基于 HVCMOS工艺的H桥驱动电路版图设计
所屬分類：技术论文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>896 K
標(biāo)簽： HVCMOS H桥 高集成度
所需積分：0分積分不夠怎么辦？
文檔介紹：介绍了基于HVCMOS工艺的低成本、高集成度、强驱动性能功率集成电路(Power IC，PIC)H桥的设计实现。建立的金属互连线评估模型可在设计早期对H桥物理版图方案进行优差性判断，不依赖设计后仿真,从而提高设计效率。H桥不同互连线设计方案的比较结果表明，多插指阵列器件互连线(M2及以上层金属)与器件本体的金属层M1垂直、梯形状互连结构，能够提高互连线沿电流流向的有效长宽比，减小寄生电阻。
現(xiàn)在下載
VIP會員，AET專家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分，本人上傳資源不扣分。