10月15日消息，據(jù)《朝鮮日報》報導(dǎo)，三星電子內(nèi)部正討論解散負(fù)責(zé)1c DRAM 良率優(yōu)化的專案小組（TF），以便將人力與資源全面轉(zhuǎn)向HBM4 量產(chǎn)準(zhǔn)備，力拼在年底前打入英偉達供應(yīng)鏈，重奪高端內(nèi)存市場的主導(dǎo)權(quán)。

報道稱，三星此次計劃采用更先進的1c DRAM 做為HBM4 的核心芯片（Core Die），理論上可實現(xiàn)更高帶寬與能源效率。不過有報導(dǎo)指出，其在“冷測”（Cold Test）階段的良率僅約35%至50%，仍低于量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。由于1c 制程線寬進一步縮小，制程控制誤差的容忍度低于1b DRAM，光刻與蝕刻難度大幅提升。

為了解決良率問題，三星副會長全永鉉上任后，集合內(nèi)存事業(yè)部的核心工程師，成立TF 團隊，專注于1c 制程的穩(wěn)定性與良率提升。但在新的量產(chǎn)時間規(guī)劃的壓力下，三星似乎決定跳過內(nèi)部量產(chǎn)批準(zhǔn)（PRA）程序，直接投入HBM4 量產(chǎn)體系的建構(gòu)。

業(yè)界分析指出，即使良率未達理想，三星也要憑借產(chǎn)品代差與性能優(yōu)勢突圍。熟悉內(nèi)情人士透露，三星內(nèi)部寧可犧牲短期效率，也要在HBM4 成為新標(biāo)準(zhǔn)前搶回技術(shù)主導(dǎo)權(quán)。

相較之下，SK 海力士據(jù)稱已經(jīng)完成了HBM4 量產(chǎn)準(zhǔn)備，因為其采用成熟的1b DRAM制程與MR-MUF 封裝方案，良率預(yù)計超過70%，已達量產(chǎn)獲利門坎。

根據(jù)Counterpoint Research 統(tǒng)計，今年第二季全球HBM市場SK海力士的市占率為62%、美光為21%、三星僅17%。這是三星首次跌至第三。業(yè)界分析認(rèn)為，若三星無法在短期內(nèi)穩(wěn)定HBM4 量產(chǎn)良率，市占差距恐進一步擴大。

隨著AI 訓(xùn)練需求推升HBM 需求量倍增，業(yè)界普遍預(yù)期HBM4 將成為2025之后最具關(guān)鍵的內(nèi)存戰(zhàn)場。能否率先掌握量產(chǎn)節(jié)奏和良率，將決定全球內(nèi)存的格局是否會重新洗牌。

另外，三星電子還計劃加快其下一代HBM4E 內(nèi)存的研發(fā)，預(yù)計速率將高達 13Gbps，帶寬高達 3.25TB/秒，比 HBM3E 快 2.5 倍以上，且能效提升一倍。該項突破計劃于 2027 年實現(xiàn)量產(chǎn)，以滿足 NVIDIA 在 AI 和下一代 GPU 領(lǐng)域?qū)Ω邘拑?nèi)存的需求。