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一種基于改進的馬爾可夫鏈的交通狀況預(yù)測模型[其他][其他]

發(fā)表于：5/16/2022

基于深度學(xué)習(xí)的口罩佩戴檢測與跟蹤[其他][其他]

佩戴口罩可以有效預(yù)防病毒的傳播，為減少通過人工方式檢查口罩佩戴情況所消耗的大量人力資源，提出一種基于深度學(xué)習(xí)的口罩佩戴檢測與跟蹤方法，該方法分為檢測和跟蹤兩個模塊。檢測模塊在YOLOv3網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)上引入空間金字塔池化結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)不同尺度的特征融合；然后將損失函數(shù)改為CIoU損失，減少回歸誤差，提升檢測精度，為后續(xù)跟蹤模塊提供良好的條件。跟蹤模塊采用多目標跟蹤算法Deep SORT，對檢測到的目標進行實時跟蹤，有效防止重復(fù)檢測，改善被遮擋目標的跟蹤效果。測試結(jié)果表明，該方法的檢測速度為38 f/s，平均精度值達到為85.23%，相比原始YOLOv3算法提高了4%，能達到實時檢測口罩佩戴情況的效果。

發(fā)表于：5/16/2022

新型電極材料在N型OFET中的應(yīng)用[其他][其他]

相比于無機場效應(yīng)晶體管，有機場效應(yīng)晶體管(OFET)具有制備工藝簡單、成本低、柔性、透明等優(yōu)點，在柔性電子產(chǎn)品、可穿戴器件等領(lǐng)域中有廣泛用途。電極作為OFET器件的一個重要組成部分，其影響OFET器件的整體性能。為了提升電極性能，一方面可以對金屬電極進行修飾，另一方面可以使用聚合物等新材料來制作OFET電極。圍繞新型電極材料在N型OFET中的應(yīng)用展開綜述。首先，介紹OFET的一般器件結(jié)構(gòu)。接著依次介紹了修飾金屬電極、聚合物電極、碳基電極、無機化合物電極和納米線電極的N型OFET進展。最后，總結(jié)全文，并對OFET新型電極材料的未來發(fā)展做出了展望。

發(fā)表于：5/16/2022

高性能數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)核心器件國產(chǎn)化水平研究[其他][其他]

高性能數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)在高能物理、粒子物理實驗、輻射探測等科學(xué)研究中具有廣泛的應(yīng)用，是許多大科學(xué)裝置的關(guān)鍵設(shè)備。高性能數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)核心器件主要包括ADC和FPGA，國外一些發(fā)達國家在這方面的研究長期處于壟斷地位，高性能的ADC和FPGA是嚴格對我國實施技術(shù)管控的產(chǎn)品，因此研究基于國產(chǎn)化核心器件的高性能數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)顯得尤為重要?；诟咝阅軘?shù)據(jù)采集系統(tǒng)的原理，根據(jù)《瓦森納協(xié)議》，梳理了西方國家對我國關(guān)鍵電子元器件以及測試儀器設(shè)備的技術(shù)封鎖情況，調(diào)研了國產(chǎn)高性能ADC芯片以及FPGA芯片的設(shè)計生產(chǎn)現(xiàn)狀并做了性能比對，同時分析了國內(nèi)外示波器以及數(shù)據(jù)采集儀的現(xiàn)狀并做了性能指標方面的對比，最后討論了關(guān)鍵電子元器件國產(chǎn)化替代思路。

發(fā)表于：5/16/2022

論我國數(shù)據(jù)要素市場化配置立法困境與進路[其他][其他]

當(dāng)前全球數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)出爆發(fā)式的增長，數(shù)據(jù)的流動屬性和資源屬性不斷增強，我國出臺多部重要文件旨在促進數(shù)據(jù)要素流動，構(gòu)建數(shù)據(jù)要素市場體系。然而,我國現(xiàn)有法律體系存在適配不足的問題，導(dǎo)致在數(shù)據(jù)要素市場化配置過程中數(shù)據(jù)確權(quán)有待進一步完善，數(shù)據(jù)權(quán)屬難以清晰界定。以深圳、上海、廣東、溫州等地為代表的地區(qū)或以立法形式探索對數(shù)據(jù)權(quán)益進行保護，或以資產(chǎn)憑證等形式優(yōu)先解決明確產(chǎn)權(quán)數(shù)據(jù)的權(quán)屬問題，釋放數(shù)據(jù)潛能。但要徹底解決當(dāng)前權(quán)屬問題無法一蹴而就，在借鑒土地、勞動力、技術(shù)與資本的立法經(jīng)驗下，提出數(shù)據(jù)立法未來的路徑主要為創(chuàng)設(shè)新的數(shù)據(jù)法定權(quán)利，甚至探索為數(shù)據(jù)創(chuàng)設(shè)新的部門法。

發(fā)表于：5/16/2022

杜邦微電路及元件材料展現(xiàn)GreenTape? 低溫共燒陶瓷材料在天線封裝應(yīng)用中的價值[電子元件][5G]

杜邦微電路及元件材料展現(xiàn)GreenTape? 低溫共燒陶瓷材料在天線封裝應(yīng)用中的價值打造能提高5G可靠性與傳輸速度的解決方案

發(fā)表于：5/16/2022

意法半導(dǎo)體首款氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器瞄準下一代50W高能效電源設(shè)計[電源技術(shù)][消費電子]

VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達50 W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件。

發(fā)表于：5/13/2022

部署處理特定任務(wù)的單片機來簡化復(fù)雜設(shè)計[嵌入式技術(shù)][消費電子]

摘要：處理特定任務(wù)的單片機可減輕主單片機或微處理器的任務(wù)和工作負荷，從而有助于簡化各種應(yīng)用的設(shè)計流程。

發(fā)表于：5/11/2022

羅德與施瓦茨推出新型室外頻譜監(jiān)測與無線電定位解決方案[測試測量][其他]

羅德與施瓦茨推出新型室外頻譜監(jiān)測與無線電定位解決方案在無線通信所需頻率范圍不斷擴展的情況下，全新緊湊型 R&S UMS400 通用監(jiān)測系統(tǒng)可滿足頻譜監(jiān)測與無線電定位需求。

發(fā)表于：5/11/2022

構(gòu)筑強大軟件生態(tài)，Arm賦能基礎(chǔ)設(shè)施革新[EDA與制造][數(shù)據(jù)中心]

從數(shù)據(jù)中心到汽車及工廠，萬物都在被重新設(shè)計為軟件定義的模式。同時，硬件的“專用處理”趨勢——即以獨特的創(chuàng)造性方式將 CPU、GPU、DPU 和其他組件組合在一起，并通過調(diào)整緩存大小、速度、I/O和其他屬性對其進行藝術(shù)與科學(xué)的優(yōu)化，已成為繼摩爾定律后的又一創(chuàng)新推動因素

發(fā)表于：5/10/2022

為了實現(xiàn)更小、更快、更節(jié)能，芯片制造經(jīng)歷了什么？[EDA與制造][工業(yè)自動化]

開發(fā)3D結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變帶來了新的挑戰(zhàn)，隨著深寬比的增加，挑戰(zhàn)也在加劇。你可能已經(jīng)想到，3D架構(gòu)需要從器件設(shè)計上做根本性改變，需要新的材料、新的沉積和刻蝕方法來實現(xiàn)。在本文中，我們將帶大家一起回顧半導(dǎo)體行業(yè)在實現(xiàn)3D架構(gòu)過程中的重要里程碑。

發(fā)表于：5/10/2022

一種使用連續(xù)時間Σ-Δ型轉(zhuǎn)換器優(yōu)化信號鏈的新型方法[模擬設(shè)計][工業(yè)自動化]

為何應(yīng)考慮使用CTSD ADC來改善我的信號鏈設(shè)計？

發(fā)表于：5/10/2022

用于實現(xiàn)O-RAN無線解決方案的5G技術(shù)器件[EDA與制造][5G]

O-RAN旨在推動無線社區(qū)轉(zhuǎn)型、開辟新無線設(shè)備通道和推動創(chuàng)新，以履行3GPP關(guān)于5G的承諾。1要取得成功并保持高性價比，必須提供開源的無線電設(shè)備和優(yōu)化的5G技術(shù)。本文將介紹其中一種用于設(shè)計和構(gòu)建高功效比的解決方案。

發(fā)表于：5/6/2022

5nm及更先進節(jié)點上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預(yù)測下一代半導(dǎo)體的性能[電子元件][消費電子]

雖然柵極間距（GP）和鰭片間距（FP）的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節(jié)點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：5/5/2022

派拓網(wǎng)絡(luò)Unit 42：AWS多個Log4Shell熱補丁可導(dǎo)致容器逃逸和權(quán)限提升[通信與網(wǎng)絡(luò)][信息安全]

隨著Log4Shell漏洞威脅愈演愈烈，為了幫助用戶應(yīng)對該問題，AWS發(fā)布了三個熱補丁解決方案以監(jiān)測存在漏洞的Java應(yīng)用程序和容器，并在運行中安裝補丁。然而，Palo Alto Networks（派拓網(wǎng)絡(luò)）威脅情報團隊Unit 42的研究人員發(fā)現(xiàn)這些補丁解決方案存在嚴重的安全問題，并隨后與AWS合作對其進行修復(fù)。

發(fā)表于：5/5/2022