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highnaeuv 相關(guān)文章(22篇)
英特爾攜手ASML完成首臺二代High NA EUV光刻機(jī)驗收測試
發(fā)表于:2025/12/16 13:34:22
ASML稱High NA EUV更省時間與成本
發(fā)表于:2025/11/21 11:53:06
imec宣布取得兩項High NA EUV光刻突破性成就
發(fā)表于:2025/9/30 10:55:52
英特爾重申對14A工藝信心十足
發(fā)表于:2025/9/11 9:20:06
英特爾稱14A制程將由High NA EUV量產(chǎn)
發(fā)表于:2025/9/10 11:53:01
SK海力士宣布引進(jìn)業(yè)界首款量產(chǎn)型High NA EUV設(shè)備
發(fā)表于:2025/9/3 10:02:00
前CEO直言只有Intel才能救美國芯片制造
發(fā)表于:2025/8/13 9:29:19
ASML首臺第二代High NA EUV系統(tǒng)交貨
發(fā)表于:2025/7/17 11:07:00
ASML EUV光刻路線還能走多遠(yuǎn)?
發(fā)表于:2025/6/16 13:36:02
臺積電稱暫無為先進(jìn)制程導(dǎo)入High NA EUV必要
發(fā)表于:2025/5/28 13:56:15
臺積電年底前將接收首臺High NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于:2024/11/5 11:21:21
消息稱三星電子2025年初引進(jìn)其首臺ASML High NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于:2024/10/31 11:00:02
ASML確認(rèn)出貨第三臺High NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于:2024/10/18 9:12:55
英特爾確認(rèn)ASML第二臺High NA EUV光刻機(jī)完成安裝
發(fā)表于:2024/10/10 8:22:00
消息稱其臺積電首臺High NA EUV光刻機(jī)遠(yuǎn)低于ASML3.5億歐元報價
發(fā)表于:2024/9/10 10:50:00
SK海力士計劃2026年首次導(dǎo)入ASML High NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于:2024/8/20 8:19:26
imec首次成功利用High NA EUV光刻機(jī)實現(xiàn)邏輯DRAM結(jié)構(gòu)圖案化
發(fā)表于:2024/8/8 10:07:16
全球第二臺High NA EUV光刻機(jī)即將進(jìn)入英特爾奧勒岡州晶圓廠
發(fā)表于:2024/8/7 10:29:00
消息指臺積電最快2028年A14P制程引入High NA EUV光刻技術(shù)
發(fā)表于:2024/7/30 10:52:35
阿斯麥和IMEC聯(lián)合光刻實驗室啟用
發(fā)表于:2024/6/5 8:57:42
臺積電或?qū)⑤^原計劃提前采用High NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于:2024/5/29 8:36:12
ASML揭秘High NA EUV:8nm分辨率,晶圓臺加速度最高32g!
發(fā)表于:2024/1/29 10:54:49
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