美光 相關文章(416篇)
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美光投資43億元擴建西安封裝和測試工廠
發(fā)表于：3/28/2024 9:15:05 AM
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美光展示MCRDIMM DDR5-8800內(nèi)存模塊
發(fā)表于：3/25/2024 8:59:05 AM
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美光預估AI時代旗艦手機DRAM內(nèi)存用量將提升50%~100%
發(fā)表于：3/22/2024 9:00:31 AM
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美光：HBM內(nèi)存消耗3倍晶圓量
發(fā)表于：3/22/2024 9:00:19 AM
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消息稱HBM4標準放寬 三星、SK海力士推遲引入混合鍵合技術
發(fā)表于：3/11/2024 9:00:00 AM
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美光計劃部署納米印刷技術以降低DRAM芯片生產(chǎn)成本
發(fā)表于：3/6/2024 9:00:46 AM
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南亞內(nèi)存20nm技術被盜損失數(shù)十億
發(fā)表于：3/5/2024 9:30:28 AM
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美光推出業(yè)界領先的緊湊封裝型 UFS
發(fā)表于：2/29/2024 5:02:57 PM
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美國法院裁定：福建晉華“不存在經(jīng)濟間諜活動”
發(fā)表于：2/29/2024 9:30:00 AM
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美光推出緊湊封裝型UFS 4.0
發(fā)表于：2/29/2024 9:30:00 AM
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美光發(fā)布最小尺寸UFS4.0手機存儲芯片
發(fā)表于：2/28/2024 9:30:17 AM
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美光宣布量產(chǎn)24GB的HBM3E，將用于英偉達H200
發(fā)表于：2/27/2024 10:22:30 AM
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HBM供不應求：SK海力士售罄！美光售罄！
發(fā)表于：2/26/2024 10:03:03 AM
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1c納米內(nèi)存競爭：三星計劃增加EUV使用，美光將引入鉬、釕材料
發(fā)表于：2/4/2024 10:21:00 AM
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三星宣布開發(fā)280層QLC閃存：M.2 SSD可達16TB！
發(fā)表于：1/30/2024 9:42:49 AM
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美光率先上市基于LPDDR5X的 LPCAMM2內(nèi)存模塊
發(fā)表于：1/19/2024 9:53:00 AM
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消息稱英偉達已向SK海力士和美光預購大量HBM3內(nèi)存
發(fā)表于：1/4/2024 10:39:10 AM
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消息稱三星和美光第 1 季度 DRAM 價格已上調(diào) 15%-20%
發(fā)表于：1/3/2024 11:48:30 AM
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一文讀懂：美光、晉華握手言和，“存儲芯片戰(zhàn)”劇終
發(fā)表于：12/28/2023 4:39:35 PM
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涉專利侵權！長江存儲在美起訴美光！
發(fā)表于：11/13/2023 9:40:46 PM
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美光推出基于1β技術的DDR5內(nèi)存，速率高達7,200MT/s
發(fā)表于：10/27/2023 8:04:46 PM
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“美光被限”后，再看我國存儲IC
發(fā)表于：5/24/2023 9:45:51 AM
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突發(fā)！美光在華銷售產(chǎn)品沒通過審查（附事件梳理）
發(fā)表于：5/22/2023 11:54:46 AM
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安全審查和市場衰退雙至 美光還為芯片法案沖鋒嗎？
發(fā)表于：4/4/2023 10:11:00 AM
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網(wǎng)信辦：對美光在華銷售產(chǎn)品實施安全審查！揭露美光背后的利益鏈和幕后黑手
發(fā)表于：4/3/2023 11:21:29 AM
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美光 1.5TB microSD 卡開始上市，采用 176 層 NAND 閃存
發(fā)表于：2/8/2023 6:31:35 AM
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美光 DDR5 為第四代英特爾® 至強® 可擴展處理器家族帶來更強的性能和可靠性
發(fā)表于：1/18/2023 10:14:08 AM
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美光與AMD宣布全新技術合作
發(fā)表于：12/21/2022 7:35:36 AM
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美光 DDR5 內(nèi)存配合第四代 AMD EPYC 處理器，提升高性能計算工作負載
發(fā)表于：12/20/2022 8:27:00 AM
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美光開始出貨業(yè)界首款采用 232 層 NAND 技術的消費級 SSD
發(fā)表于：12/8/2022 9:29:12 AM
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