IR擴(kuò)充60V StrongIRFET MOSFET系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 擴(kuò)充60V StrongIRFET功率MOSFET系列，采用多種標(biāo)準(zhǔn)和高性能功率封裝。全新MOSFET適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車 (LEV) 逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、鋰離子電池組保護(hù)和開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 二次側(cè)同步整流應(yīng)用等。

發(fā)表于：7/8/2014

意法半導(dǎo)體(ST)推出使用壽命長(zhǎng)且薄如紙的電池，為未來(lái)的微技術(shù)提供電能

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）開(kāi)始限量生產(chǎn)先進(jìn)的厚度不足0.25mm的EnFilm?充電電池。這種薄如紙的電池讓設(shè)計(jì)人員擺脫了標(biāo)準(zhǔn)電池尺寸的限制，是下一代個(gè)人技術(shù)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用最理想的電源解決方案。

發(fā)表于：7/3/2014

一種適合中頻感應(yīng)加熱電源的IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)

為了滿足感應(yīng)加熱電源中對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)功能的要求，采用北京落木源電子技術(shù)有限公司生產(chǎn)的專用于大功率單管MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng)芯片TX-KA101為核心器件設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路。該驅(qū)動(dòng)芯片具備完善的三段式過(guò)流保護(hù)功能，工作頻率高(可達(dá)80 kHz),延遲時(shí)間小,驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，保護(hù)功能完善，因而非常適合10~50 kW感應(yīng)加熱電源的應(yīng)用。對(duì)此驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)成、工作原理、外圍電路的設(shè)計(jì)和參數(shù)設(shè)置作了詳細(xì)的描述并給出實(shí)驗(yàn)結(jié)果，最后經(jīng)部分公司在中頻感應(yīng)加熱電源上的成功應(yīng)用進(jìn)一步驗(yàn)證了由KA101驅(qū)動(dòng)芯片構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路運(yùn)行穩(wěn)定可靠,效率高,發(fā)熱量小，可以經(jīng)受工業(yè)環(huán)境中的嚴(yán)峻考驗(yàn)。

發(fā)表于：7/1/2014

英飛凌推出最小的天線調(diào)諧專用開(kāi)關(guān) 優(yōu)化 4G 智能手機(jī)和平板產(chǎn)品天線效率

英飛凌科技股份公司針對(duì)射頻前端擴(kuò)大高效集成電路解決方案產(chǎn)品組合，推出一款天線調(diào)諧專用開(kāi)關(guān)。新款天線調(diào)諧開(kāi)關(guān)（Aperture tuning）對(duì)提升4G智能手機(jī)和平板電腦的終端用戶體驗(yàn)助益匪淺。該新產(chǎn)品從根本上優(yōu)化天線特性，在相關(guān)的LTE頻帶上可讓運(yùn)行中的數(shù)據(jù)率達(dá)到最高水平。

發(fā)表于：6/27/2014

德州儀器推出業(yè)界首批支持集成型MOSFET的大電流PMBus?轉(zhuǎn)換器

日前，德州儀器(TI) 宣布推出業(yè)界首批具有PMBus 接口的18V、20A及30A 同步DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器。該SWIFT TPS544B20 及TPS544C20 轉(zhuǎn)換器采用小型QFN 封裝并支持集成型MOSFET，可在空間有限的高功率密度應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)ASIC，能夠充分滿足有線及無(wú)線通信、

發(fā)表于：6/27/2014

IR新汽車級(jí)產(chǎn)品AUIRFN8403以緊湊5x6mm PQFN封裝提供高效率和高功率密度并減少系統(tǒng)成本

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出汽車級(jí)COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應(yīng)用，包括泵電機(jī)控制和車身控制等。

發(fā)表于：6/27/2014