《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 其他 > 设计应用 > 无片外电容LDO的研究进展
无片外电容LDO的研究进展
电子技术应用 11期
李天硕,李严,刘莹
(北京信息科技大学,北京 100192)
摘要: 低压差线性稳压器(LDO)在电路系统中负责提供稳定的电源电压,它是一种应用广泛的电源管理芯片。随着集成度和工艺的不断提高,无片外电容LDO逐渐替代含片外电容LDO成为研究重点,但无片外电容LDO需要额外的补偿电路以解决稳定性和瞬态响应特性较差的问题。为了解当前行业内的主流设计思路,调研了大量文献,分析了无片外电容LDO的研究进展,并分别总结了提高稳定性和瞬态响应特性的方案,提炼了其中的技术要点,评价了优缺点,最后提出了可以改进的空间并对今后的研究方向做了展望。
中圖分類號(hào):TN432
文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A
DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.233747
引用格式: 李天碩,李嚴(yán),劉瑩. 無(wú)片外電容LDO的研究進(jìn)展[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用,2023,49(11):35-41.
Progress research on LDO without off chip capacitor
Li Tianshuo,Li Yan,Liu Ying
(Beijing Information Science and Technology University , Beijing 100192, China)
Abstract: Low dropout linear regulator (LDO) is responsible for providing stable power supply voltage in the circuit system. It is a widely used power management chip. With the continuous improvement of integration and technology, the capacitor-free LDO gradually replaces the LDO with off chip and becomes the focus of research. However, the capacitor-free LDO needs additional compensation circuit to solve the problem of poor stability and transient response characteristics. In order to know the mainstream design ideas in the current industry, a large number of literatures were investigated, the research status of the capacitor-free LDO was analyzed, and the schemes to improve the stability and transient response characteristics were summarized, the technical points were refined, the advantages and disadvantages were evaluated, at last the room for improvement was proposed and the future research direction was prospected.
Key words : low dropout linear regulator;capacitor-free LDO;compensation circuit;stability;transient response characteristics

【引言】

電源管理芯片是集成電路系統(tǒng)中的重要模塊,它的性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的性能[1]。低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)是電源管理芯片的一種,它是輸入輸出電壓具有較低電壓差的線性穩(wěn)壓電源,因其具有功耗低、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、面積小、電源電壓抑制比高、噪聲低等優(yōu)點(diǎn)[2],被廣泛應(yīng)用于集成電路系統(tǒng)中[3]。至今,有越來(lái)越多的電路研究者投身于LDO的研究中,并且已經(jīng)取得較好的成果,未來(lái)還將不斷推出新的電路結(jié)構(gòu)和優(yōu)化方法。

通常稱有片外電容的LDO為傳統(tǒng)LDO,而沒(méi)有片外電容的LDO為新型LDO。本文將首先分析傳統(tǒng)LDO的局限,再介紹新型LDO在改善穩(wěn)定性和速度方面的研究進(jìn)展,最后將介紹其他性能指標(biāo)的優(yōu)化方法。


文章詳細(xì)內(nèi)容下載請(qǐng)點(diǎn)擊:無(wú)片外電容LDO的研究進(jìn)展AET-電子技術(shù)應(yīng)用-最豐富的電子設(shè)計(jì)資源平臺(tái) (chinaaet.com)



【作者信息】

李天碩,李嚴(yán),劉瑩

(北京信息科技大學(xué),北京 100192)


此內(nèi)容為AET網(wǎng)站原創(chuàng),未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。