電子元件相關(guān)文章 Arm發(fā)布全新服務(wù)器芯片及路線圖，進(jìn)一步叫板X86 Arm對(duì)服務(wù)器市場(chǎng)擁有巨大的野心是一件眾所周知的事實(shí)，但這是需要?dú)v經(jīng)數(shù)年才得以實(shí)現(xiàn)的愿望。過去多年里，雖然Arm陣營(yíng)經(jīng)過許多懷疑和錯(cuò)誤的嘗試，但到2020年的今天，沒有人可以否認(rèn)，由該公司CPU IP驅(qū)動(dòng)的服務(wù)器芯片的確具有競(jìng)爭(zhēng)力，而且在多個(gè)指標(biāo)上實(shí)際上處于領(lǐng)先地位。 發(fā)表于：9/23/2020 95.8億！43個(gè)項(xiàng)目簽約落戶重慶梁平 9月22日，重慶梁平舉行2020年三季度招商項(xiàng)目集中簽約暨重點(diǎn)項(xiàng)目集中開工活動(dòng)，43個(gè)項(xiàng)目集中簽約，協(xié)議引資95.8億元，涵蓋工業(yè)支柱產(chǎn)業(yè)、“兩新一重”、鄉(xiāng)村振興、城市提升、民生保障等多個(gè)領(lǐng)域；賽美康GPP芯片等29個(gè)重大項(xiàng)目集中開工，投資總額75.2億元。 發(fā)表于：9/23/2020 臺(tái)積電2nm工藝獲重大突破！ 據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。供應(yīng)鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET），臺(tái)積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場(chǎng)效電晶體（MBCFET）架構(gòu)。 發(fā)表于：9/23/2020 已獲準(zhǔn)供貨華為？英特爾正式回應(yīng)...... 近日，多家媒體報(bào)道稱，英特爾已經(jīng)得到了向華為供貨的許可。 發(fā)表于：9/23/2020 東芯半導(dǎo)體IPO申請(qǐng)獲批！國家大基金間接持股，與中芯達(dá)成合作關(guān)系 芯東西9月23日消息，上交所官網(wǎng)科創(chuàng)板股票審核頁面最新更新顯示，存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)商?hào)|芯半導(dǎo)體科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)已于昨日獲得受理。 發(fā)表于：9/23/2020 Arm連發(fā)兩大服務(wù)器CPU新品！單核性能猛增50% 今天，Arm公布下一代Neoverse服務(wù)器CPU設(shè)計(jì)，不僅公布N系列的第二代產(chǎn)品N2，還首次推出了全新產(chǎn)品類別Neoverse V系列平臺(tái)，劍指最高單線程性能。 發(fā)表于：9/23/2020 華為聯(lián)合英特爾發(fā)布FusionServer Pro系列新一代服務(wù)器產(chǎn)品2488H V6 繼英特爾宣布已獲得向華為供貨許可之后，9月22日，華為聯(lián)合英特爾在線上發(fā)布了FusionServer Pro服務(wù)器系列最新一代產(chǎn)品2488H V6。 發(fā)表于：9/23/2020 高通正式發(fā)布驍龍750G 5G平臺(tái)：首次加入A77大核，小米將首發(fā) 9月23日消息，昨日高通正式發(fā)布了新款“驍龍750G”處理器，面向主流5G市場(chǎng)，定位在驍龍768G/765/765G之下，但采用了全新的設(shè)計(jì)和新IP，性能和功能都不弱，尤其是首次將Arm Cortex-A77 CPU大核心引入到了驍龍7系列中。 發(fā)表于：9/23/2020 華為郭平：求生存是華為的主線！如果可以，愿用高通芯片生產(chǎn)手機(jī)！ 在美國對(duì)華為實(shí)施“斷供”的壓力下，9月23日，華為一年一度的全聯(lián)接大會(huì)依舊照常召開。該會(huì)議由華為自辦、每年面向ICT產(chǎn)業(yè)的全球性年度旗艦活動(dòng)，是華為發(fā)布重大戰(zhàn)略的平臺(tái)。 發(fā)表于：9/23/2020 Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，提高系統(tǒng)功率密度且節(jié)省能源 賓夕法尼亞、MALVERN — 2020 年 9 月 23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新型200V n溝道MOSFET---SiSS94DN，器件采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封裝，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的61 mΩ。同時(shí)，經(jīng)過改進(jìn)的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN專門用來提高功率密度，占位面積比采用6mm x 5mm封裝相似導(dǎo)通電阻的器件減小65 %。 發(fā)表于：9/23/2020 185億！北美半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備制造商8月銷售額較上月環(huán)比增長(zhǎng)3% 【TechWeb】9月21日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，6月份環(huán)比恢復(fù)增長(zhǎng)之后，北美半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備制造商8月份的銷售還在進(jìn)一步增加，達(dá)到了26.5億美元。 發(fā)表于：9/23/2020 三星電子全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線二線正式開工！提供全新一代DRAM產(chǎn)品 近日，據(jù)外媒報(bào)道，三星電子平澤工廠的第二生產(chǎn)線正式開工，首發(fā)量產(chǎn)的產(chǎn)品是采用極紫外光刻技術(shù)制造的16Gb LPDDR5移動(dòng)DRAM芯片。 發(fā)表于：9/23/2020 官宣！中國“上新”北京、湖南、安徽3個(gè)自貿(mào)區(qū)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)備受關(guān)注 據(jù)中國政府網(wǎng)9月21日消息，國務(wù)院日前印發(fā)《中國（北京）、（湖南）、（安徽）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)總體方案》和《中國（浙江）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)擴(kuò)展區(qū)域方案》。 發(fā)表于：9/23/2020 ?Nvidia收購Arm的更多細(xì)節(jié)曝光 日前，英偉達(dá)宣布了以四百億美金的價(jià)格收購Arm。眾所周知，Arm是一家總部位于英國的公司，他們提供的芯片幾乎為每臺(tái)智能手機(jī)，每臺(tái)新Mac都提供了動(dòng)力，并且從亞馬遜的Graviton實(shí)例開始，人們大力推動(dòng)它們進(jìn)入數(shù)據(jù)中心。 發(fā)表于：9/23/2020 擔(dān)心中芯被制裁，傳高通、博通等主要客戶正尋求轉(zhuǎn)產(chǎn)到臺(tái)廠 根據(jù)先前外媒報(bào)導(dǎo)，由于美國政府考慮制裁中國本土最大晶圓代工廠中芯國際，盡管目前中芯是否被制裁仍未有定論，但已在半導(dǎo)體業(yè)界掀起漣漪。根據(jù)中國臺(tái)灣《科技新報(bào)》掌握的消息，全球移動(dòng)處理器龍頭高通（Qualcomm） 的高層日前已來臺(tái)拜訪各大晶圓代工廠，為的就是若中芯遭到制裁，高通的訂單能順利轉(zhuǎn)至臺(tái)廠。據(jù)了解，高通鎖定拜會(huì)的廠商包括臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)。 發(fā)表于：9/23/2020 ?…420421422423424425426427428429…?
