FinFET器件结构发展综述
所屬分類：技术论文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>746 K
標(biāo)簽： 场效应晶体管 FinFET 器件结构
所需積分：0分積分不夠怎么辦？
文檔介紹：随着集成电路技术日新月异的发展，器件尺寸不断缩小，当场效应晶体管沟道缩短至22 nm以后，传统平面场效应晶体管不再满足发展的需求。FinFET是一种新型的三维器件，由于良好的性能目前被广泛研究应用。主要介绍了FinFET器件的基础结构以及基础工艺流程，以及在基础结构上所发展起来的一些改良后的FinFET器件结构。最后结合实际对未来FinFET器件结构的发展寄予展望。
現(xiàn)在下載
VIP會(huì)員，AET專家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分，本人上傳資源不扣分。