東芝今日宣布其成功開發(fā)出了全球首款 4-bit 3D  閃存(QLC)，有望帶來(lái)更低的制造成本和更高的存儲(chǔ)密度。閃存通過(guò)一串帶有電荷的浮動(dòng)門晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)(賦予“0”或“1”即  1-bit)，這些存儲(chǔ)塊可以二維(平面型 NAND)或三維(3D  NAND)堆疊的形式排列，然后用更多電荷值來(lái)對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)更多位元的信息。比如四級(jí)(2-bit)閃存被稱為 MLC、八級(jí)(3-bit)則為稱為 TLC 。

QLC 進(jìn)一步提升到了 16 級(jí)(4-bit)，可將每格劃分出 16 個(gè)單元，從而實(shí)現(xiàn)更大的存儲(chǔ)容量。曾幾何時(shí)，業(yè)界難以突破 TLC  所需區(qū)分的精確電荷。但最新的進(jìn)展是，東芝已開發(fā)出了 64 層堆疊的 QLC 3D NAND 。

該方法將核心存儲(chǔ)容量提升到了 768 gigabit，較 TLC 的 512 gigabit 有了顯著提升。東芝表示，新 QLC 核心能夠 16  片堆疊，從而實(shí)現(xiàn) 1.5TB 的存儲(chǔ)容量。

據(jù)悉，東芝已于本月早些時(shí)候開始向制造商出貨 3D QLC NAND 樣片，以供其評(píng)估。至于其何時(shí)走向消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)，目前暫不得而知。