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業(yè)界動(dòng)態(tài)

Littelfuse推出采用SMPD-X封裝的200 V、480 A超級(jí)結(jié)MOSFET

伊利諾伊州羅斯蒙特，2025年12月9日 -- Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。

發(fā)表于：12/9/2025 3:54:01 PM

藍(lán)牙核心規(guī)范6.2正式發(fā)布

北京，2025年12月9日——藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟（Bluetooth SIG）近日宣布正式發(fā)布藍(lán)牙?核心規(guī)范 6.2（Bluetooth® Core 6.2）。作為一年兩次的規(guī)范更新之一，本次更新新增多項(xiàng)關(guān)鍵功能，旨在提升設(shè)備響應(yīng)速度、增強(qiáng)安全性，并加強(qiáng)通信與測(cè)試能力。

發(fā)表于：12/9/2025 2:34:36 PM

聯(lián)電獲imec 300mm硅光子學(xué)平臺(tái)授權(quán)

12 月 9 日消息，聯(lián)華電子（UMC、聯(lián)電）昨日宣布其獲得了 imec 的 300mm（12 英寸）硅光子學(xué)平臺(tái) ISiPP300 的技術(shù)授權(quán)。這一工藝支持 CPO（共封裝光學(xué)）應(yīng)用，將加速聯(lián)電硅光子技術(shù)的發(fā)展。

發(fā)表于：12/9/2025 1:35:13 PM

日本DNP開(kāi)發(fā)出1.4nm級(jí)NIL納米壓印圖案化模板

12 月 9 日消息，日本 DNP（大日本印刷）當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日宣布成功開(kāi)發(fā)出線寬僅 10nm 的 NIL 納米壓印圖案化模板，支持 1.4nm 級(jí)邏輯半導(dǎo)體以及 NAND 閃存的制造。

發(fā)表于：12/9/2025 1:22:18 PM

美國(guó)新建數(shù)據(jù)中心進(jìn)程遭環(huán)保組織阻攔

12 月 9 日消息，隨著數(shù)據(jù)中心能源需求激增，美國(guó)一些環(huán)保組織呼吁暫停審批和新建數(shù)據(jù)中心。

發(fā)表于：12/9/2025 1:00:55 PM

荷蘭經(jīng)濟(jì)大臣就安世半導(dǎo)體接受質(zhì)詢承認(rèn)明搶

據(jù)新華社此前報(bào)道，11月19日，荷蘭經(jīng)濟(jì)大臣卡雷曼斯發(fā)表聲明，宣布暫停針對(duì)安世半導(dǎo)體的行政令。而這一暫停舉措并未平息外界對(duì)其前期處置行為的爭(zhēng)議，時(shí)隔半月，卡雷曼斯便因該事件在議會(huì)接受質(zhì)詢。

發(fā)表于：12/9/2025 11:41:00 AM

每年發(fā)射100萬(wàn)噸AI衛(wèi)星 SpaceX最新計(jì)劃曝光

12月8日消息，馬斯克近日在社交平臺(tái)X上闡述了其大規(guī)模部署太空AI衛(wèi)星的構(gòu)想，計(jì)劃每年向太空發(fā)射總量達(dá)100萬(wàn)噸的衛(wèi)星，以實(shí)現(xiàn)每年在太空部署100吉瓦人工智能運(yùn)算能力的目標(biāo)。

發(fā)表于：12/9/2025 11:36:16 AM

imec在HBM與GPU進(jìn)行3D堆疊散熱方面獲得突破

12月9日消息，在近日舉行的2025 年IEEE 國(guó)際電子會(huì)議（IEDM）上，比利時(shí)微電子研究中心（imec）發(fā)布了首篇針對(duì)3D 高帶寬內(nèi)存（HBM）與圖形處理器（GPU）堆疊元件（HBM-on-GPU）的系統(tǒng)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（STCO）熱學(xué)研究。通過(guò)完整熱模擬研究，識(shí)別了散熱瓶頸，并提出策略來(lái)提升該架構(gòu)散熱可行性。

發(fā)表于：12/9/2025 11:30:45 AM

英特爾布局印度半導(dǎo)體制造與封裝市場(chǎng)

12月9日消息，據(jù)《印度經(jīng)濟(jì)時(shí)報(bào)》報(bào)導(dǎo)，印度塔塔電子（Tata Electronics）與英特爾（Intel）近日簽署了一項(xiàng)合作備忘錄，雙方同意深化在印度半導(dǎo)體和系統(tǒng)制造領(lǐng)域的合作。這項(xiàng)合作鞏固了英特爾做為塔塔電子新成立的半導(dǎo)體制造（fab）和組裝測(cè)試（OSAT）設(shè)施的首批潛在客戶的地位，塔塔電子的半導(dǎo)體制造和組裝測(cè)試設(shè)施預(yù)計(jì)設(shè)置在印度的古吉拉特邦和阿薩姆邦等地。

發(fā)表于：12/9/2025 11:24:09 AM

傳北方華創(chuàng)90:1深孔刻蝕設(shè)備取得突破

12月8日消息，據(jù)最新曝光的一份瑞銀報(bào)告稱，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備大廠北方華創(chuàng)（NAURA）90:1高縱橫比蝕刻方面可能取得了重大進(jìn)展，這類刻蝕設(shè)備將可助力300層以上的NAND Flash閃存的生產(chǎn)。

發(fā)表于：12/9/2025 11:19:53 AM

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