《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 嵌入式技術(shù) > 業(yè)界動態(tài) > 卡位半導(dǎo)體商機 聯(lián)電廈門廠進(jìn)度加速

卡位半導(dǎo)體商機 聯(lián)電廈門廠進(jìn)度加速

2015-06-09

      晶圓雙雄臺積電、聯(lián)電明(9)日同步舉行股東常會,外界聚焦臺積電董事長張忠謀釋出的動向之余,聯(lián)電已針對紅色供應(yīng)鍵威脅,要求內(nèi)部加速廈門12寸廠建置及臺灣先進(jìn)制程腳步,全力卡位中國快速崛的半導(dǎo)體商機。

  聯(lián)電以參股方式,與福建電子信息集團合資成立聯(lián)芯集成電路制造,在廈門計劃投入62億美元,興建12寸晶圓廠,預(yù)計未來五年將投資13.5億美元,并陸續(xù)取得經(jīng)營權(quán)。

  聯(lián)電廈門12寸晶圓廠,是聯(lián)電集團全面卡位中國半導(dǎo)體快速起飛的重要布局,因此聯(lián)電在宣布投資案后,今年3月動工,上月負(fù)責(zé)建廠的新建工程處大舉進(jìn)駐,并采24小時作業(yè)密集趕工,要趕在臺積電設(shè)廠前完工。

  聯(lián)電供應(yīng)鏈透露,由于中國最大晶圓代工廠中芯國際的28納米進(jìn)度落后,給聯(lián)電很大機會,聯(lián)電廈門12寸廠初期以55及40納米制程切入,但聯(lián)電采購設(shè)備瞄準(zhǔn)將制程升級到28納米,爭取“大小通吃”商機。

  聯(lián)電近期28納米制程有重大突破,28納米Poly-Sion良率首季拉升至80%,訂單提升;28納米HKMG(高介電常數(shù)金屬閘極),也獲聯(lián)發(fā)科和高通提高投片量,推升首季營收淡季不淡,本季28納米產(chǎn)出持續(xù)提升。


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。