分布式源场极板结构射频LDMOS器件的设计
电子市场
摘要： 为了减小射频LDMOS器件中场极板寄生电容，提出一种具有分布式源场极板结构的射频LDMOS器件，给出了器件结构及工艺流程。借助微波EDA软件AWR对场极板进行了三维电磁仿真优化设计。仿真及测试结果表明!所设计的分布式源场极板结构在不影响器件击穿电压的条件下，能有效减小LDMOS器件寄生电容!提升器件增益#效率及线性度等射频性能。
Abstract：
Key words :
0.引言
由于具有高功率增益#高效率及低成本等優(yōu)點，射頻LDMOS（lateral diffused metal oxide semicONductor traNSiSTor）器件被廣泛應(yīng)用于移動通信基站、雷達、導(dǎo)航等領(lǐng)域。為了提高LDMOS擊穿電壓!增大輸出功率，采用了各種各樣的改進結(jié)構(gòu)，如SUPER-JUNCTION、漂移區(qū)變摻雜、RESURF和表面形成G降場層技術(shù)等，其中最為常用且簡單有效的工藝方法就是在漂移區(qū)上部使用金屬場極板。場極板電容作為LDMOS器件寄生電容的主要組成部分,是決定器件功率增益及截止頻率的一個重要因素。
為了解決常規(guī)金屬場極板結(jié)構(gòu)LDMOS（CFP-LDMOS）器件寄生電容大的缺點!本文提出分布式金屬源場極板結(jié)構(gòu)LDMOS器件(DFP-LDMOS)分布式源場極板結(jié)構(gòu)在工藝上易于實現(xiàn),并在不影響器件擊穿電壓的前提下,能有效減小器件寄生電容,提升器件射頻性能。
1.器件結(jié)構(gòu)及工藝流程
圖1所示為射頻LDMOS器件剖面圖，本文所設(shè)計的DFP-LLDMOS器件以傳統(tǒng)LDMOS器件結(jié)構(gòu)為基本框架，并應(yīng)用了分布式金屬源場極板技術(shù)。
圖1 射頻LDMOS器件剖面圖
全文PDF下載：分布式源場極板結(jié)構(gòu)射頻LDMOS器件的設(shè)計.pdf
此內(nèi)容為AET網(wǎng)站原創(chuàng)，未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。