CMOS器件抗静电措施的研究
所屬分類：技术论文
上傳者：serena
標(biāo)簽： CMOS 抗静电
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文檔介紹： 由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护CMOS器件不受损伤。
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