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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

【2025年9月25日，德國慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。

新一代光電晶體管光耦合器

光電晶體管光耦合器自從 40 年前面世以來就不斷演進(jìn)，目前仍然廣泛使用。目前應(yīng)用最廣的技術(shù)是使用砷化鎵（GaAs）材料的紅外發(fā)光二極管（IR LED）。它們在許多應(yīng)用中都能發(fā)揮很好的性能，但在低電流時效果不佳，因此，對于那些使用較低電流以提高發(fā)光效率的系統(tǒng)，這是一個問題。

發(fā)表于：5/24/2013

全新改進(jìn)超級結(jié) MOSFET

超級結(jié) MOSFET以其高開關(guān)速度和低開關(guān)損耗而著稱，但如果印刷電路板 (PCB) 設(shè)計不好，則它們會產(chǎn)生負(fù)面影響，如增加電磁干擾（EMI）、柵極振蕩和高峰漏源電壓。飛兆半導(dǎo)體設(shè)計了一種改進(jìn)的超級結(jié) MOSFET 結(jié)構(gòu)，即SuperFET® II MOSFET，它可讓設(shè)計人員降低電磁干擾（EMI），運(yùn)行穩(wěn)定，同時具有卓越的抗噪性能。

發(fā)表于：5/24/2013

歐盟對中國光伏雙反初裁明日投票

中歐首輪談判破裂對于中國光伏企業(yè)而言，未來兩周將過得非常煎熬。因為5月24日，歐盟成員國內(nèi)部將就歐委會對華光伏征稅建議案投票表決，而兩周后的6月6日，初裁結(jié)果將正式發(fā)布。

發(fā)表于：5/24/2013

實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器

許多應(yīng)用都采用隔離式半橋柵極驅(qū)動器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。

發(fā)表于：5/24/2013

多用途穩(wěn)壓集成電路測試儀的設(shè)計原理

多用途穩(wěn)壓集成電路測試儀的設(shè)計原理。

發(fā)表于：5/23/2013

一種具有變漂移區(qū)寬度的新型SOI橫向高壓器件

本文提出了一種具有變漂移區(qū)寬度結(jié)構(gòu)的新型的 SOI 橫向高壓器件，該結(jié)構(gòu)通過漂移區(qū)內(nèi)的側(cè)壁氧化層改變漂移區(qū)的寬度。借助三維器件仿真軟件 davinci 對其耐壓特性進(jìn)行了深入分析。結(jié)果表明，變漂移區(qū)寬度結(jié)構(gòu)不但可以使擊穿電壓提高 31.5%，而且可以使漂移區(qū)摻雜濃度提高 83%。從而降低漂移區(qū)電阻。同時，變漂移區(qū)的側(cè)壁氧化層可以通過介質(zhì)隔離技術(shù)得到，無需多余的掩膜版。因此具有工藝簡單，工藝成本低等優(yōu)點(diǎn)。

發(fā)表于：5/23/2013

一種改善永磁直驅(qū)風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)直流側(cè)電壓控制的方法

隨著電網(wǎng)接入的風(fēng)機(jī)容量越來越大，電網(wǎng)對風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)提出了嚴(yán)格的要求，其中包括低電壓穿越的要求。而對于永磁直驅(qū)風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)，在電網(wǎng)電壓跌落時，直流側(cè)電壓的控制是其實(shí)現(xiàn)低電壓穿越的關(guān)鍵。本文在基于機(jī)側(cè)變流器穩(wěn)定直流側(cè)電壓，網(wǎng)側(cè)變流器控制最大輸出功率的控制結(jié)構(gòu)上，通過在機(jī)側(cè)控制中引入網(wǎng)側(cè)功率前饋，改善對直流側(cè)電壓的控制。在系統(tǒng)簡化數(shù)學(xué)模型的基礎(chǔ)上，對直流側(cè)電壓在風(fēng)速波動和電網(wǎng)電壓跌落時的響應(yīng)進(jìn)行了小信號分析，分析表明直流側(cè)電壓會存在較大波動，引入網(wǎng)側(cè)功率前饋能夠明顯改善直流側(cè)電壓的響應(yīng)。通過仿真驗證了所提方法的有效性，結(jié)果表明網(wǎng)側(cè)功率前饋能夠抑制直流側(cè)電壓在風(fēng)速變化時的波動和電網(wǎng)電壓跌落時的上升。

發(fā)表于：5/23/2013

解決驅(qū)動單元設(shè)計中的電磁兼容問題方案

電磁干擾一般通過空間輻射和通過導(dǎo)線傳導(dǎo)，在工程領(lǐng)域一直是人們要解決的難題和研究熱點(diǎn)。驅(qū)動單元作為大功率模塊，其中的放大電路、開關(guān)電路和逆變電路等主電路可能對電磁環(huán)境存在干擾，所以在驅(qū)動單元設(shè)計中就必須完善解決電磁兼容問題。

發(fā)表于：5/23/2013

基于ATmega16單片機(jī)的電能收集充電器設(shè)計

本文以離網(wǎng)型風(fēng)力發(fā)電裝置為研究對象，選擇了以Atmel公司生產(chǎn)的ATmega16單片機(jī)為核心，采用MC34063開關(guān)型電源芯片作為主要變能器件，根據(jù)風(fēng)機(jī)產(chǎn)生的輸入電壓，通過單片機(jī)產(chǎn)生合適的控制信號，控制DC-DC變換器工作，實(shí)現(xiàn)對蓄電池的有效充電。該研究對實(shí)際應(yīng)用具有一定的參考價值。

發(fā)表于：5/23/2013

基于TMS320F2812的高頻鏈逆變器控制系統(tǒng)

采用全橋雙向電流源高頻鏈逆變器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并對此逆變系統(tǒng)進(jìn)行了研究和設(shè)計。該逆變器以TI公司生產(chǎn)的TMS320F2812芯片為控制核心，詳細(xì)介紹了DSP外圍調(diào)理電路的硬件設(shè)計方案及軟件實(shí)現(xiàn)方式，在采用電壓瞬時值反饋的單閉環(huán)控制方式的基礎(chǔ)上使逆變器實(shí)現(xiàn)了能量的雙向流通。整個電路的控制由一片TMS320F2812芯片完成，實(shí)現(xiàn)了電源的全數(shù)字化控制。最后制作了容量為250 VA的實(shí)驗樣機(jī)，實(shí)驗結(jié)果驗證了該逆變器及其控制方式的可行性和有效性。

發(fā)表于：5/23/2013