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?外媒：美國(guó)對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體限制非常短視

隨著日前傳言的將SMIC加入實(shí)體清單，美國(guó)對(duì)中國(guó)的高科技產(chǎn)業(yè)限制正在進(jìn)一步擴(kuò)大，這將進(jìn)一步打亂半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。

發(fā)表于：9/29/2020

遙遙領(lǐng)先，臺(tái)積電將擁有超過(guò)50臺(tái)EUV光刻機(jī)

據(jù)臺(tái)媒Digitimes報(bào)道，臺(tái)積電將擴(kuò)大采購(gòu)EUV 設(shè)備，明年機(jī)臺(tái)就將超過(guò)50 之?dāng)?shù)，估計(jì)可達(dá)55 臺(tái)，非常可觀。相較之下，三星可能還不到一半，而英特爾更少，這將令臺(tái)積電持續(xù)維持制程優(yōu)勢(shì)。從EUV 光罩盒的采購(gòu)量看來(lái)也支持這樣的說(shuō)法。

發(fā)表于：9/29/2020

FinFET的繼任者：詳解GAA晶體管

　半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展史的本質(zhì)就是晶體管尺寸的縮小史。從上世紀(jì)七十年代的10微米節(jié)點(diǎn)開(kāi)始，遵循著摩爾定律一步一步走到了今天的5納米。在這一過(guò)程中，每當(dāng)摩爾定律遭遇困境，總會(huì)有新的技術(shù)及時(shí)出現(xiàn)并引領(lǐng)著摩爾定律繼續(xù)前行。自22納米節(jié)點(diǎn)上被英特爾首次采用，鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）在過(guò)去的十年里成了成為了半導(dǎo)體器件的主流結(jié)構(gòu)。然而到了5納米節(jié)點(diǎn)之后，鰭式結(jié)構(gòu)已經(jīng)很難滿足晶體管所需的靜電控制。其漏電現(xiàn)象在尺寸進(jìn)一步縮小的情況下急劇惡化。因此，半導(dǎo)體行業(yè)急切需要一個(gè)新的解決方案在未來(lái)節(jié)點(diǎn)中替代鰭式晶體管結(jié)構(gòu)。

發(fā)表于：9/29/2020

第三代半導(dǎo)體真的會(huì)火嗎？

　毋庸置疑，第三代半導(dǎo)體最近真的很火。相關(guān)股市板塊逆勢(shì)而上，據(jù)同花順iFinD數(shù)據(jù)，26只第三代半導(dǎo)體概念股半個(gè)月的總市值就漲了100億元以上，股價(jià)漲幅最高者超100%。

發(fā)表于：9/29/2020

國(guó)產(chǎn)CPU按下“快捷鍵”！

?　　據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù)顯示， 2020年1~3月中國(guó)集成電路產(chǎn)量達(dá)到508.2億塊，去年同期產(chǎn)量為345.20億塊，累計(jì)增長(zhǎng)16%。從相關(guān)數(shù)據(jù)不難看出，經(jīng)過(guò)多年努力，國(guó)內(nèi)企業(yè)在設(shè)計(jì)、封測(cè)等領(lǐng)域加速突破。

發(fā)表于：9/29/2020

20余款國(guó)產(chǎn)模擬IC實(shí)力比拼，誰(shuí)將領(lǐng)跑？

　　相對(duì)于數(shù)字芯片，模擬芯片具有高信噪比、低失真、低耗電、高可靠性和穩(wěn)定性等特征，生命周期往往大于10年，且應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，價(jià)格較為穩(wěn)定，不易受到單一產(chǎn)業(yè)景氣度影響。調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights數(shù)據(jù)顯示，2019年中國(guó)模擬芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到235億美元，其中，國(guó)內(nèi)產(chǎn)值遠(yuǎn)小于其市場(chǎng)規(guī)模，進(jìn)口替代的空間巨大。

發(fā)表于：9/29/2020

Vishay推出汽車級(jí)PIN光電二極管，高度低至0.7 mm，提高信噪比

賓夕法尼亞、MALVERN — 2020 年 9 月 28 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款表面貼裝汽車級(jí)硅 PIN 光電二極管，外形尺寸為 0805，高度僅為 0.7 mm — 比前一代器件低 0.15 mm。Vishay Semiconductors VEMD4010X01 和 VEMD4110X01 采用黑色封裝，不透明側(cè)壁，消除多余側(cè)面光，提高信噪比。

發(fā)表于：9/29/2020

貿(mào)澤電子《讓創(chuàng)意走進(jìn)現(xiàn)實(shí)》系列短片斬獲Ad Age金獎(jiǎng)

2020年9月28日 – 專注于引入新品推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布其讓創(chuàng)意走進(jìn)現(xiàn)實(shí)系列短片榮獲Ad Age（廣告時(shí)代）雜志的企業(yè)對(duì)企業(yè)類年度推廣活動(dòng)金獎(jiǎng)。貿(mào)澤與Proof Advertising一起獲得了本年度的最佳小代理商獎(jiǎng) (Small Agency Award)。

發(fā)表于：9/29/2020

如何克服復(fù)雜待測(cè)件在生產(chǎn)測(cè)試中的挑戰(zhàn)

　我們每天購(gòu)買和使用的產(chǎn)品比幾年前復(fù)雜得多。物聯(lián)網(wǎng)、技術(shù)融合、語(yǔ)音控制以及更多的趨勢(shì)正在推動(dòng)設(shè)備功能越來(lái)越強(qiáng)，隨之而來(lái)的是測(cè)試團(tuán)隊(duì)的壓力越來(lái)越大。上一次您遇到一個(gè)簡(jiǎn)單的測(cè)試范圍要求是什么時(shí)候？不包含新的測(cè)量指標(biāo)、不隨時(shí)間變化而變化？與前幾代產(chǎn)品版本相比，您的測(cè)試線設(shè)置有多復(fù)雜？

發(fā)表于：9/28/2020

臺(tái)積電砸440億元：狂買世界最貴EUV光刻機(jī)

　　芯片制程已經(jīng)推進(jìn)到了7nm以下，這其中最關(guān)鍵的核心設(shè)備就要數(shù)EUV光刻機(jī)了，目前全世界只有荷蘭ASML（阿斯麥）可以制造。

發(fā)表于：9/28/2020

第15家！華為再投芯片公司

天眼查App顯示，9月27日，南京芯視界微電子科技有限公司發(fā)生工商變更，其股東新增哈勃科技投資有限公司、南京芯視晶源電子科技合伙企業(yè)（有限合伙），股權(quán)穿透顯示，哈勃科技投資有限公司為華為投資控股有限公司全資子公司；與此同時(shí)，該公司注冊(cè)資本由原來(lái)的131.25萬(wàn)人民幣增加至約145.07萬(wàn)人民幣，增幅為10.53％。

發(fā)表于：9/28/2020

貿(mào)澤電子與iWave Systems簽訂分銷協(xié)議

2020年9月24日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與iWave Systems達(dá)成了全球分銷協(xié)議，讓適用于多種領(lǐng)域的iWave系統(tǒng)級(jí)模塊 (SoM) 產(chǎn)品線更具全球影響力。簽署此項(xiàng)協(xié)議后，貿(mào)澤將開(kāi)售基于Xilinx、NXP Semiconductors和Intel® PSG技術(shù)的iWave SoM產(chǎn)品，這些產(chǎn)品適用于工業(yè)、汽車、醫(yī)療、影像、聯(lián)網(wǎng)和人工智能(AI) 等應(yīng)用。

發(fā)表于：9/27/2020

Melexis 推出可靠的高性能通用型霍爾效應(yīng)鎖存器IC，面向成本敏感型應(yīng)用

2020 年 9 月 25 日，比利時(shí)泰森德洛 - 全球微電子工程公司 Melexis 宣布，推出可靠的霍爾效應(yīng)鎖存器 IC MLX 92214，可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并確保穩(wěn)定的磁特性。該器件面向電動(dòng)工具、個(gè)人電腦、服務(wù)器和家用電器等成本敏感型應(yīng)用。

發(fā)表于：9/27/2020

貿(mào)澤電子開(kāi)售用于ToF 距離測(cè)量的ams TMF8801-EVM評(píng)估套件

2020年9月27日 – 專注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)售ams的TMF8801-EVM評(píng)估套件。TMF8801-EVM 可用于評(píng)估ams TMF8801 1D 飛行時(shí)間 (ToF) 傳感器的作業(yè)狀況，適用于智能手機(jī)、工業(yè)機(jī)器人和自動(dòng)裝置等應(yīng)用。

發(fā)表于：9/27/2020

臺(tái)積電2nm工藝重大突破！

一直以來(lái)臺(tái)積電在半導(dǎo)體領(lǐng)域都是處于全球領(lǐng)先水平，其5nm工藝制程的芯片已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)。現(xiàn)在據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破。

發(fā)表于：9/27/2020