【2025年9月4日, 德國慕尼黑訊】隨著全球汽車行業(yè)電氣化進(jìn)程的加速，市場對(duì)高效、緊湊且可靠的功率系統(tǒng)的需求持續(xù)增長——不僅乘用車領(lǐng)域如此，電動(dòng)兩輪車領(lǐng)域亦是如此。這些車輛需要特殊的系統(tǒng)支持，例如xEV上的高壓-低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)兩輪車上的牽引逆變器。此類系統(tǒng)必須在滿足高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)，能夠應(yīng)對(duì)技術(shù)、商業(yè)和制造方面的多重挑戰(zhàn)。為滿足上述需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布擴(kuò)展其OptiMOS? 6產(chǎn)品組合，推出新型車規(guī)級(jí)150V MOSFET產(chǎn)品系列。新產(chǎn)品專為滿足現(xiàn)代電動(dòng)汽車的嚴(yán)苛要求量身打造，并提供三種先進(jìn)封裝選項(xiàng)：TOLL、TOLG和TOLT。

這款新型車規(guī)級(jí)MOSFET系列是基于英飛凌第六代OptiMOS?技術(shù)開發(fā)而成。所有型號(hào)均提供兩種漏源電阻級(jí)別，額定電壓等級(jí)均為150V，并在同級(jí)別中實(shí)現(xiàn)最低的RDS(on)，最低可達(dá)2.5 mΩ。這一特性能有效降低導(dǎo)通損耗，并顯著提升整體效率。在多個(gè)MOSFET并聯(lián)配置時(shí)，柵極閾值電壓（VGS(th)）的緊密分布特性可實(shí)現(xiàn)理想的同步性能，這對(duì)高功率汽車系統(tǒng)尤為重要。新產(chǎn)品的另一個(gè)特點(diǎn)是在高頻應(yīng)用中呈現(xiàn)極低的開關(guān)損耗，可在諸如現(xiàn)代DC/DC轉(zhuǎn)換器等高速開關(guān)應(yīng)用中高效運(yùn)行。在熱性能方面，該產(chǎn)品各型號(hào)的熱阻值可低至0.4 K/W，大幅提升了散熱能力。這種優(yōu)勢(shì)不僅減少了系統(tǒng)級(jí)散熱設(shè)計(jì)的復(fù)雜性與需求，還顯著降低了相關(guān)成本，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來更加經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。 

三種封裝各具優(yōu)勢(shì)：10x12 mm2 TO無引線（TOLL）封裝可實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計(jì)；10x12 mm2 TOLG封裝與TOLL的布局兼容并采用鷗翼引腳設(shè)計(jì)，具有優(yōu)異的熱機(jī)械應(yīng)力抗性；10x15 mm2 TOLT封裝采用頂部散熱設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)層面的高效熱量傳導(dǎo)，非常適用于空間受限環(huán)境中的高熱負(fù)荷應(yīng)用。此外，英飛凌OptiMOS? 6 150 V MOSFET已通過英飛凌汽車質(zhì)量的最高標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，其性能超越AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)要求。同時(shí)，這些器件還支持生產(chǎn)零件批準(zhǔn)程序（PPAP），可輕松滿足最高等級(jí)的汽車生產(chǎn)要求。綜合這些特性，工程師能夠在有限的預(yù)算內(nèi)針對(duì)特定性能需求優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

供貨情況

OptiMOS? 6 車規(guī)級(jí)150V MOSFET系列的TOLL、TOLG和TOLT封裝版本現(xiàn)已上市。