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AMD收購硅光子初創(chuàng)團(tuán)隊(duì)加碼CPO共封裝光學(xué)

5 月 29 日消息，AMD 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布，已于上周將硅光子學(xué)初創(chuàng)企業(yè) Enosemi 納入麾下。Enosemi 此前曾是 AMD 的外部光子學(xué)開發(fā)合作伙伴。 AMD 表示 Enosemi 是 AMD 在深入高性能互聯(lián)創(chuàng)新領(lǐng)域的理想收購選擇，這筆交易將立即提升其支持和發(fā)展下一代 AI 系統(tǒng)中的各種光子學(xué)和共封裝光學(xué)解決方案的能力。

發(fā)表于：5/29/2025

榮耀確認(rèn)進(jìn)軍機(jī)器人產(chǎn)業(yè)

5 月 28 日消息，在正在舉行的榮耀 400 系列新品發(fā)布會上，榮耀 CEO 李健確認(rèn)該公司進(jìn)軍機(jī)器人業(yè)務(wù)。李健在發(fā)布會上講述了其員工與機(jī)器人研發(fā)的故事，意外官宣了榮耀已經(jīng)進(jìn)軍機(jī)器人的消息。據(jù)介紹，榮耀的這款機(jī)器人跑步速度已經(jīng)達(dá)到 4m/s，打破了之前的機(jī)器人行業(yè)紀(jì)錄。2025 年世界移動(dòng)通信大會上榮耀發(fā)布的“阿爾法戰(zhàn)略”。該戰(zhàn)略計(jì)劃在未來五年內(nèi)投入 100 億美元，構(gòu)建全球 AI 終端生態(tài)體系，重點(diǎn)布局人工智能和機(jī)器人技術(shù)。

發(fā)表于：5/29/2025

PCB阻焊橋脫落與LDI工藝

本文對貼片廠貼回來的電路板出現(xiàn)芯片引腳間的連錫問題、PCB板（電路板）的阻焊橋脫落有一定意義，特別是做電子產(chǎn)品的工程師強(qiáng)烈建議閱讀、而對于個(gè)人DIY的電子玩家也可以了解這些概念。 1.阻焊橋的作用與工藝生產(chǎn)能力 1.1.阻焊橋的定義與作用阻焊橋（又稱綠油橋或阻焊壩），指的是表面貼裝器件（SMD）焊盤之間的阻焊油墨。阻焊橋的作用是用于防止SDM焊盤（特別是IC封裝）間距過小而導(dǎo)致焊接橋連短路，阻止焊料流動(dòng)。在日常開發(fā)中，我們有兩種選擇：一種是開通窗去除阻焊橋：對整個(gè)芯片引腳區(qū)域進(jìn)行阻焊開窗，像處理金手指一樣，讓IC引腳之間沒有綠橋，手工焊接時(shí)還不覺的有問題，但是在量產(chǎn)，SMT貼片的時(shí)候，會出現(xiàn)芯片引腳之間的連錫問題。那就需要貼片廠的工作人員對每一塊電路板進(jìn)行檢查（不過本來也應(yīng)該要檢查），但是人工檢查總會有遺漏，是不是就可能發(fā)生把有問題的電路板寄到你們公司啦，這個(gè)時(shí)候就會去找貼片廠的麻煩。之后省略一萬字，自己領(lǐng)悟。這種方法不建議。

發(fā)表于：5/29/2025

2024年中國半導(dǎo)體設(shè)備支出猛增35%全球居首

5月28日消息，據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）最新統(tǒng)計(jì)，2024年中國在半導(dǎo)體設(shè)備上的支出達(dá)到495.5億美元，較去年同期增長35%，成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備支出國。這一增長主要得益于中國政府對本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的扶持以及企業(yè)積極擴(kuò)充產(chǎn)能，SEMI指出，中國通過政策支持和產(chǎn)業(yè)投資，鞏固其全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場的地位。能力的提升。

發(fā)表于：5/29/2025

嘉立創(chuàng)發(fā)布50萬字的新書與創(chuàng)業(yè)扶持計(jì)劃

“設(shè)計(jì)方案無法順利投產(chǎn)？”“制造成本高企，返工不斷？”這些是許多電子工程師在研發(fā)過程中經(jīng)常遇到的痛點(diǎn)。在5月24日舉辦的第三屆開源硬件星火會暨電子工程師大會上，嘉立創(chuàng)針對這些難題，推出了重磅“組合拳”——發(fā)布《從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)：電子工程師PCB智造實(shí)戰(zhàn)指南》并啟動(dòng)開源硬件創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)扶持計(jì)劃，旨在將多年積累的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)與豐厚資源開放共享，全方位助力工程師的技能躍遷與項(xiàng)目成功落地。

發(fā)表于：5/29/2025

聯(lián)電宣布與英特爾合作開發(fā)的12nm制程平臺2027年量產(chǎn)

5月28日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行年度股東大會，聯(lián)電首席財(cái)務(wù)官劉啟東指出，與處理器大廠英特爾合作的12nm節(jié)點(diǎn)制程，為聯(lián)電最重要的發(fā)展計(jì)劃之一，預(yù)計(jì)量產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)將會落在2027年。而雙方也會采取分工的模式，由英特爾負(fù)責(zé)當(dāng)?shù)刂圃?，?lián)電則負(fù)責(zé)制程開發(fā)、銷售與服務(wù)流程技術(shù)。

發(fā)表于：5/29/2025

全球首個(gè)《人形機(jī)器人智能化分級》L1-L5 標(biāo)準(zhǔn)出爐

由北京人形機(jī)器人創(chuàng)新中心牽頭，聯(lián)合上海人形機(jī)器人創(chuàng)新中心、浙江人形機(jī)器人創(chuàng)新中心，以及優(yōu)必選、宇樹科技、中國信通院和工聯(lián)院等主流企業(yè)及科研院所共同制定了全球首個(gè)《人形機(jī)器人智能化分級》（T / CIE 298-2025）團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。這是全球首個(gè)人形機(jī)器人智能化能力分級的標(biāo)準(zhǔn)，通過借鑒自動(dòng)駕駛、工業(yè)機(jī)器人等分級邏輯，并針對人形機(jī)器人的特殊性進(jìn)行了創(chuàng)新，構(gòu)建形成“四維五級”的評價(jià)框架。包括“感知認(rèn)知（P）、決策學(xué)習(xí)（D）、執(zhí)行表現(xiàn)（E）、協(xié)作交互（C）”為核心的四大能力維度，并構(gòu)建 L1-L5 五級智能化能力分級體系，IT之家附具體介紹如下：從 L1 至 L5，智能化能力水平逐級遞增。標(biāo)準(zhǔn)同步給出 22 個(gè)一級指標(biāo)、100 余項(xiàng)技術(shù)條款、通用安全底線及典型應(yīng)用場景映射，可為企業(yè)開展產(chǎn)品設(shè)計(jì)、性能對標(biāo)和能力聲明提供直觀參照。

發(fā)表于：5/29/2025

中國石油發(fā)布3000億參數(shù)昆侖大模型

日前，中國石油發(fā)布3000億參數(shù)昆侖大模型，標(biāo)志著中國石油在人工智能領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。

發(fā)表于：5/29/2025

臺積電稱暫無為先進(jìn)制程導(dǎo)入High NA EUV必要

5 月 28 日消息，臺積電負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)開發(fā)及全球業(yè)務(wù)的資深副總經(jīng)理兼副聯(lián)席 COO 張曉強(qiáng)在荷蘭阿姆斯特丹當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日舉行的公司 2025 年技術(shù)論壇歐洲場上表示，臺積電暫無為先進(jìn)制程導(dǎo)入 High NA EUV 的必要。張曉強(qiáng)表示，臺積電新近公布的 1.4nm 級邏輯制程 A14 即使沒有導(dǎo)入 High NA EUV 圖案化設(shè)備，提升幅度也相當(dāng)可觀。

發(fā)表于：5/28/2025

消息稱SK海力士計(jì)劃10月量產(chǎn)12Hi HBM4內(nèi)存

5 月 28 日消息，韓媒 MToday 報(bào)道稱，SK海力士計(jì)劃今年十月開始正式量產(chǎn) HBM 高帶寬內(nèi)存的最新迭代版本 12Hi HBM4，而這一生產(chǎn)策略是因應(yīng)英偉達(dá)計(jì)劃明年推出的 "Rubin" 架構(gòu) AI GPU 的需求。

發(fā)表于：5/28/2025

臺積電警告稱芯片關(guān)稅可能削弱其在美1650億美元投資計(jì)劃

5 月 28 日消息，臺積電呼吁美國商務(wù)部豁免芯片進(jìn)口關(guān)稅，警告加征關(guān)稅可能削弱其 1650 億美元亞利桑那州擴(kuò)建計(jì)劃，并威脅美國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。今年 3 月，臺積電宣布在亞利桑那州追加 1000 億美元（現(xiàn)匯率約合 7192.28 億元人民幣）投資，計(jì)劃再建三座晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝廠和一個(gè)研發(fā)中心，總投資額累計(jì) 1650 億美元（現(xiàn)匯率約合 1.19 萬億元人民幣）。

發(fā)表于：5/28/2025

消息稱三星電子調(diào)整HBM團(tuán)隊(duì)組織架構(gòu) 押寶定制化產(chǎn)品

5 月 27 日消息，據(jù)韓媒 Financial News 報(bào)道，三星電子 DS（設(shè)備解決方案）部門負(fù)責(zé)人全永鉉正在對內(nèi)部組織進(jìn)行大刀闊斧的改革。據(jù)悉，全永鉉在被外界評價(jià)為“錯(cuò)失開發(fā)時(shí)機(jī)”的高帶寬存儲器（HBM）業(yè)務(wù)上力求扭轉(zhuǎn)局面，將三星 HBM 開發(fā)團(tuán)隊(duì)細(xì)分為標(biāo)準(zhǔn) HBM、定制化 HBM、HBM 產(chǎn)品工程（PE）及 HBM 封裝等團(tuán)隊(duì)。

發(fā)表于：5/28/2025

3年虧損超8億元基本半導(dǎo)體向港交所遞交上市申請

5月27日，據(jù)港交所官網(wǎng)顯示，中國碳化硅功率器件廠商——深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“基本半導(dǎo)體”）正式向港交所遞交了上市申請表，中信證券、國金證券(香港)有限公司、中銀國際為其聯(lián)席保薦人。

發(fā)表于：5/28/2025

英飛凌推出PSOC? 4100T Plus MCU

【2025年5月27日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用Multi-Sense技術(shù)的 Arm® Cortex®-M0+ 微控制器（MCU）——PSOC? 4100T Plus。這款新型MCU集豐富的模擬和數(shù)字功能于一身，擁有128K閃存和32K SRAM，并且采用了Multi-Sense這一包含CAPSENSE?、電感式傳感和液位傳感功能的英飛凌先進(jìn)技術(shù)。PSOC? 4100T Plus 還擁有更高的可靠性以及多種增強(qiáng)功能和先進(jìn)傳感功能，為系統(tǒng)控制和人機(jī)接口（HMI）應(yīng)用提供了完整的解決方案。

發(fā)表于：5/28/2025

意法半導(dǎo)體推出兩款GaN半橋驅(qū)動(dòng)器，可提高能效和魯棒性

2025年5月27日，中國——意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，為開發(fā)者帶來更高的設(shè)計(jì)靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。

發(fā)表于：5/28/2025