電子元件相關(guān)文章 基于信号调理芯片的运算放大器设计 基于国内40 V双极型工艺设计了一种全差分运算放大器，应用于信号调理芯片的驱动模块，运放输出信号的幅值可通过外接电阻调节。整体电路结构包含输入级、中间级、输出级、反馈电路和基准电路。输入级电路引入电流并联负反馈实现电压到电流转换，通过外围电阻分流信号的一部分来设置主信号幅值。中间级采用共集-共射的电路结构，提高电压增益；功率输出级采用全NPN的B类结构，实现大功率输出，提高电路驱动能力。同时电路引入共模反馈的电阻网络，使输出共模电压集中在正负电源之间。在电源电压为±15 V条件下测试结果为：输出电压有效值幅值范围为1.488 V~18.57 V，直流失调电压为-169 mV，输出短路电流为65 mA，总谐波失真为-41.2 dB。 發(fā)表于：2022/11/9 Arm“威胁”变更授权模式？发生了什么事？ 最近，Arm与高通之间的诉讼频上热门，以及“Arm是否计划更改授权方式”成为业内关注的焦点。 發(fā)表于：2022/11/9 英飞凌推出950 V CoolMOS™ PFD7系列，内置集成的快速体二极管，可满足大功率照明系统和工业SMPS应用的需求 为了满足当今市场对产品小型化、高能效的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了全新的CoolMOS™ PFD7高压MOSFET系列，为950V 超结（SJ）技术树立了新的行业标准。全新950V系列具有出色的性能和易用性，采用集成的快速体二极管，可确保器件的稳健性，同时降低了BOM（材料清单）成本。 發(fā)表于：2022/11/8 对标高通,苹果：天玑9200今天发布 今天下午2点半，联发科就要发布新一代旗舰级5G处理器天玑9200了，比去年的安卓旗舰芯片发布都要早，而且上市时间更快，年底就会有新机上市开卖。 發(fā)表于：2022/11/8 应用国产MCU筋膜枪拆机报告 筋膜枪作为一款能够缓解身体疲劳，提升幸福感的小家电，越来越多的人使用它，俨然已成为居家必备神器。 發(fā)表于：2022/11/8 易灵思FPGA做替代，到底有多难？ 过去一个设计用了Altera的EP4CE30F23C8N，这款芯片几乎是Altera性价比最高的芯片，并且他和EP4CE40F是同一个Die，因此熟悉门路的人知道，可以直接将EP4CE30F价格采购的芯片，当作EP4CE40F来用，瞬间资源倍增， 發(fā)表于：2022/11/8 英伟达推中国特供高性能GPU A800 替代A100，合规供货！ 美东时间周一，美国芯片制造商英伟达公司表示，将在中国推出一款新的芯片A800，该芯片符合美国近期的出口管制规定。英伟达发言人表示，A800 GPU芯片于第三季度投入生产，是英伟达A100 GPU芯片的一种替代产品，A100已被美商务部限制向中国出口。 發(fā)表于：2022/11/8 日本半导体10年规划：2nm在其中！ 如火如荼的半导体市场正开始走下坡路。但是，得益于车载用途等因素的牵引，毫无疑问未来半导体的需求还会继续增长。在日本政府的大力支持下，日本半导体企业正试图恢复全球地位。 發(fā)表于：2022/11/8 日月光推出业界首创FOCoS扇出型封装技术 11月4日，日月光半导体宣布，日月光先进封装VIPack平台推出业界首创的FOCoS（Fan Out Chip on Substrate）扇出型封装技术，主要分为Chip First（FOCoS-CF)）以及Chip Last（FOCoS-CL）两种解决方案，可以更有效提升高性能计算的性能。 發(fā)表于：2022/11/8 三星宣布量产第 8 代 V-NAND 闪存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps IT之家 11 月 7 日消息，虽然还没有发布任何实际产品，但三星电子现宣布已经开始大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯片，该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。 發(fā)表于：2022/11/8 22AP30 H.265 编解码处理器 22AP30 是针对多路高清/超高清（1080p/4M/5M/4K）DVR 产品应用开发的新一代专 业 SoC 芯片。22AP30 集成了 ARM A53 四核处理器和性能强大的图像分析工具推理 引擎，支持多种智能算法应用。 發(fā)表于：2022/11/7 存储芯片头部厂商订单需求疲软，扎堆减产过"寒冬" 三星电子、SK海力士和美光，正在扎堆减产、应对库存问题、节约资本开支，并推迟先进技术的进展，以应对存储器需求的疲软态势。 發(fā)表于：2022/11/7 光耦合器的工作原理和作用 光耦合器的主要优点是：信号单向传输，输入端与输出端完全实现了电气隔离隔离，输出信号对输入端无影响，抗干扰能力强，工作稳定，无触点，使用寿命长，传输效率高。 發(fā)表于：2022/11/7 三星宣布，236层3D NAND量产 三星今天宣布，它已经开始批量生产其 大概为 236 层的 3D NAND 存储器，该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。新 IC 具有 2400 MTps 的传输速度，当与高级控制器结合使用时，它们可以实现传输速度超过 12 GBps 的客户端级 SSD。 發(fā)表于：2022/11/7 芯片巨头的新战场 Intel下一代旗舰级CPU Sapphire Rapids将会是Intel在CPU领域的一次重要新产品。该CPU将会使用Intel 7工艺，并且大规模使用了chiplet（芯片粒）技术，从而让单个CPU中可以包含高达60个核心，从而让Intel不至于在高级封装驱动的下一代CPU竞争中落后AMD。 發(fā)表于：2022/11/7 <…103104105106107108109110111112…>
