壹倍科技近日完成數(shù)億元A+輪融資，本輪由國中資本、安芯投資、普華資本、廈金創(chuàng)新和思明科創(chuàng)基金共同投資，后浪資本作為早期投資人并擔(dān)任財務(wù)顧問。本次融資所獲資金將主要用于市場拓展、產(chǎn)品開發(fā)和保障交付。公司成立5年以來，共計完成5輪融資，目前累計融資額位列新創(chuàng)Micro-LED行業(yè)設(shè)備廠商第一，已引入國內(nèi)頭部財務(wù)投資機構(gòu)、國內(nèi)頭部產(chǎn)業(yè)資本和政府資本等多類型股東，顯現(xiàn)出資本市場對于Micro LED行業(yè)發(fā)展前景的持續(xù)看好，和對于壹倍科技在Micro-LED設(shè)備領(lǐng)域成績的高度肯定。

伴隨著近兩年MicroLED終端產(chǎn)品的逐步落地，行業(yè)已經(jīng)從樣品驗證階段過渡到了量產(chǎn)導(dǎo)入和降本階段。已經(jīng)上市的產(chǎn)品包括大尺寸電視（三星/海信/TCL/辰顯等）、手表（佳明 Fenix 8 Pro MicroLED）、車載顯示（Ams-Osram/馬瑞利 矩陣式大燈）和AR微顯示器（JBD 蜂鳥II）等，顯示應(yīng)用呈現(xiàn)多點開花的局面。同時基于MicroLED的陣列光通訊技術(shù)也受到了臺積電、微軟和富士康等科技巨頭公司的密切關(guān)注和投入，有望成為高速可見光通訊（VLC）、芯片間光互連（D2D）及硅光共封裝光學(xué)（CPO）等前沿技術(shù)的理想解決方案。

站在LED、平板顯示和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的交匯點，公司致力于成為Micro-LED行業(yè)全球領(lǐng)先的檢測技術(shù)和設(shè)備提供商。隨著巨量轉(zhuǎn)移和單片集成的技術(shù)路線趨于收斂，與下游客戶的密切合作過程中，公司的技術(shù)與產(chǎn)品線布局日益完善。自2022年7月推出國內(nèi)首臺晶圓級PL巨量檢測設(shè)備后，又逐步拓展到了AOI位移量測和外延無圖形缺陷檢測等產(chǎn)品領(lǐng)域。至今已基本覆蓋大陸頭部廠商，同時積極開拓臺灣客戶，布局日韓和歐美等海外市場，成為當(dāng)前環(huán)境下少有的前道設(shè)備出海案例。公司產(chǎn)品已完整覆蓋襯底-外延段-COW芯片-COC巨量轉(zhuǎn)移/微顯-MIP/Panel模組各個Micro-LED前道生產(chǎn)環(huán)節(jié)，提供全面的基于光致發(fā)光PL、高精度明/暗場、和多重光學(xué)檢測技術(shù)和產(chǎn)品。

Micro-LED發(fā)光性能缺陷檢測設(shè)備

作為國內(nèi)首家研發(fā)且目前唯一可量產(chǎn)Micro-LED發(fā)光性能缺陷檢測設(shè)備的廠商，PL光致發(fā)光產(chǎn)品線是壹倍科技首款面向市場推出的產(chǎn)品，短短2年商業(yè)化時間，公司產(chǎn)品已完全覆蓋國內(nèi)全部頭部芯片廠、巨量轉(zhuǎn)移廠、面板廠和部分微顯示器廠。

Micro-LED行業(yè)中，PL光致發(fā)光檢測設(shè)備、巨量轉(zhuǎn)移/修補設(shè)備是Micro-LED大規(guī)模量產(chǎn)和降本的關(guān)鍵設(shè)備，已成為Micro-LED制程中評估芯片發(fā)光性能的核心技術(shù)手段，壹倍科技?xì)v時3年時間已完成對日本濱松、日本東麗和韓國Etamax等海外對標(biāo)廠商全面追趕，收獲了來自大陸、臺灣和海外客戶的訂單認(rèn)可。

該設(shè)備主要應(yīng)用于芯片廠COC制成、巨轉(zhuǎn)移廠COW制成和模組廠MIP制成中，其串聯(lián)Micro-LED晶圓整個圖形化到模組化之間的過程，通過非接觸、無損的方式提供芯片發(fā)光亮度、光譜分布、發(fā)光均勻性等檢測指標(biāo)，并為巨量轉(zhuǎn)移、巨量修復(fù)、分/混Bin、MIP模組化提供最為基礎(chǔ)的芯片性能數(shù)據(jù)。同時，該設(shè)備晶圓檢出速度可達(dá)15片/小時，晶粒檢測速度每小時可達(dá)數(shù)千萬顆，在保證檢測精度和穩(wěn)定性的基礎(chǔ)上，能夠充分滿足上下游其他環(huán)節(jié)節(jié)拍要求。

Micro-LED襯底及外延檢測設(shè)備

隨著MicroLED產(chǎn)業(yè)邁入量產(chǎn)，業(yè)界對于晶圓良率和成本的要求不斷提升。而大量的LED芯粒后道失效問題均源于最初的襯底表面缺陷或外延層生長不良。特別是隨著芯粒尺寸越來越小，甚至降至5μm以下(如AR微顯示應(yīng)用)，其對于外延層缺陷的敏感度越來越高，且存在多種類型的亞表面晶體缺陷，這些缺陷采用傳統(tǒng)檢測手段無法檢出。

壹倍推出的Micro-LED襯底及外延專用檢測設(shè)備采用顯微光致發(fā)光成像、共聚焦微分干涉成像及高分辨暗場成像及寬光譜PL成像技術(shù)，實現(xiàn)透明樣品的無接觸、非破壞性和超快速的缺陷/亞表面缺陷檢出，提供不同維度檢測的缺陷Mapping、外延與器件疊圖Mapping與分區(qū)混Bin良率統(tǒng)計結(jié)果。

AOI轉(zhuǎn)移位移和缺陷量檢測設(shè)備

Micro-LED場景中的芯片缺陷檢測與量測具備明顯的行業(yè)特征：數(shù)據(jù)巨量、缺陷尺寸小、位置度信息敏感、檢測節(jié)拍要求極高等特點。對于傳統(tǒng)AOI廠商而言，進(jìn)入Micro-LED場景提供以傳統(tǒng)機器視覺為技術(shù)支撐的產(chǎn)品完全無法滿足客戶需求。

壹倍科技AOI芯片缺陷量檢測設(shè)備，采用超寬場、高NA、顯微線掃光學(xué)成像系統(tǒng)與高通量圖像處理算法，結(jié)合系統(tǒng)誤差整合分析和校準(zhǔn)技術(shù)、運動與圖像像質(zhì)的自適應(yīng)補償技術(shù)，可以對Micro LED工藝制程中的COW以及巨量轉(zhuǎn)移前后的COC的晶圓進(jìn)行全面的精細(xì)檢查，同時具備亞微米級的全局位移量檢出能力，因此可以有效地對巨量檢測轉(zhuǎn)移工序良率進(jìn)行監(jiān)測和管控?？稍跀?shù)分鐘內(nèi)檢測 Micro LED COW (Chip on Wafer)或COC (Chip on Carrier)晶圓上數(shù)千萬顆芯粒的缺陷檢測或位置量測，最小可檢出亞微米級的缺陷和偏移。

壹倍科技技術(shù)轉(zhuǎn)化團隊來自于香港中文大學(xué)、南京大學(xué)、浙江大學(xué)和中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理和材料專業(yè)，公司核心團隊在光學(xué)和半導(dǎo)體材料領(lǐng)域積累超過15年，基于材料體系理解、材料表征手段的掌握與核心光學(xué)系統(tǒng)自主的攻堅克難，壹倍團隊才能夠快速成為Micro-LED行業(yè)檢測設(shè)備國內(nèi)的代表性公司，并希望在未來能夠產(chǎn)品化更多真實解決終端客戶生產(chǎn)需求的關(guān)鍵工藝設(shè)備。