中國(guó)，2015年6月25日——意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率達(dá)到8kHz時(shí)，新系列雙極器件的導(dǎo)通和關(guān)斷綜合損耗創(chuàng)市場(chǎng)新低，大幅度提升不間斷電源、太陽(yáng)能發(fā)電、電焊機(jī)、工業(yè)電機(jī)等類似設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換效率。

       新S系列擁有當(dāng)前1200V IGBT市場(chǎng)上最低的飽和電壓（VCE(sat)），可確保更低的壓降與最小的功率耗散，從而簡(jiǎn)化熱管理系統(tǒng)。此外，正VCE(sat)溫度系數(shù)結(jié)合緊密的參數(shù)分布，不僅簡(jiǎn)化多支晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)，亦滿足更大功率應(yīng)用的要求。極低的電壓過(guò)沖和關(guān)斷零振蕩（zero oscillation），幫助電源廠商使用更簡(jiǎn)單的外部電路和更少的外部組件。

       10μs最小短路耐受時(shí)間（在150°C初始結(jié)溫時(shí)），無(wú)閂鎖（latch-up free operation）效應(yīng)，擁有175°C最高結(jié)溫以及寬安全工作區(qū)。多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)了新產(chǎn)品極強(qiáng)的耐用性和可靠性。

       作為8kHz最高開(kāi)關(guān)頻率硬開(kāi)關(guān)拓?fù)涞睦硐脒x擇，新款S系列采用第三代溝柵式場(chǎng)截止（trench-gate field-stop）型制造工藝，補(bǔ)充并完善了意法半導(dǎo)體1200V IGBT的M系列和H系列的市場(chǎng)布局，M系列和H系列產(chǎn)品分別定位在20kHz與20kHz以上的開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)，與新款S系列一起，這三大系列產(chǎn)品將成為常用開(kāi)關(guān)頻率電源廠商針對(duì)先進(jìn)、高能效IBGT器件的最佳選擇。

       最新發(fā)布的S系列IGBT提供15A、25A、40A三個(gè)額定電流值，采用標(biāo)準(zhǔn)引腳或TO-247加長(zhǎng)引腳封裝。全系產(chǎn)品標(biāo)配最新的內(nèi)部續(xù)流二極管（freewheeling diode），兼?zhèn)淇焖倩謴?fù)和高恢復(fù)軟度，確保IGBT具有超低電磁干擾和導(dǎo)通損耗。