7 月 22 日消息，韓媒 chosu 今天（7 月 22 日）發(fā)布博文，援引供應(yīng)鏈消息，報(bào)道稱(chēng)三星已啟動(dòng)“精選和聚焦”戰(zhàn)略，集中資源提升 2nm 工藝良率，希望通過(guò)產(chǎn)量和成本優(yōu)勢(shì)來(lái)挑戰(zhàn)臺(tái)積電。

消息源表示三星電子預(yù)估，2nm 芯片需求至少會(huì)持續(xù) 3 年以上，為了避免重復(fù) 3nm 工藝的失敗，公司正致力于加強(qiáng)芯片散熱和穩(wěn)定性，并進(jìn)一步提高芯片性能。

三星電子目前正在平澤等園區(qū)建設(shè) 2nm 工藝生產(chǎn)線(xiàn)，并推遲 1.4nm 工藝量產(chǎn)計(jì)劃至 2029 年（原計(jì)劃 2027 年量產(chǎn)），以便集中精力提高 2nm 工藝的良率。

將原計(jì)劃在 2027 年量產(chǎn)的 1.4 納米工藝推遲到 2029 年，以便集中精力提高 2 納米工藝的收益率。三星電子的 GAA 晶體管技術(shù)，在 2 納米工藝中也可應(yīng)用，這有助于技術(shù)穩(wěn)定。

本月曾報(bào)道，臺(tái)積電、英特爾、三星電子的 2nm 代工節(jié)點(diǎn)（N2、Intel 18A、SF2）良率分別約為 65%、55%、40%，而三星的目標(biāo)是將良率提升到 70%。

三星在提升良率同時(shí)，將進(jìn)一步擴(kuò)展部署全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管方案，第二代工藝已基本完成設(shè)計(jì)，目前正研究名為“SF2P+”第三代工藝，并計(jì)劃在未來(lái) 2 年內(nèi)實(shí)施。

圖源：WccFtech

盡管道路艱難，但最新報(bào)告顯示，三星正在逐步改進(jìn)其下一代光刻技術(shù)，預(yù)計(jì)該節(jié)點(diǎn)制造的芯片在未來(lái)四年內(nèi)將會(huì)有巨大需求。