日前，記者從中科院電工研究所獲悉，該所王秋良研究組采用自主研發(fā)的高溫內(nèi)插磁體技術(shù)，將YBCO內(nèi)插磁體在15T超導(dǎo)背場下的中心磁場提高到了24@4.2K，使得我國成為繼美國、日本、韓國之后實現(xiàn)24T全超導(dǎo)磁體的國家。

　　與Bi2223內(nèi)插超導(dǎo)磁體相比，YBCO超導(dǎo)磁體具有更高的上臨界磁場和臨界電流，運行穩(wěn)定性更高，更易獲取極高磁場。目前僅有美國國家高場實驗室、日本東北大學(xué)高場實驗室以及韓國的一家超導(dǎo)公司能夠?qū)崿F(xiàn)24T以上全超導(dǎo)磁體。

　　王秋良研究組采用YBCO帶材研制高場內(nèi)插磁體。研究人員采用分級設(shè)計的方式提高了整個線圈的安全裕度，并通過特殊設(shè)計的焊接裝置制作了性能優(yōu)良的磁體接頭，制作的內(nèi)插磁體在液氮測試條件下當(dāng)運行電流為32A時，中心磁體達到了1.62T@77K。

　　而在液氦測試條件下，內(nèi)插磁體在運行電流為167A時，在15T的超導(dǎo)背場中產(chǎn)生了9T的中心磁場，從而實現(xiàn)了中心場為24T的全超導(dǎo)磁體，其最高場為24.3T。

　　24T極高場全超導(dǎo)磁場的實現(xiàn)，標志著我國在研制高場內(nèi)插磁體方面走在了世界前列，也標志著我國逐步吸收和掌握了極高場磁體的制作技術(shù)并積累了豐富的經(jīng)驗，為實現(xiàn)GHz級別的譜儀磁體和極高場大科學(xué)裝置奠定了基礎(chǔ)。