9月26日消息，據(jù)報(bào)道，中國(guó)NAND閃存大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳出將進(jìn)軍DRAM市場(chǎng)的消息，計(jì)劃研發(fā)包括HBM在內(nèi)的DRAM產(chǎn)品。

HBM是一種用于生產(chǎn)AI芯片的關(guān)鍵技術(shù)，目前主要由美國(guó)美光、韓國(guó)SK海力士和三星主導(dǎo)生產(chǎn)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)目前也在推進(jìn)研發(fā)HBM。

消息人士透露，為了生產(chǎn)HBM，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)用于堆疊DRAM的硅穿孔（TSV）技術(shù)，并且新工廠部分可能會(huì)轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DRAM。

這一計(jì)劃的曝光，使得美國(guó)DRAM大廠美光的股價(jià)在9月25日重挫3.02%，收于156.83美元。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2022年被美國(guó)列入貿(mào)易黑名單“實(shí)體清單”，這可能對(duì)其研發(fā)和市場(chǎng)拓展帶來(lái)一定挑戰(zhàn)。

根據(jù)Counterpoint Research 24日的最新報(bào)告，2025年第二季度（4-6月），SK 海力士憑借其在HBM領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，占據(jù)了全球HBM市場(chǎng)62%的份額，穩(wěn)居全球最大HBM供應(yīng)商。

美光以21%的市場(chǎng)份額首次超越三星，成為全球第二大HBM供應(yīng)商，而三星的市場(chǎng)份額則降至17%，位居第三。