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Vishay推出升級(jí)版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外收發(fā)器模塊

　　美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2024年3月13日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出適于IrDA®應(yīng)用的升級(jí)版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外（IR）收發(fā)器模塊，鏈路距離延長20 %，抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2 kbit/s 數(shù)據(jù)速率（SIR），鏈路距離為1米，適用于能量表和監(jiān)控器、工業(yè)自動(dòng)化控制、手機(jī)和醫(yī)療設(shè)備無線通信和數(shù)據(jù)傳輸。為提高便攜式設(shè)備電池使用壽命，模塊降低了功耗，閑置供電電流 < 70 μA，關(guān)斷模式 < 1 μA。

發(fā)表于：3/25/2024

SK海力士展示新一代GDDR7顯存

據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士近期展出的GDDR7顯存無疑成為了業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。據(jù)悉，SK海力士的GDDR7顯存容量涵蓋16-24Gb，傳輸速度可達(dá)40Gbps，比三星所展出的GDDR7顯存快8Gbps，并且可以提供160GB/s的顯存帶寬。這意味著在相同時(shí)間內(nèi)，SK海力士的GDDR7顯存可以處理更多數(shù)據(jù)，從而大大提升顯卡的整體性能。

發(fā)表于：3/25/2024

長江存儲(chǔ)QLC閃存已做到4000次PE的超長壽命

發(fā)表于：3/25/2024

2024年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)將同比增11%

半導(dǎo)體材料市場(chǎng)信息咨詢公司TECHCET 預(yù)測(cè)今年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)將出現(xiàn)反彈。2023年整體半導(dǎo)體行業(yè)環(huán)境低迷，同比下降6%后，隨著形勢(shì)轉(zhuǎn)好，2024年預(yù)計(jì)將增長近7%。 TECHCET預(yù)計(jì)半導(dǎo)體材料行業(yè)的收入在未來5年期間將持續(xù)增長，2028年的年銷售額預(yù)計(jì)將超過880億美元。

發(fā)表于：3/25/2024

首個(gè)國產(chǎn)單池萬卡液冷算力集群正式啟用

3月24日消息，中國電信官方宣布，首個(gè)國產(chǎn)單池萬卡液冷算力集群，天翼云上海臨港國產(chǎn)萬卡算力池正式啟用，首批用戶也同時(shí)入駐。據(jù)介紹，這不僅是國內(nèi)首個(gè)投入正式運(yùn)營的國產(chǎn)單池萬卡液冷算力集群，也是業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的全國產(chǎn)化云智一體公共智算中心。該集群采用新一代國產(chǎn)AI算力，通過高速RDMA連接各物理機(jī)節(jié)點(diǎn)，提供低延時(shí)、高吞吐量、無損通信網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的并行計(jì)算能力，多項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)領(lǐng)跑全國。該集群還最高可支持萬億參數(shù)大模型，滿足AI計(jì)算、深度學(xué)習(xí)、圖形渲染等復(fù)雜訓(xùn)練任務(wù)對(duì)算力的要求。有機(jī)構(gòu)認(rèn)為，雙碳背景下，IDC綠色化是大勢(shì)所趨，液冷或是散熱技術(shù)演變的必經(jīng)之路，隨著PUE要求不斷嚴(yán)格，液冷散熱優(yōu)勢(shì)逐漸凸顯，無論是IDC新建需求還是存量改造需求，液冷均有望成為首選。

發(fā)表于：3/25/2024

SK海力士將斥資900億美元打造全新半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施

3月24日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士計(jì)劃在韓國京畿道中部的龍仁市投資興建一座龐大的半導(dǎo)體生產(chǎn)園區(qū)，耗資至少120萬億韓元（約合907億美元）。據(jù)悉，新的半導(dǎo)體生產(chǎn)園區(qū)包括四座獨(dú)立的晶圓廠，將成為全球范圍內(nèi)規(guī)模最大的三層晶圓廠。 SK海力士于2019年公布開發(fā)計(jì)劃，但由于許可問題，開發(fā)被推遲。SK海力士表示，通過中央和地方政府以及企業(yè)2022年達(dá)成的協(xié)議，這項(xiàng)計(jì)劃已獲得進(jìn)展。

發(fā)表于：3/25/2024

IBM2024年將發(fā)力混合云和AI，加碼大模型落地B端

發(fā)表于：3/25/2024

楊光磊：中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將自成體系，但難與全球生態(tài)競(jìng)爭(zhēng)！

楊光磊：中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將自成體系，但難與全球生態(tài)競(jìng)爭(zhēng)！ 3月22日，前臺(tái)積電研發(fā)處處長楊光磊在中國臺(tái)灣科學(xué)及技術(shù)委員會(huì)“科學(xué)、民主與社會(huì)研究中心”（DSET）主辦的《供應(yīng)鏈重組與經(jīng)濟(jì)安全》國際論壇上表示，中國面對(duì)美國對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的出口管制必須自主發(fā)展，但是需多少時(shí)間才能完全自主還不清楚，可能需要幾十年才能自成體系。近年來，在官方支持及內(nèi)部需求的推動(dòng)之下，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。即便是在美國聯(lián)合日本、荷蘭持續(xù)通過限制半導(dǎo)體設(shè)備出口來阻礙中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也仍未止步。

發(fā)表于：3/25/2024

漢高攜新品亮相SEMICON China 2024

2024年3月21日,漢高粘合劑電子事業(yè)部亮相一年一度的半導(dǎo)體和電子行業(yè)年度盛會(huì)SEMICON China,帶來眾多創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案,包括車規(guī)級(jí)高性能芯片粘接膠樂泰ABLESTIK ABP 6392TEA、毛細(xì)底部填充膠樂泰® Eccobond UF 9000AE,以及一系列先進(jìn)封裝材料、芯片粘接膠/膜解決方案等,從而以前沿材料科技助推半導(dǎo)體封裝行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。

發(fā)表于：3/22/2024

德國PVA TePla集團(tuán)展示"中國版“”碳化硅晶體生長設(shè)備“SiCN”

024年3月20日，半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì) SEMICON China 2024啟幕，全球高端半導(dǎo)體設(shè)備制造商德國PVA TePla集團(tuán)再次亮相，并向行業(yè)展示其最新打造的國產(chǎn)碳化硅晶體生長設(shè)備“SiCN”。

發(fā)表于：3/22/2024

中國第四代半導(dǎo)體新突破：6英寸氧化鎵單晶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

中國第四代半導(dǎo)體新突破：6英寸氧化鎵單晶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化 3月21日消息，近日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司宣布，公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。采用自主開創(chuàng)的鑄造法，成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。

發(fā)表于：3/22/2024

聯(lián)發(fā)科推出ASIC設(shè)計(jì)平臺(tái)進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

聯(lián)發(fā)科推出ASIC設(shè)計(jì)平臺(tái)進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域 3 月 21 日消息，聯(lián)發(fā)科昨日宣布攜手光通信廠商 Ranovus 推出新一代共封裝光學(xué)（CPO）ASIC 設(shè)計(jì)平臺(tái)，提供異質(zhì)整合高速電子與光學(xué)型號(hào)的 I / O 解決方案。案。"

發(fā)表于：3/22/2024

美光預(yù)估AI時(shí)代旗艦手機(jī)DRAM內(nèi)存用量將提升50%~100%

3 月 21 日消息，在美光近日舉行的季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，美光 CEO 桑杰?梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）表示 AI 時(shí)代旗艦手機(jī)的 DRAM 內(nèi)存用量將大幅提升。他表示：" 我們預(yù)計(jì) AI 手機(jī)的 DRAM 含量將比當(dāng)今的非 AI 旗艦手機(jī)高出 50% 到 100%" 目前，大部分安卓旗艦手機(jī)均可選 12 或 16GB 的內(nèi)存，同時(shí) 24GB 內(nèi)存配置也不在少數(shù)；蘋果陣營和少部分安卓旗艦款式則維持了 8GB 的最大內(nèi)存容量。

發(fā)表于：3/22/2024

三星電子確認(rèn)下半年推出第二代3nm制程工藝

3 月 21 日消息，三星電子 DS 部門下屬 Foundry 業(yè)務(wù)部負(fù)責(zé)人崔時(shí)榮在昨日舉行的三星電子年度股東大會(huì)上表示將于今年下半年推出第二代 3nm 制程工藝，回?fù)袅私盏?" 更名 " 傳聞。

發(fā)表于：3/22/2024

美光：HBM內(nèi)存消耗3倍晶圓量

美光：HBM 內(nèi)存消耗 3 倍晶圓量，明年產(chǎn)能基本預(yù)定完畢

發(fā)表于：3/22/2024