基于全物理模型的模块级SRAM的SEU仿真方法
所屬分類：技术论文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>559 K
標(biāo)簽： 存储器 单粒子翻转 抗辐照
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文檔介紹：随着科学技术的发展和工艺尺寸的降低，单元器件的尺寸逐渐减小，使得单粒子电荷共享和单粒子翻转等效应日益严重，增加了抗辐射加固模块级SRAM设计难度，因此需要一套更为完备的仿真方法对模块级SRAM的单粒子效应敏感性进行预估，为电路加固设计提供依据和建议。基于模块级SRAM的单元结构和电路版图，利用Cogenda软件构建了模块级SRAM单粒子翻转效应仿真方法，对其敏感性进行分析，获得其单粒子翻转LET阈值，并与重离子实验结果进行对比，仿真误差为13.3%。
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