2015 年 6 月 30 日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號： ON)，今天宣布其智能功率模塊(IPM) STK57FU391A-E獲EDN China《電子技術設計》2015年度創(chuàng)新獎中功率與驅動器件類最佳產(chǎn)品獎。

       這是用于空調壓縮機驅動的STK57FU391A-E IPM連續(xù)第二年被選為最佳產(chǎn)品。EDN China創(chuàng)新獎表彰提供創(chuàng)新的設計理念或技術性能、迎合市場需求、并已受到客戶好評的出色的電子產(chǎn)品。入圍產(chǎn)品需通過EDN China編輯審核、網(wǎng)上投票及創(chuàng)新獎專家委員會評選。

       去年，該IPM獲《今日電子》與21ic.com舉辦的中國第12屆年度“Top 10電源產(chǎn)品獎”及“技術突破獎”。

       安森美半導體IPM產(chǎn)品總經(jīng)理Chris Chey說：“我們非常高興獲得享譽電子行業(yè)的EDN China頒發(fā)獎項。我們的IPM能連續(xù)第二年獲得又一殊榮，鞏固了我們在金屬基板上搭建電子電路的領導地位，為多種應用提供高能效和強固的功率輸出?！?/p>

       獲獎的IPM結合了一個功率因數(shù)校正(PFC)轉換器及一個3相變頻器段以提供3相電機驅動，采用安森美半導體創(chuàng)新的絕緣金屬基板技術(IMST?)，在鋁板上搭建電子電路。金屬的高熱傳導率使功率輸出電路、控制電路及模塊外圍電路能夠貼裝在同一基板上。IMST已被證實為可靠及性價比高，同時提供高能效和低噪聲。

       STK57FU391A-E智能功率模塊的關鍵特性包括：內置過流保護及預驅動低壓條件保護、直接輸入CMOS電平控制信號，以及能夠使用內置IPM的啟動電路來實現(xiàn)單電源驅動。

關于安森美半導體

       安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)致力于推動高能效電子的創(chuàng)新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先于供應基于半導體的方案，提供全面的高能效電源和信號管理、邏輯、標準及定制器件陣容。公司的產(chǎn)品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、醫(yī)療及軍事/航空應用的獨特設計挑戰(zhàn)。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目，及在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業(yè)務網(wǎng)絡。