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高頻驅(qū)動(dòng)電路與高效GaN HEMT電源模塊的實(shí)現(xiàn)[電源技術(shù)][其他]

為了滿(mǎn)足當(dāng)前電源模塊高效大功率的要求，針對(duì)氮化鎵器件設(shè)計(jì)一款高頻驅(qū)動(dòng)電路，并搭建形成高頻高效的電源模塊。電路通過(guò)調(diào)節(jié)死區(qū)最小化處理模塊與非重疊模塊，抑制功率器件的大電流直通現(xiàn)象，有助于提升電源模塊的效率；利用氮化鎵器件的高頻特性，使電源系統(tǒng)的工作頻率大幅提升。電源系統(tǒng)測(cè)試結(jié)果表明，1 MHz時(shí)輸出波形上升沿、下降沿時(shí)間分別為10 ns和5 ns；10 MHz時(shí)輸出波形上升沿、下降沿時(shí)間分別為14 ns和8 ns。系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)10 W左右的大功率輸出。1 MHz和10 MHz工作頻率下系統(tǒng)達(dá)到的效率分別為93.7%和83.5%。

發(fā)表于：7/5/2021

Faster RCNN和LGDF結(jié)合的肝包蟲(chóng)病CT圖像病灶分割[測(cè)試測(cè)量][醫(yī)療電子]

針對(duì)人工閱片工作量大、閱片質(zhì)量不佳且容易出現(xiàn)漏檢、錯(cuò)判等問(wèn)題，將Faster RCNN目標(biāo)檢測(cè)模型應(yīng)用于肝包蟲(chóng)病CT圖像的檢測(cè)，并對(duì)目標(biāo)檢測(cè)模型進(jìn)行改進(jìn)：基于圖片分辨率低、病灶大小不同的特點(diǎn)，使用網(wǎng)絡(luò)深度更深的殘差網(wǎng)絡(luò)(ResNet101)代替原來(lái)的VGG16網(wǎng)絡(luò)，用以提取更豐富的圖像特征；根據(jù)目標(biāo)檢測(cè)模型得出的病灶坐標(biāo)信息引入LGDF模型進(jìn)一步對(duì)病灶進(jìn)行分割，從而輔助醫(yī)生更高效的診斷疾病。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，基于ResNet101特征提取網(wǎng)絡(luò)的目標(biāo)檢測(cè)模型能夠有效提取目標(biāo)的特征，檢測(cè)準(zhǔn)確率相比原始檢測(cè)模型提高2.1%，具有較好的檢測(cè)精度。同時(shí)，將病灶坐標(biāo)信息引入LGDF模型，相比于原始的LGDF模型更好地完成了對(duì)肝包蟲(chóng)病病灶的分割，Dice系數(shù)提高了5%，尤其對(duì)多囊型肝包蟲(chóng)病CT圖像的分割效果較好。

發(fā)表于：7/5/2021

基于強(qiáng)化學(xué)習(xí)的特征工程算法研究[其他][其他]

特征工程可以自動(dòng)地處理和生成那些判別性高的特征，而無(wú)需人為的操作。特征工程在機(jī)器學(xué)習(xí)中是不可避免的一環(huán)，也是至關(guān)重要的一環(huán)。提出一種基于強(qiáng)化學(xué)習(xí)(RL)的方法，將特征工程作為一個(gè)馬爾可夫決策過(guò)程(MDP)，在上限置信區(qū)間算法(UCT)的基礎(chǔ)上提出一個(gè)近似的方法求解二分類(lèi)數(shù)值數(shù)據(jù)的特征工程問(wèn)題，來(lái)自動(dòng)獲得最佳的變換策略。在5個(gè)公開(kāi)的數(shù)據(jù)集上驗(yàn)證所提出方法的有效性，F(xiàn)Score平均提高了9.032%，同時(shí)與其他用有限元變換進(jìn)行特征工程的方法進(jìn)行比較。該方法確實(shí)可以得到判別性高的特征，提高模型的學(xué)習(xí)能力，得到更高的精度。

發(fā)表于：7/5/2021

從算法發(fā)展研究人工智能應(yīng)用問(wèn)題與對(duì)策[人工智能][其他]

基礎(chǔ)硬件的發(fā)展帶來(lái)了算力的提高，深度學(xué)習(xí)算法的出現(xiàn)和應(yīng)用奠定了人工智能技術(shù)理論基礎(chǔ)，Google、百度等高科技公司將人工智能應(yīng)用的作為重點(diǎn)領(lǐng)域而加大投入，從而加速了人工智能的落地。當(dāng)前人工智能已成為引領(lǐng)信息產(chǎn)業(yè)革命的最重要的技術(shù)手段。與此同時(shí)，人工智能對(duì)人類(lèi)的潛在威脅也在加劇。對(duì)人工智能算法進(jìn)行分析，歸納算法發(fā)展過(guò)程及缺陷，并總結(jié)這些缺陷可能引發(fā)的技術(shù)問(wèn)題和倫理問(wèn)題。最后，對(duì)人工智能的應(yīng)用，從算法和倫理角度給出一定的對(duì)策。

發(fā)表于：7/5/2021

2.3～2.7 GHz雙模式低噪聲射頻接收前端全集成芯片的設(shè)計(jì)[微波|射頻][其他]

基于GaAs pHEMT工藝設(shè)計(jì)了一款2.3～2.7 GHz雙模式低噪聲射頻接收前端全集成芯片。該接收前端芯片包含一個(gè)單刀雙擲(SPDT)收發(fā)開(kāi)關(guān)及一個(gè)帶旁路功能的低噪聲放大器。一方面，采用帶源級(jí)電感負(fù)反饋的共源共柵結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了放大器模式，將SPDT開(kāi)關(guān)作為放大器輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的一部分，一體化優(yōu)化設(shè)計(jì)獲得最少元件及較高Q值的輸入匹配網(wǎng)絡(luò)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)低噪聲、高增益和良好的輸入回波損耗匹配；另一方面，采用多組開(kāi)關(guān)聯(lián)合實(shí)現(xiàn)了旁路功能用于衰減高輸入功率的射頻信號(hào)。測(cè)試結(jié)果表明，在2.3～2.7 GHz的寬頻帶范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)的接收前端芯片在LNA模式下的噪聲系數(shù)可達(dá)到1.53～1.64 dB的較低水平，且增益在18.1～19.2 dB之間，在2.5 GHz時(shí)輸入1 dB壓縮點(diǎn)為-1.5 dBm；在旁路模式下，插入損耗在工作頻段內(nèi)維持在約6～7 dB的水平。

發(fā)表于：7/5/2021

Ka波段頻率源建模分析與設(shè)計(jì)[其他][其他]

利用鎖相環(huán)與多次倍頻的方式設(shè)計(jì)了一個(gè)Ka波段的用于小型化交會(huì)參數(shù)探測(cè)單元的頻率源。該頻率源輸出頻率為36 GHz，輸出功率大于15 dBm。在設(shè)計(jì)時(shí)使用數(shù)學(xué)建模的方法對(duì)鎖相環(huán)各個(gè)部分進(jìn)行建模，然后得到系統(tǒng)的傳遞函數(shù)，通過(guò)對(duì)閉環(huán)系統(tǒng)的系統(tǒng)函數(shù)分析，得到能夠使系統(tǒng)穩(wěn)定工作的系統(tǒng)參數(shù)。最后使用裸芯片以微組裝的形式加工到RO4350和RO5880基板與腔體上，并完成測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明，使用數(shù)學(xué)建模的方式能夠得到穩(wěn)定工作頻率源。

發(fā)表于：7/5/2021

基于場(chǎng)路耦合的反激變換器板級(jí)輻射研究[電源技術(shù)][其他]

輻射干擾問(wèn)題是制約電源產(chǎn)品高頻化、小型化的因素之一?；趫?chǎng)路耦合的仿真思路，建立MOSFET的電磁場(chǎng)有限元模型和高頻變壓器的等效高頻電路模型。結(jié)合從SIwave電磁仿真軟件中提取的PCB網(wǎng)絡(luò)參數(shù)，對(duì)一款5 W輸出的反激變換器的板級(jí)輻射干擾進(jìn)行聯(lián)合仿真，并對(duì)比了兩種高頻變壓器模型對(duì)遠(yuǎn)場(chǎng)仿真結(jié)果的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在230 MHz以?xún)?nèi)的頻段3 m遠(yuǎn)場(chǎng)仿真超標(biāo)頻點(diǎn)與實(shí)測(cè)吻合，驗(yàn)證了該仿真方法的正確性，且簡(jiǎn)化的變壓器二電容模型具有更寬頻帶的適用性；所得到的近場(chǎng)電磁場(chǎng)分布表明MOSFET和變壓器副邊的整流二極管是主要的輻射源。

發(fā)表于：7/5/2021

采用平面分柵結(jié)構(gòu)的高增益寬帶射頻VDMOS研制[微波|射頻][其他]

硅基射頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有線(xiàn)性度好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、沒(méi)有二次擊穿等優(yōu)點(diǎn)，在HF、VHF和UHF波段具有廣闊的應(yīng)用前景。針對(duì)射頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管寬帶、高增益和高效率的應(yīng)用需求，基于標(biāo)準(zhǔn)平面MOS工藝，采用平面分柵(split gate)結(jié)構(gòu)，通過(guò)優(yōu)化結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)研制出一款工作電壓為28 V的硅基射頻垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(VDMOS)。該器件在30~90 MHz頻段范圍內(nèi)，小信號(hào)增益大于19 dB，在60 MHz頻點(diǎn)下連續(xù)波輸出功率可以達(dá)到87 W，功率附加效率達(dá)72.4 %，具有優(yōu)異的射頻性能。

發(fā)表于：7/5/2021

【萊迪思技術(shù)白皮書(shū)】為智能工業(yè)自動(dòng)化開(kāi)發(fā)鍛造加速引擎[人工智能][工業(yè)自動(dòng)化]

萊迪思(Lattice)半導(dǎo)體繼2018年推出面向低功耗網(wǎng)絡(luò)邊緣AI的sensAI，2020年公布面向低功耗嵌入式視覺(jué)和面向網(wǎng)絡(luò)保護(hù)恢復(fù)可信根的mVision 1.0與Sentry 1.0，及其后續(xù)升級(jí)版本mVision 2.0和Sentry 2.0后，日前，面向智能工業(yè)系統(tǒng)的Automate解決方案集合也正式面世。

發(fā)表于：6/29/2021

顯示技術(shù)：OLED浪潮及其它激動(dòng)人心的發(fā)展趨勢(shì) [顯示光電][消費(fèi)電子]

自從平板電腦在20世紀(jì)90年代初期采用LCD技術(shù)后，現(xiàn)代顯示行業(yè)開(kāi)始蓬勃發(fā)展。采用LCD技術(shù)的產(chǎn)品輕薄便攜，當(dāng)時(shí)的CRT技術(shù)難以望其項(xiàng)背。在接下來(lái)的二十年里，LCD在筆記本電腦和其它小眾設(shè)備中一統(tǒng)天下，在電視機(jī)和顯示器中取代了CRT，并在智能手機(jī)等新型設(shè)備上得到了廣泛應(yīng)用。而今，我們正處于又一次顯示技術(shù)更迭的初期，新興的OLED顯示技術(shù)正在消費(fèi)終端領(lǐng)域逐步取代LCD的地位。其它一些值得深入研究的技術(shù)也紛紛涌現(xiàn)，包括迷你LED、微型LED和微型OLED。這幾個(gè)名稱(chēng)很相似，也很容易混淆，但無(wú)論從它們的優(yōu)勢(shì)和有待解決的問(wèn)題，還是應(yīng)用范圍和所處發(fā)展階段來(lái)看，它們都是截然不同的幾種技術(shù)。

發(fā)表于：6/27/2021

醫(yī)療智能穿戴設(shè)備硬件方案[模擬設(shè)計(jì)][醫(yī)療電子]

隨著互聯(lián)健康概念的興起，醫(yī)療智能穿戴設(shè)備市場(chǎng)逐漸擴(kuò)大，根據(jù)市場(chǎng)研究公司Counterpoint Research調(diào)查指出，疫情促使消費(fèi)者健康意識(shí)提高，這更使得醫(yī)療智能穿戴設(shè)備受到市場(chǎng)青睞，增長(zhǎng)幅度不斷攀高。本次我們通過(guò)技術(shù)型分銷(xiāo)商Exclpoint世健邀請(qǐng)了來(lái)自專(zhuān)業(yè)醫(yī)療智能穿戴設(shè)備領(lǐng)域企業(yè)的工程師馮工跟大家分享實(shí)戰(zhàn)案例。該公司是世健多年的客戶(hù)，主要從事醫(yī)學(xué)診斷產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售及服務(wù)。而馮工有著深厚的學(xué)術(shù)和實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。

發(fā)表于：6/24/2021

在電壓反饋(VFB)和電流反饋(CFB)運(yùn)算放大器之間選擇[模擬設(shè)計(jì)][工業(yè)自動(dòng)化]

電流反饋和電壓反饋具有不同的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。在很多應(yīng)用中，CFB和VFB的差異并不明顯。當(dāng)今的許多高速CFB和VFB放大器在性能上不相上下，但各有其優(yōu)缺點(diǎn)。本指南將考察與這兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)相關(guān)的重要考慮因素。

發(fā)表于：6/20/2021

IoTConnect平臺(tái)：解鎖數(shù)據(jù)的潛能[模擬設(shè)計(jì)][物聯(lián)網(wǎng)]

據(jù)IHS分析師的預(yù)計(jì)，未來(lái)十年中，全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的數(shù)量將以每年12%的速度增長(zhǎng)，到2030年預(yù)計(jì)總數(shù)將達(dá)到1250億臺(tái)。如此海量的聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，其最核心的工作之一就是“生產(chǎn)”數(shù)據(jù)。

發(fā)表于：6/20/2021

漏電流 AN-113[其他][其他]

漏電流是流經(jīng)保護(hù)接地導(dǎo)體到大地的電流。在沒(méi)有接地連接的情況下，如果存在導(dǎo)電路徑（例如人體），則電流可以從任何導(dǎo)電部件或非導(dǎo)電部件的表面通過(guò)人體流到地面。

發(fā)表于：6/18/2021

以太網(wǎng)用于運(yùn)動(dòng)控制的三個(gè)原因[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)]

就運(yùn)動(dòng)控制而言，以太網(wǎng)、現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)以及其他技術(shù)（如外圍組件互連）歷來(lái)都是相互競(jìng)爭(zhēng)的，用以在工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中獲得對(duì)一些最苛刻要求的工作負(fù)載的處理權(quán)限。運(yùn)動(dòng)控制應(yīng)用要求確定性（保證網(wǎng)絡(luò)能夠及時(shí)將工作負(fù)載傳送至預(yù)定的節(jié)點(diǎn)），這是確保位置保持所必需的，這進(jìn)而又將確保驅(qū)動(dòng)器的精確停止、適當(dāng)?shù)募铀?減速以及其他任務(wù)。

發(fā)表于：6/16/2021