InGaAs/GaAs多量子阱近红外光探测结构设计与表征
所屬分類：技术论文
上傳者：aetmagazine
文檔大小：854 K
標(biāo)簽： InGaAs/GaAs 多量子阱 红外
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文檔介紹：介绍了用于近红外光探测的InGaAs三元化合物材料体系，并通过数学软件编写求解出InGaAs/GaAs单量子阱有限深势阱的波函数方程。根据计算结果，设计出InGaAs/GaAs多量子阱结构，之后采用分子束外延技术完成了高质量外延片结构的研制，通过双晶X射线衍射等分析手段，推算出多量子阱结构中In的组分，势垒与势阱的厚度等参数与理论设计一致，具有很好的近红外探测器研制价值。
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