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HBM3E與DDR5價差削減促使轉(zhuǎn)產(chǎn) 反推高明年HBM3E定價

2025-12-19
來源:IT之家
關鍵詞: HBM 存儲芯片 DRAM DDR5

12 月 18 日消息,TrendForce 集邦咨詢今日表示,由于非 HBM 的一般型 DRAM 內(nèi)存近來價格急速攀升,原本由買方主導的 2026 年 HBM3E 內(nèi)存市場開始向有利于供方的方向傾斜,但 HBM3E 和 DDR5 間的價差比例仍會下降。

機構稱,在 2025 年 5 月英偉達與三大 DRAM 原廠(三星、SK 海力士、美光)展開 2026 年 HBM3E 采購協(xié)商時,單價顯著低于今年水平。

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然而整體形勢在今年三季度出現(xiàn)了反轉(zhuǎn):由于 AI 引發(fā)下游 CSP 擴大對服務器 DDR5 的備貨,DDR5 市場陷入缺貨局面,產(chǎn)品售價大幅提高,DDR5 晶圓產(chǎn)能的盈利能力也逐步走高。這就導致部分原計劃分給 HBM 的內(nèi)存產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到 DDR5,2026 年的 HBM3E 整體平均單價將略微上修。

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與此同時,服務器 DDR5 與 HBM3E 間的價格比例將從此前的 1:5~6 下降到 2026 年末的 1:2~3。


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