EDA與制造相關文章 工信部：2023 年我國電子信息制造業(yè)生產恢復向好 工信部：2023 年我國電子信息制造業(yè)生產恢復向好 發(fā)表于：2/11/2024 高塔半導體擬在印度投資 80 億美元建芯片廠 高塔半導體擬在印度投資 80 億美元建芯片廠 發(fā)表于：2/11/2024 臺積電增資日本：將投資52億美元建設第二座晶圓廠 臺積電日前宣布在日本熊本建設第二座晶圓廠，核準以不超過52.62億美元的額度增資日本先進半導體制造公司（JASM）。 發(fā)表于：2/11/2024 中芯國際披露手機創(chuàng)新急單：暗指華為麒麟9000S 中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍在業(yè)績說明會上表示，2023年第三季度，智能手機等移動設備產業(yè)鏈更新?lián)Q代，一些有創(chuàng)新的產品公司得到了機會，啟動急單，開始企穩(wěn)回升。 趙海軍并未明確提及是哪家公司、哪款產品，但大家都知道，去年第三季度，華為沒有任何征兆地發(fā)布了劃時代的Mate 60系列，配備麒麟9000S處理器…… 背后的故事，就不用多說了。 發(fā)表于：2/8/2024 SK 海力士與臺積電建立AI芯片聯(lián)盟 SK 海力士與臺積電建立 AI 芯片聯(lián)盟 合作開發(fā) HBM4 發(fā)表于：2/8/2024 Intel 18A工藝拿下大單：代工64核心Arm處理器 芯片設計企業(yè)Faraday Technology宣布計劃開發(fā)全球首款基于Arm Neoverse架構的64核心處理器，預計2025年上半年完成，并采用Intel 18A工藝制造。 發(fā)表于：2/6/2024 韓國半導體產品今年出口額預計低于1000億美元 在價格上漲、人工智能領域需求增加、主要廠商新推出智能手機大量出貨的推動下，全球半導體市場的狀況近幾個月在好轉，韓國半導體產品的出口額在 11 月份也時隔 15 個月再次同比上漲。 發(fā)表于：2/6/2024 vivo與諾基亞簽署5G專利交叉許可協(xié)議 2 月 5 日消息，今日，vivo 宣布與諾基亞達成全球專利交叉許可協(xié)議，該協(xié)議涵蓋雙方在 5G 和其他蜂窩通信技術方面的標準必要專利。 諾基亞在聲明中指出，“該協(xié)議解決了雙方在所有司法管轄區(qū)的所有待處理專利訴訟。根據雙方商定的協(xié)議，協(xié)議條款仍將保密”。 發(fā)表于：2/6/2024 2nm半導體大戰(zhàn)打響！三星2nm時間表公布 據媒體報道，三星計劃明年在韓國開始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國投資500萬億韓元，建立一個巨型半導體工廠，將進行2nm制造。 據悉，2nm工藝被視為下一代半導體制程的關鍵性突破，它能夠為芯片提供更高的性能和更低的功耗。 作為三星最大的競爭對手，臺積電在去年研討會上就披露了2nm芯片的早期細節(jié)，臺積電的2nm芯片將采用N2平臺，引入GAAFET納米片晶體管架構和背部供電技術。 發(fā)表于：2/5/2024 3nm爭奪戰(zhàn)：傳三星良率0% 臺積電卻已大賺211億 據韓媒報道，三星 3nm 工藝存在重大問題，試產芯片均存在缺陷，良品率 0%。報道還指出，由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質量測試，導致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產。 當三星的 3nm 工藝還被困于良率難自解時，臺積電的 3nm 工藝已經可以養(yǎng)家了。臺積電方面表示，2023 年第四季度的營收得益于 3nm 工藝產量的持續(xù)強勁增長。 在 3nm 先進制程工藝上，三星暫時做不到遙遙領先。 發(fā)表于：2/5/2024 華為公開“半導體裝置以及半導體裝置的制作方法”專利 華為公開“半導體裝置以及半導體裝置的制作方法”專利 發(fā)表于：2/5/2024 蘋果已完成70萬公里自動駕駛汽車測試 蘋果的神秘汽車項目已經悄悄進行了六年，外界對其進展幾乎一無所知。不過，最近蘋果向加州一家機構提交的記錄揭示了自動駕駛項目的最新動態(tài)。 數據顯示， 2023年，蘋果在公共道路上的自動駕駛測試里程約72萬公里，幾乎較2022年增加了三倍，比2021年更是增加了30多倍。 發(fā)表于：2/5/2024 ASML：High-NA EUV光刻仍是未來最經濟選擇 ASML 首席財務官 Roger Dassen 近日接受了荷蘭當地媒體 Bits&Chips 的采訪。在采訪中，Dassen 回應了分析機構 SemiAnalysis 的質疑，表示 High-NA（高數值孔徑）EUV（極紫外光）光刻機仍是未來最經濟的選擇。 發(fā)表于：2/4/2024 1c納米內存競爭：三星計劃增加EUV使用，美光將引入鉬、釕材料 根據韓媒 The Elec 的報道，DRAM 內存巨頭三星和美光均將在下一個內存世代，也就是 1c nm 工藝引入更多新技術。 IT 之家注：1c nm 世代即第六個 10+ nm 世代，美光也稱之為 1 γ nm 工藝。目前最先進的內存為 1b nm 世代，三星稱其 1b nm 為 12nm 級工藝。 分析機構 TechInsights 高級副總裁 Choi Jeong-dong 在近日的一場研討會上表示，美光將在 1c nm 節(jié)點率先引入鉬（Mo，讀音 m ù）和釕（Ru，讀音 li ǎ o）。這兩種金屬將作為布線材料，被用于內存的字線和位線中。 鉬和釕的電阻相較于現(xiàn)在應用的鎢（W）更低，可進一步壓縮 DRAM 線寬。不過釕也存在自身的問題：其在工藝中會反應生成有毒的四氧化釕（RuO4），為維護工作帶來新的麻煩。Choi Jeong-dong 認為，三星和 SK 海力士將稍晚一至兩個世代引入這兩種金屬。 發(fā)表于：2/4/2024 三星 3nm GAA 工藝試產失敗 根據韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產工藝存在問題，嘗試生產適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。 發(fā)表于：2/4/2024 ?…130131132133134135136137138139…?
