3 月 5 日訊，憑借領(lǐng)先一代的 PCM 相變存儲技術(shù) 3D XPoint，Intel 的傲騰系列內(nèi)存 /SSD 在企業(yè)級市場上占了上風(fēng)，延遲超低，壽命也遠超閃存。

　　為了跟傲騰對抗，三星推出了 Z-NAND 閃存，鎧俠、西數(shù)則推出了 XL-Flash 閃存，他們的思路都是差不多的，在現(xiàn)有 3D NAND 閃存基礎(chǔ)上犧牲容量換取性能，另類復(fù)活了 SLC 閃存。

　　XL-Flash 閃存被定義為 SCM（存儲類內(nèi)存），介于傳統(tǒng) DRAM 內(nèi)存、NAND Flash 閃存之間，擁有更高的速度、更低的延遲、更大的容量，而且成本相對較低，初期將用于 SSD 固態(tài)硬盤，未來也可用于 NVDIMM 內(nèi)存條等傳統(tǒng) DRAM 領(lǐng)域產(chǎn)品。

　　在 ISSCC 2020 國際會議上，鎧俠公布了 XL-Flash 閃存的一些特性，XL-Flash 的思路就是在 3D 堆?；A(chǔ)上復(fù)活 SLC，其內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)降低到了 1bit，也就是 SLC 類型，這就注定了它的容量會比較低，核心容量只有 128Gb（16GB），相比現(xiàn)在動輒 TLC 512Gb 甚至 QLC 1.33Tb 的容量小了很多。

　　當(dāng)然，這還是在使用了 96 層 3D 堆棧的基礎(chǔ)上的，如果是平面時代的 SLC 閃存，核心容量恐怕還要再小幾倍，現(xiàn)在 128Gb 核心容量基本上還是能保證大容量可用性的。犧牲容量換來的是性能提升，XL-Flash 閃存采用了 16-Plane 架構(gòu)，延遲只有普通 3D 閃存的 1/20，具體來說是讀取延遲 4us，寫入延遲 75us，要比超過 500us 延遲的 3D TLC 閃存好太多了，比三星的 Z-NAND 閃存的 100us 也要好些。

　　XL-Flash 閃存的 4K 隨機性能也大幅提升了，IOPS 更高，不過這里沒具體的數(shù)據(jù)對比。至于存儲密度，復(fù)活 SLC 閃存的代價也是有的，96 層堆棧 3D TLC 閃存、512Gb 核心的面積是 86.13mm2，現(xiàn)在 128Gb XL-Flash 閃存就有 96.34mm2，存儲密度低了 3-4 倍。

　　XL-Flash 閃存還有個問題就是商業(yè)化，Intel 的傲騰內(nèi)存及 SSD 都上市一兩年了，鎧俠的 XL-Flash 目前為止還沒有量產(chǎn)，之前的消息說是 2020 年才會大規(guī)模量產(chǎn)，看樣子還得等等。