關(guān)鍵特性
· 小尺寸：在0.3in?上集成了四個(gè)通道
· 低功耗：每通道325mW (典型值)
· 高速：3VP-P時(shí), 300Mbps
· -2.2V至+5.2V工作電壓范圍
· 有源端接(第3級(jí)驅(qū)動(dòng))
· 集成PMU開關(guān)
· 無源負(fù)載
· 低泄漏模式：20nA (最大值)
· 低增益誤差、失調(diào)誤差
· 提供無鉛(Pb)封裝 

應(yīng)用范圍
· 有源老化系統(tǒng)
· DRAM探測(cè)器
· 低成本混合信號(hào)/片上系統(tǒng)(SoC)測(cè)試器
· NAND閃存測(cè)試器
· 結(jié)構(gòu)測(cè)試裝置

原理框圖